【选型】单相在线式UPS推荐国产900V高压N沟道MOS TPW90R350A，大封装尺寸散热方便
客户单相在线式UPS新项目中MOSFET具有国产化需求，需要50W左右的辅助反激拓扑的开关电源，输出24V/3A。目前正在寻找一款高于800V，电流大于10A的高压MOS。笔者推荐无锡紫光微的TPW90R350A，它是一款900V、15A的高压N沟道MOSFET，具有低阻抗的超级结工业技术，且为大封装尺寸，便于散热。
TPW90R350A其主要参数如下：
其最大额定规格如下（25℃）：
从上面参数可以看出，VDS的耐受电压余量高达950V，且Qg比较小，容易设计驱动，导通阻抗最大350毫欧，可以有效降低导通阻抗；TO-247封装的体积大，散热快，耗散功率高达240W，便于热设计。而且无锡紫光微是国产品牌，交期短，供货好，值得推荐。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Michael提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】80V N沟道MOSFET TTB115N08A和TTP115N08A，连续漏极电流达115A
TTB115N08A/TTP115N08A是无锡紫光微电子设计的N沟道MOSFET，符合RoHS标准，对人类健康和生态环境友好。其具有快速反向恢复时间、低RDS（ON）、等特点，多用于DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流。
新产品 发布时间 : 2019-11-05
【产品】额定连续漏极电流为1A的N沟道MOSFET TMA11N70H，具有快速开关能力
无锡紫光微推出的N沟道MOSFET TMA11N70H，在TC=25℃时，其漏-源电压(VGS=0V)为700V，连续漏极电流为11A，耗散功率(TC=25℃)为70W，应用于开关电源、不间断电源、功率因数校正。
产品 发布时间 : 2023-02-28
【产品】150V N沟道MOSFET TMD02N15AT，TMU02N15AT，采用沟槽功率技术
无锡紫光微电子推出的N沟道MOSFET TMD02N15AT，TMU02N15AT，采用沟槽功率技术，具有低RDS(ON)，低栅极电荷等特点，漏源电压为150 V，结温和存储温度范围为-55 ºC至 175 ºC，可应用于DC / DC和AC / DC转换器中的同步整流，通信和工业中的隔离式DC / DC转换器等领域。
新产品 发布时间 : 2020-10-04
【产品】650V/6A的N沟道MOSFET TMA/C/D/P/U6N65H，可快速开关
无锡紫光微公司的650V N沟道MOSFET TMA6N65H，TMC6N65H，TMD6N65H，TMP6N65H，TMU6N65H具有快速开关的性能特点以及100%雪崩测试和改进的dv/dt功能，主要应用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）等领域。
新产品 发布时间 : 2020-08-12
【产品】无锡紫光微推出650V N沟道MOSFET，持续漏极电流为10A，工作结温及存储温度范围为-55~+150℃
无锡紫光微（UNIGROUP）推出650V N沟道MOSFET，100%通过雪崩测试，可应用于开关模式电源、不间断电源以及功率因数校正，工作结温及存储温度范围为-55~+150℃。
产品 发布时间 : 2023-01-31
【产品】漏源电压200V的N沟道MOSFET，漏极电流40A，RDS仅为50mΩ
无锡紫光微电子推出的TMA40N20HG是一款N沟道MOSFET，其漏源电压200V，采用专有的新平面技术以及快速恢复体二极管，该MOSFET的RDS（ON）在VGS = 10V时典型值仅为50mΩ，其低栅极电荷可将开关损耗降至最低。产品主要应用于DC-DC转换器、UPS用DC-AC逆变器、开关电源和电机控制等领域。
新产品 发布时间 : 2020-11-23
【产品】650V N沟道MOSFETT TMA/C/D/R/U7N65HG，开关速度快
无锡紫光微电子的5款N沟道MOSFET：TMA7N65HG、TMC7N65HG、TMD7N65HG、TMR7N65HG、TMU7N65HG是VDMOSFET（即垂直双扩散场效应晶体管），具有更小的开关损耗和更快的开关速度，输入阻抗高，驱动功率小，频率特性好，并且具有负的温度系数。
新产品 发布时间 : 2020-08-01
【产品】切换速度快的N沟道MOSFET TMA10N60HF，耗散功率最大值为65W
TMA10N60HF是无锡紫光微电子推出的一款采用TO-220F封装的N沟道MOSFET，该器件具有快速切换特性，且经过100%雪崩测试，可应用于开关模式电源（SMPS）、电机控制和功率因数校正（PFC）等领域，器件符合RoHS标准。
产品 发布时间 : 2022-12-09
【产品】68V N沟道MOSFET TTB95N68A/TTD95N68A/TTP95N68A，漏源导通电阻＜7.5mΩ
无锡紫光微电子有限公司是紫光集团旗下半导体产业链中的核心企业之一，专注于先进半导体功率器件的研发和销售。TTB95N68A、TTD95N68A和TTP95N68A是无锡紫光微电子推出的68V N沟道MOSFET，其中TTB95N68A采用TO-263封装，TTD95N68A采用TO-252封装，TTP240N03GT采用TO-220封装。
新产品 发布时间 : 2019-10-27
【产品】800V/10A的N沟道MOSFET TMA10N80H，TO-220F封装，耗散功率25W
TMA10N80H是无锡紫光微电子推出的漏源电压800V，连续漏极电流10A的N沟道MOSFET，TO-220F封装，开关速度快，dv/dt能力强，适用于开关电源等应用。
新产品 发布时间 : 2020-09-25
【产品】漏源电压最大额定800V的N沟道MOSFET TMA10N80HG，具有输入阻抗高、驱动功率低、频率特性好等特点
TMA10N80HG是无锡紫光微电子推出的N沟道MOSFET，TC=25℃时，器件漏源电压最大额定值为800V（VGS=0V），持续漏极电流最大额定值为10A，耗散功率最大额定值为25W（TO-220F），栅-源电压最大额定值为±30V。
产品 发布时间 : 2022-11-08
【产品】650V N沟道MOSFETT TMA/C/P/R12N65HG，单脉冲雪崩能量为352mJ
无锡紫光微电子的4款N沟道MOSFET：TMA12N65HG,TMC12N65HG,TMP12N65HG,TMR12N65HG 是VDMOSFET（即垂直双扩散场效应晶体管），具有更小的开关损耗和更快的开关速度，输入阻抗高，驱动功率小，频率特性好，并且具有负的温度系数。
新产品 发布时间 : 2020-09-28
【产品】1000V/4A的N沟道MOSFET TMA/P4N100H，封装为TO-220/TO-220F
无锡紫光微电子推出的1000V/4A的N沟道MOSFET TMA4N100H和TMP4N100H，封装为TO-220/TO-220F，主要应用在开关电源(SMPS)；不间断电源(UPS)；功率因数校正(PFC)中，工作结温和存储温度范围为-55℃~+150℃。
新产品 发布时间 : 2020-03-15
【产品】采用TO-220F封装的N沟道MOSFET TMA10N40H，最大漏-源电压400V
TMA10N40H是无锡紫光微电子推出的一款采用TO-220F封装的N沟道MOSFET，TC=25℃时，器件漏-源电压最大额定值为400V，持续漏极电流最大额定值为10A，耗散功率最大额定值为63W，栅-源电压最大额定值为±30V。
产品 发布时间 : 2022-11-06
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论