【产品】150V/5.1A N沟道功率MOSFET RM1505S，使用Super Trench技术
丽正国际推出的RM1505S是一款N沟道MOSFET，使用经过独特优化的Super Trench技术，可提供最高效的高频开关性能。 由于RDS（ON）和Qg的极低组合，传导和开关功率损耗都被最小化，因此是高频开关和同步整流的理想选择。在TA=25°C时，RM1505S可以承受的极限漏源电压为150V，极限栅源电压为±20V，可以承受的极限漏极连续电流为5.1A，结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境的热阻为41.7℃/W。RM1505S采用SOP-8封装，其引脚分布如图1所示。
图1 RM1505S引脚分布
RM1505S产品特性
•VDS =150V,ID =5.1A
RDS(ON) < 65mΩ @ VGS=10V ( Typ: 55mΩ)
•极好的栅极电荷x RDS（on）产品
•低导通电阻RDS（on）
•150°C工作温度
•100% ∆Vds 测试!
RM1505S应用领域
DC / DC变换器和离线UPS
高压同步整流器
硬开关和高频电路
不间断电源供应
RM1505S订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 3
本文由cucumber翻译自丽正国际，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
评论
全部评论（3）
-
![]()
![]()
小胖纸 Lv4. 资深工程师 2019-10-17学习了！ -
![]()
![]()
蓝黑使者007 Lv7. 资深专家 2019-10-17学习了 -
![]()
![]()
Arvin.Wang Lv8. 研究员 2019-10-17学习
相关推荐
【产品】CJAB20N03 N沟道功率MOSFET，采用PDFNWB3.3×3.3-8L塑封，漏源电压最大为30V
长晶科技推出的CJAB20N03是PDFNWB3.3×3.3-8L塑封N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术设计，具有低栅极电荷和漏源导通电阻。该器件封装具有良好的散热性，适用于多种应用，包括SMPS，硬开关和高频电路，不间断电源等领域。
新产品 发布时间 : 2020-11-20
【产品】TO252-2封装、30V/50A的N沟道增强型功率MOSFET AM4102
AiT公司的N沟道增强型功率MOSFET AM4102，提供TO252-2封装，优异的散热包装，漏源极电压30V，栅源极电压±20V，连续漏极电流为50A。AM4102采用了先进的沟槽技术和设计，以提供极好的RDS(ON)和较低的门电荷，它可以用于各种各样的应用。
新产品 发布时间 : 2019-10-18
【产品】65V/100A N沟道增强型功率MOSFET RM100N65DF，采用DFN5X6-8L封装
丽正国际推出的RM100N65DF是一款N沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽技术和设计，具有栅极电荷低、导通电阻小的特点以及较广的应用领域。在环境温度为 25°C时，RM100N65DF可以承受的极限漏源电压为65V，极限栅源电压为+20/-12V，可以承受的极限漏极连续电流为100A，结温和储存温度范围为-55~150℃，结到管壳的热阻为0.88℃/W。
新产品 发布时间 : 2019-10-15
【产品】80V/200A N沟道功率MOSFET BLM04N08，最大漏源导通电阻为4mΩ
BLM04N08是上海贝岭推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，导通电阻小、低栅极电荷，适用于电源开关应用、硬开关和高频电路、不间断电源等。
产品 发布时间 : 2022-04-27
【产品】30V/40A低压N沟道和P沟道互补型功率MOSFETYJG40NP03A，适用于硬开关和高频电路等相关应用
YJG40NP03A是扬杰科技推出的N沟道和P沟道互补型功率MOSFET，采用沟槽型功率低压MOSFET技术，非常适用于大电流负载应用、负载切换、硬开关和高频电路、不间断电源供应等相关应用。
新产品 发布时间 : 2021-02-07
【产品】N沟道增强型功率MOSFET AM6594，栅极阈值电压典型值为1.6V，导通电阻可低至4.5mΩ
AiT推出的AM6594是N沟道增强型功率MOSFET，它采用沟槽DMOS技术，可以最大限度地降低导通电阻，可用于无线充电、DC / DC变换器以及负载开关的应用设计中。
新产品 发布时间 : 2019-06-25
【产品】采用Super Trench技术的60V/180A N沟道功率MOSFET RM180N60T2
丽正国际推出的一款N沟道功率MOSFET RM180N60T2，采用TO-220-3L封装，经过独特优化的Super Trench技术，可提供最高效的高频开关性能，由于极低RDS（ON）和Qg的组合，传导和开关功率损耗都被最小化，因此是高频开关和同步整流的理想选择。在TC=25°C时，RM180N60T2可以承受的漏源电压最大额定值为60V，栅源电压最大额定值为±20V。
新产品 发布时间 : 2020-07-15
【产品】200V/51A N沟道功率MOSFET RM50N200HD、RM50N200T2、RM50N200T7
RM50N200HD、RM50N200T2、RM50N200T7是丽正国际推出的三款N沟道功率MOSFET，分别采用TO-263、TO-220和TO-247封装，导通电阻RDS(ON)典型值均为28 mΩ。Tj=25°C时，RM50N200HD、RM50N200T2、RM50N200T7可以承受的漏源电压最大额定值为200V，栅源电压最大额定值为±20V。
新产品 发布时间 : 2019-11-20
【产品】60V/80A N沟道功率MOSFET BLM08N06，采用先进的沟槽技术，漏源导通电阻＜8.0mΩ
BLM08N06是上海贝岭推出的一款N沟道功率MOSFET， 漏源电压VDS=60V，连续漏极电流ID=80A，漏源导通电阻RDS(ON)＜8.0mΩ（VGS=10V），采用先进的沟槽技术，适用于电源开关应用、硬开关和高频电路、不间断电源。
新产品 发布时间 : 2022-05-12
【产品】40V/40A的N沟道增强型功率MOSFET RM40N40DF，采用DFN5X6-8L封装
RM40N40DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广适用于多种应用。
新产品 发布时间 : 2019-11-11
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论