EPC Announces New eGaN Transistors and Integrated Circuits for Demanding Space Applications

时间： 2021-07-09 来源：EPC

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Radiation-Hardened Enhancement-Mode Gallium Nitride Transistors,eGaN Transistors,radiation-hardened gallium nitride integrated circuits,eGaN integrated circuits

EL SEGUNDO, Calif.— June 2021 — EPC announces the introduction of a new family of radiation-hardened gallium nitride transistors and integrated circuits. With higher breakdown strength, faster-switching speed, higher thermal conductivity, and lower on-resistance, power devices based on GaN significantly outperform silicon-based devices. The lower resistance and gate charge enable faster power supply switching frequencies resulting in higher power densities, higher efficiencies, and more compact and lighter weight circuitry for critical spaceborne missions. Gallium nitride is also inherently radiation tolerant, making GaN-based devices a reliable, higher-performing power transistor option for space applications.

Applications benefiting from the performance and fast deployment of these products include power supplies for satellites and mission equipment, light detection and ranging (lidar) for robotics and autonomous navigation and rendezvous docking, motor drives for robotics and instrumentation, and ion thrusters for satellite orientation and positioning, as well as interplanetary propulsion of low-mass robotic vehicles.

The EPC7014, a 60 V, 340 mΩ, 4 APulsed, rad-hard eGaN^® FET in a tiny 0.81 mm2 footprint, is the first in what will be a wide-range family of rad-hard transistors and integrated circuits. The EPC7014 has a total dose rating greater than 1 Mrad and SEE immunity for LET of 85 MeV/(mg/cm2). These devices are offered in a chip-scale package, the same as the commercial eGaN FET and IC family. Packaged versions will be available from EPC Space.

"EPC's GaN technology enables a new generation of power conversion and motor drives in space operating at higher frequencies, higher efficiencies, and greater power densities than ever achievable before," said Alex Lidow, CEO, and co-founder of EPC, "We are excited about this technology's ability to provide mission-critical components space and high-reliability markets."

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本文由董慧转载自EPC，原文标题为:EPC Announces New Family of Radiation-Hardened Enhancement-Mode Gallium Nitride (eGaN) Transistors and Integrated Circuits for Demanding Space Applications，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

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本文介绍了eGaN®技术在直流无刷电机（BLDC）应用中的优势，尤其是在工业自动化、汽车制造和医疗设备领域的应用。eGaN® FET相比传统硅基MOSFET具有更高的开关速度、更低的开关损耗和更小的噪声，适用于线性电机、伺服电机、机器人驱动器等。文章还提供了EPC公司推荐的eGaN® FET器件型号及其配置参数。

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本文介绍了eGaN®技术在直流无刷电机（BLDC）中的应用，尤其是在工业和汽车领域的应用。eGaN® FET相比传统硅基MOSFET具有更高的开关速度、更低的开关损耗和噪声，适用于工业自动化、工厂传送带、机器人、汽车电机和医疗设备等领域。文章强调了eGaN®技术在提高电机效率、减小转矩纹波和降低噪声方面的优势。

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面向直流无刷（BLDC)电机的eGaN® FET 及集成电路

该资料主要介绍了eGaN®技术在直流无刷电机（BLDC）中的应用，特别是在工业和汽车领域的应用。eGaN® FET相比传统硅基MOSFET具有更高的开关速度、更低的开关损耗和噪声，适用于工业自动化、工厂传送带、机器人、汽车电机和医疗设备等领域。资料强调了eGaN®技术在提高电机效率、减小转矩纹波和降低噪声方面的优势。

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面向直流无刷（BLDC）电机的eGaN® FET 及集成电路

本文介绍了eGaN®技术在直流无刷电机（BLDC）应用中的优势，尤其是在工业自动化和汽车制造领域。与传统的硅基MOSFET相比，eGaN FET具有更高的开关速度、更低的开关损耗和更小的尺寸，适用于工业机械人和汽车电机等应用。文章还提供了EPC公司推荐的eGaN FET器件型号和配置，以及相关的设计资源和视频教程。

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本文介绍了eGaN®技术及其在直流无刷（BLDC）电机中的应用。eGaN® FET在开关速度、电流噪声、转矩纹波控制等方面具有显著优势，适用于工业自动化、机器人、汽车和医疗设备等领域。文章还提供了eGaN® FET器件的详细规格和推荐配置，以及相关设计资源和出版书刊。

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面向直流无刷（BLDC）电机的eGaN® FET 及集成电路

