【产品】150V/5.1A N沟道功率MOSFET RM1505S，使用Super Trench技术
丽正国际推出的RM1505S是一款N沟道MOSFET，使用经过独特优化的Super Trench技术，可提供最高效的高频开关性能。 由于RDS（ON）和Qg的极低组合，传导和开关功率损耗都被最小化，因此是高频开关和同步整流的理想选择。在TA=25°C时，RM1505S可以承受的极限漏源电压为150V，极限栅源电压为±20V，可以承受的极限漏极连续电流为5.1A，结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境的热阻为41.7℃/W。RM1505S采用SOP-8封装，其引脚分布如图1所示。
图1 RM1505S引脚分布
RM1505S产品特性
•VDS =150V,ID =5.1A
RDS(ON) < 65mΩ @ VGS=10V ( Typ: 55mΩ)
•极好的栅极电荷x RDS（on）产品
•低导通电阻RDS（on）
•150°C工作温度
•100% ∆Vds 测试!
RM1505S应用领域
DC / DC变换器和离线UPS
高压同步整流器
硬开关和高频电路
不间断电源供应
RM1505S订购信息
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