【选型】单相在线式UPS推荐国产900V高压N沟道MOS TPW90R350A，大封装尺寸散热方便

时间： 2022-01-21 来源：世强

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客户单相在线式UPS新项目中MOSFET具有国产化需求，需要50W左右的辅助反激拓扑的开关电源，输出24V/3A。目前正在寻找一款高于800V，电流大于10A的高压MOS。笔者推荐无锡紫光微的TPW90R350A，它是一款900V、15A的高压N沟道MOSFET，具有低阻抗的超级结工业技术，且为大封装尺寸，便于散热。

TPW90R350A其主要参数如下：

其最大额定规格如下（25℃）：

从上面参数可以看出，VDS的耐受电压余量高达950V，且Qg比较小，容易设计驱动，导通阻抗最大350毫欧，可以有效降低导通阻抗；TO-247封装的体积大，散热快，耗散功率高达240W，便于热设计。而且无锡紫光微是国产品牌，交期短，供货好，值得推荐。

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无锡紫光微MOS选型表

无锡紫光微SJ-MOS,Multi-EPI SJ MOS,Trench MOS,DT MOS产品可供选型

产品型号	品类	Package	BVdss(V)	ID(A)Tc=25℃	Vth(V)min	Vth(V)max	Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp	Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
TPW50R060C	Super Junction MOSFET	TO-247	500	47	2.5	4	0.043	0.06

选型表 - 无锡紫光微立即选型

无锡紫光微SJ-MOSFET管选型表

无锡紫光微提供SJ-MOSFET管的参数选型，Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ：15.6~2000，Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max：18~2200。

产品型号	品类	Product State	封装形式	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max	BVdss（V） min	BVdss（V） typ	ID（A）	Vth（V）min	Vth（V）max	应用建议
TPW120R800A	SJ-MOSFET	M	TO-247	640	800	1200	1320	12	2.5	4	辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源

选型表 - 无锡紫光微立即选型

【产品】额定连续漏极电流为1A的N沟道MOSFET TMA11N70H，具有快速开关能力

无锡紫光微推出的N沟道MOSFET TMA11N70H，在TC=25℃时，其漏-源电压(VGS=0V)为700V，连续漏极电流为11A，耗散功率(TC=25℃)为70W，应用于开关电源、不间断电源、功率因数校正。

2023-02-28 - 产品代理服务技术支持批量订货

【产品】650V N沟道MOSFETT TMA/C/P/R12N65HG，单脉冲雪崩能量为352mJ

无锡紫光微电子的4款N沟道MOSFET：TMA12N65HG,TMC12N65HG,TMP12N65HG,TMR12N65HG 是VDMOSFET（即垂直双扩散场效应晶体管），具有更小的开关损耗和更快的开关速度，输入阻抗高，驱动功率小，频率特性好，并且具有负的温度系数。

2020-09-28 - 新产品代理服务技术支持批量订货

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无锡紫光微电子的5款N沟道MOSFET：TMA7N65HG、TMC7N65HG、TMD7N65HG、TMR7N65HG、TMU7N65HG是VDMOSFET（即垂直双扩散场效应晶体管），具有更小的开关损耗和更快的开关速度，输入阻抗高，驱动功率小，频率特性好，并且具有负的温度系数。

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无锡紫光微（UNIGROUP）推出650V N沟道MOSFET，100%通过雪崩测试，可应用于开关模式电源、不间断电源以及功率因数校正，工作结温及存储温度范围为-55~+150℃。

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【产品】500V/15A的N沟道MOSFET TMA15N50H，采用TO-220F封装

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TTB115N08A/TTP115N08A是无锡紫光微电子设计的N沟道MOSFET，符合RoHS标准，对人类健康和生态环境友好。其具有快速反向恢复时间、低RDS（ON）、等特点，多用于DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流。

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TMA10N60HF是无锡紫光微电子推出的一款采用TO-220F封装的N沟道MOSFET，该器件具有快速切换特性，且经过100%雪崩测试，可应用于开关模式电源（SMPS）、电机控制和功率因数校正（PFC）等领域，器件符合RoHS标准。

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【产品】900V N沟道MOSFET TMA3N90H、TMU3N90H，100%雪崩测试

无锡紫光微电子有限公司是由紫光同芯微电子有限公司投资的一家高新技术企业，是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业。无锡紫光微推出了TMA3N90H和TMU3N90H的VD MOSFET。分别采用TO-220F和TO-251的封装方式。

2019-10-25 - 新产品代理服务技术支持批量订货

【产品】漏源电压最大额定800V的N沟道MOSFET TMA10N80HG，具有输入阻抗高、驱动功率低、频率特性好等特点

TMA10N80HG是无锡紫光微电子推出的N沟道MOSFET，TC=25℃时，器件漏源电压最大额定值为800V（VGS=0V），持续漏极电流最大额定值为10A，耗散功率最大额定值为25W（TO-220F），栅-源电压最大额定值为±30V。

2022-11-08 - 产品代理服务技术支持批量订货

【产品】无锡紫光微N沟道MOSFET，漏源电压650V，漏极持续电流20A（TC=25ºC）

TMA20N65HG、TMW20N65HG 是两款无锡紫光微电子推出的650V N沟道MOSFET，其漏源电压均为650V，漏极持续电流20A（TC=25ºC），耗散功率最大120W，工作结温-55~+150℃，具有两种封装TO-220F和TO-247可供选择，采用VDMOSFET技术。可应用于开关模式电源、不间断电源、功率因数校正等领域。

2020-12-13 - 新产品代理服务技术支持批量订货

【产品】漏源电压650V，漏极电流7A的N沟道MOSFET，具有四种封装形式

TMA7N65HYG，TMP7N65HYG ，TMD7N65HYG和TMU7N65HYG是四款无锡紫光微电子推出的650V N沟道MOSFET，其漏源电压均为650V，漏极持续电流7A（TC=25ºC），耗散功率最大97W，工作结温-55~+150℃，具有四种封装TO-220F，TO-220，TO-252和TO-251可供选择，该款MOSFET具有开关速度快和开关损耗小，频率特性好的特点。

2020-11-28 - 新产品代理服务技术支持批量订货