本文介绍了eGaN®技术在直流无刷（BLDC）电机领域的应用，包括其在工业自动化、工业机械人、汽车应用以及医护手术机械人等领域的优势。文章重点介绍了eGaN® FET在提高开关速度、降低电流噪声、实现精确控制等方面的优势，并提供了相关器件型号和配置信息。此外，还提供了设计资源和出版书刊，以帮助读者深入了解eGaN®技术的应用。

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2018/01/02 - 技术文档代理服务技术支持采购服务

EPC2306–增强型功率晶体管eGallium Nitrium®FET数据表

本资料介绍了EPC2306增强型功率晶体管，一款基于氮化镓（Gallium Nitride）技术的器件。该晶体管具有极低的导通电阻RDS(on)，适用于高频开关应用，同时提供低QG和零QRR，适合于高频率和高效率转换需求。

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July, 2024 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

EPC2121–双向镓氮®功率开关镓氮®FET规格书

本资料为EPC2121双向eGaN®功率开关的数据表，介绍了该器件的性能参数、特性及应用。EPC2121采用氮化镓技术，具有低导通电阻、高频率切换能力等特点，适用于多种电源转换应用。

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August 2024 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

面向无人机的eGaN® FET和IC应用简介

本文介绍了eGaN® FET和IC在无人机应用中的优势，包括激光雷达/飞行时间、DC/DC电源供电和BLDC电机驱动。eGaN器件具有尺寸小、开关损耗小、无反向恢复、高开关频率等特性，适用于无人机的高效、轻量化设计。文中详细列出了适用于无人机应用的eGaN器件型号、配置和特性，包括激光雷达驱动器、电机驱动器和电源转换器件等。

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2023/11/29 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务查看更多版本

面向无人机的eGaN® FET和IC 应用简介

本文介绍了eGaN® FET和IC技术在无人机应用中的优势，包括激光雷达/飞行时间、DC/DC电源供电和BLDC电机驱动。eGaN器件具有尺寸小、开关损耗小、无反向恢复、高开关频率等特性，适用于无人机的高效、轻量化设计。文章还列举了适用于无人机应用的eGaN器件型号和配置，以及相关开发板信息。

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2023/10/14 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务

面向无人机的eGaN® FET和IC 应用简介

本文介绍了eGaN® FET和IC技术在无人机应用中的优势，包括激光雷达/飞行时间、DC/DC电源供电和BLDC电机等方面。eGaN器件具有尺寸小、开关损耗小、无反向恢复、高开关频率等特性，适用于无人机的高效、轻量化设计。文章还列举了适用于无人机应用的eGaN器件型号和配置，以及相关技术参数。

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2023/1/10 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务

面向无人机的eGaN® FET和IC应用简介

EPC - 开发板,氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS,EGAN® ICS,EGAN®集成电路,双向1/16砖型评估模块,激光驱动器,三相BLDC电机驱动器,激光驱动器IC,EPC2212,EPC2214,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2019,EPC9126,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC2055,EPC9040,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2302,EPC2001C,EPC2103,EPC2106,EPC2304,EPC2105,EPC2306,EPC2021,EPC9057,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9055,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC90146,EPC90147,EPC9091,EPC9006C,EPC2034C,EPC2014C,EPC2039,EPC2071,EPC23101,EPC23102,EPC9144,EPC90140,EPC2152,EPC9146,EPC9126HC,EPC90132,EPC9005C,EPC2203,EPC9048C,EPC2204,EPC2207,EPC9038,EPC9039,EPC2007C,EPC2040,EPC9034,EPC9078,EPC9156,EPC21603,EPC9035,EPC2045,EPC21601,EPC9037,EPC9151,EPC90123,EPC90120,EPC9154,EPC90124,EPC9150,激光雷达,BLDC电机,工业用无人机,飞行时间,DC/DC电源供电

2022/12/13 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务

面向无人机的eGaN® FET和IC应用简介

该资料介绍了面向无人机应用的eGaN® FET和IC技术，包括推荐器件型号、配置参数、封装尺寸和开发板信息。资料详细列出了不同型号器件的VDS、RDS(on)、QG、QGS、QGD、QOSS、QRR、CISS、COSS、CRSS、ID、Pulsed ID、TJ、封装尺寸等关键参数，并提供了相关产品的链接和开发板信息。此外，资料还介绍了ePower™功率级和eToF™激光驱动器IC的相关信息。

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2022/8/10 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务

