【应用】P沟道增强型功率MOSFET HM9435B可用于负载开关，栅极阈值电压典型值低至-0.7V
在电路设计中，负载开关是非常重要的组成部分，负载开关通常由一个开关电路和一个控制电路组成，用于控制电路中的负载电流。负载开关可以用来控制各种类型的负载，例如灯、电机、加热器等等。负载开关的性能可以影响产品能耗以及负载寿命，因此负载开关器件选型很重要，MOSFET常用作负载开关器件，其选型有哪些注意事项呢？
负载开关的工作效率要高，功率损耗要低，因此MOSFET的导通电阻要小。MOSFET栅极阈值电压越低，就可以用比较低的驱动电压驱动MOSFET工作，从而可以简化驱动电路，降低负载开关成本。负载开关尺寸要小，这样便于集成在产品中，因此MOSFET尺寸要小。
笔者比较推荐虹美功率半导体推出的P沟道增强型功率MOSFET HM9435B，其工作结温范围宽至-55到150℃。VGS=-4.5V, ID=-4A，环境温度25℃时，其漏源导通电阻典型值仅为64mΩ，耗散功率约等于漏源导通电阻乘以负载电流的平方，温升一定时，漏源导通电阻越小，允许通过的负载电流就越大，HM9435B的低漏源导通电阻可以增强负载开关的通流能力，提高负载开关的工作效率。
环境温度25℃，VDS=VGS ,ID=-250μA时，HM9435B栅极阈值电压典型值仅为-0.7V，这意味着可以不用升压驱动电路来驱动HM9435B工作，大大简化了负载开关驱动电路，减少了电路的元器件数量，降低了负载开关成本。
HM9435B采用SOP-8贴片封装，相比插件封装，占用线路板面积小，有利于集成在产品中。HM9435B可使用SMT贴片工艺，提高了生产效率，降低了负载开关成本。
虹美功率半导体推出的P沟道增强型功率MOSFET HM9435B漏源导通电阻小，栅极阈值电压低，采用SOP-8贴片封装，可以增强负载开关的通流能力，提高负载开关的工作效率，降低了负载开关成本，非常适合作为负载开关器件。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由叫我大表哥吧提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】连续漏极电流达-4.1A的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407，适用于负载开关及PWM应用
上海贝岭推出的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407系列，器件采用先进的沟槽工艺技术，提供出色的漏源导通电阻RDS(ON)，低栅极电荷以及低至4.5V的栅极电压等特性，器件适用于负载开关及PWM应用领域。
产品 发布时间 : 2023-07-04
【产品】-20V/-2.6A P沟道增强型功率MOSFET RM2301E，采用SOT-23封装
丽正国际推出的RM2301E是一款P沟道增强型功率MOSFET，该器件采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）性能以及极低的栅极电荷，同时可以在低至2.5V的栅极电压下运行，非常适合用于负载开关或PWM应用。在环境温度为25°C时，RM2301E可以承受的漏源电压最大额定值为-20V，栅源电压最大额定值为±10V，可以承受漏极连续电流最大额定值为-2.6A。
新产品 发布时间 : 2019-11-02
【产品】-20V/-4.1A P沟道增强型功率MOSFET RM2305C
RM2305C是丽正国际推出的一款采用SOT-23封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，栅极电压低至2.5V，适用于负载开关或PWM应用。
新产品 发布时间 : 2019-11-23
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论