【应用】P沟道增强型功率MOSFET HM9435B可用于负载开关，栅极阈值电压典型值低至-0.7V
在电路设计中，负载开关是非常重要的组成部分，负载开关通常由一个开关电路和一个控制电路组成，用于控制电路中的负载电流。负载开关可以用来控制各种类型的负载，例如灯、电机、加热器等等。负载开关的性能可以影响产品能耗以及负载寿命，因此负载开关器件选型很重要，MOSFET常用作负载开关器件，其选型有哪些注意事项呢？
负载开关的工作效率要高，功率损耗要低，因此MOSFET的导通电阻要小。MOSFET栅极阈值电压越低，就可以用比较低的驱动电压驱动MOSFET工作，从而可以简化驱动电路，降低负载开关成本。负载开关尺寸要小，这样便于集成在产品中，因此MOSFET尺寸要小。
笔者比较推荐虹美功率半导体推出的P沟道增强型功率MOSFET HM9435B，其工作结温范围宽至-55到150℃。VGS=-4.5V, ID=-4A，环境温度25℃时，其漏源导通电阻典型值仅为64mΩ，耗散功率约等于漏源导通电阻乘以负载电流的平方，温升一定时，漏源导通电阻越小，允许通过的负载电流就越大，HM9435B的低漏源导通电阻可以增强负载开关的通流能力，提高负载开关的工作效率。
环境温度25℃，VDS=VGS ,ID=-250μA时，HM9435B栅极阈值电压典型值仅为-0.7V，这意味着可以不用升压驱动电路来驱动HM9435B工作，大大简化了负载开关驱动电路，减少了电路的元器件数量，降低了负载开关成本。
HM9435B采用SOP-8贴片封装，相比插件封装，占用线路板面积小，有利于集成在产品中。HM9435B可使用SMT贴片工艺，提高了生产效率，降低了负载开关成本。
虹美功率半导体推出的P沟道增强型功率MOSFET HM9435B漏源导通电阻小，栅极阈值电压低，采用SOP-8贴片封装，可以增强负载开关的通流能力，提高负载开关的工作效率，降低了负载开关成本，非常适合作为负载开关器件。
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产品型号
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品类
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工艺
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沟道(Polarity)
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封装
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VDS(Max) (BVDSS(V))
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ID(Max) (A)
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IDM (A)
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VTH (Typ) (V)
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VGS (V)
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RDS(ON) @-4.5VTyp (mΩ)
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RDS(ON) @-2.5VTyp (mΩ)
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HM2301
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P沟道低压MOS
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沟槽工艺(Trench)
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P沟道
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SOT23
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-20V
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-3.0A
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-10A
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-0.65V
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-12V
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64mΩ
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89mΩ
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