面向无人机的eGaN® FET和IC 应用简介

该资料主要介绍了面向无人机应用的eGaN® FET和IC技术，包括其技术特点、推荐器件型号配置、性能参数以及相关开发板信息。资料详细列出了不同型号器件的VDS、RDS(on)、QG、QGS、QGD、QOSS、QRR、CISS、COSS、CRSS、ID、Pulsed ID、封装尺寸等关键参数，并提供了相应的开发板链接。

EPC - 砖型评估模块,开发板,氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FET,IC,ETOF™激光驱动器IC,三相BLDC电机驱动器,集成电路,电机驱动器,EPC2212,EPC2214,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2019,EPC9126,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC2055,EPC9040,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2302,EPC2103,EPC2001C,EPC2106,EPC2105,EPC2021,EPC9057,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC90142,EPC9055,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC90146,EPC9091,EPC9006C,EPC2034C,EPC2014C,EPC2039,EPC2071,EPC23101,EPC9144,EPC2152,EPC9146,EPC9126HC,EPC90132,EPC9005C,EPC2203,EPC9048C,EPC2204,EPC2207,EPC9038,EPC2007C,EPC9039,EPC2040,EPC9034,EPC9078,EPC9035,EPC21603,EPC9156,EPC2045,EPC9037,EPC21601,EPC9151,EPC90123,EPC90120,EPC9154,EPC90124,EPC9150,激光雷达,BLDC电机,无人机,DC/DC电源供电

2022/5/6 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务

egallium氮化物®FET安全工作区

本文探讨了功率器件的安全工作区域（SOA）及其对器件性能的影响。文章重点介绍了 Efficient Power Conversion（EPC）公司生产的 eGaN FET® 的 SOA 特性，分析了其热导率和温度系数对 SOA 的影响。文章通过实验数据和理论计算，展示了 eGaN FET® 在高功率应用中的优越性能，并与其他功率 MOSFET 进行了比较。

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2020 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务查看更多版本

egallium氮化物®FET安全工作区

本文介绍了功率eGaN FET的SOA（安全工作区）特性，强调了其正温度系数在整个工作范围内，使得器件在高温下仍能保持良好的电流承载能力。与传统的MOSFET相比，eGaN FET在高温下不会出现电流集中现象，从而提高了SOA性能。文章通过理论计算与实际测量结果进行对比，验证了eGaN FET在提高SOA性能方面的优势。

EPC - EGAN FET,氮化镓场效应晶体管

September 2012 - 技术文档代理服务技术支持采购服务

egallium氮化物®FET安全工作区

本文探讨了功率器件的安全工作区域（SOA）及其对器件性能的影响。文章首先介绍了传统功率MOSFET在高温下的热失控问题，并指出其SOA性能受限于负温度系数。随后，文章介绍了EPC公司的氮化镓（GaN）FET技术，该技术具有正温度系数，能够在整个工作范围内保持良好的SOA性能。文章通过实验数据和图表展示了EPC GaN FET的SOA特性，并与其他MOSFET进行了比较，证明了GaN FET在提高功率转换效率方面的优势。

EPC - EGAN FET,氮化镓场效应晶体管

2017/06/16 - 技术文档代理服务技术支持采购服务

EPC Announces EPC9193 eGaN® FET Based 3-Phase BLDC Motor Drive Inverter for Low-Cost E-Bikes, Drones and Robotics

EPC announces the availability of the EPC9193, a 3-phase BLDC motor drive inverter using the EPC2619 eGaN® FET. The EPC9193 operates with a wide input DC voltage ranging from 14V and 65V, and it enhances motor system performance, range, precision, torque, all while lowering overall system cost.

2024-03-29 - 产品代理服务技术支持采购服务

EPC2901C_55–增强型功率晶体管eGallium Nitrium®FET规格书

本资料详细介绍了EPC2901C_55型号的eGaN® FET（增强型场效应晶体管）的特性和应用。该器件采用氮化镓技术，具有低导通电阻、高开关频率和低开关损耗，适用于高频DC-DC转换、工业自动化、同步整流和低电感电机驱动等领域。

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March 2024 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

EPC 29215_55–增强型功率晶体管氮化镓®FET规格书

本资料详细介绍了EPC29215-55型号的eGaN® FET功率晶体管。该晶体管采用氮化镓技术，具有低导通电阻、高开关频率和低开关损耗等特点，适用于高效能转换应用。

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March 2024 - 数据手册代理服务技术支持采购服务