【产品】森国科广泛用于“光、风、储、充、荷“的1200V碳化硅二极管系列产品,导通电阻低,开关损耗小,适用于中高压系统
深圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS®1200V碳化硅二级管,涵盖了10A、15A、20A、30A、40A、50A系列等数十款型号,相比Si器件,碳化硅肖特基二极管具有导通电阻低,开关损耗小的特点,完美满足中高压系统的需求,成为了光伏逆变器、风能逆变器、储能双向逆变器、充电桩模块、大功率工业电源、车载充电机等领域客户的不二选择,碳化硅功率器件的使用对于能源领域朝着轻量化、节能低碳化的转型升级也具有重要的意义。
碳化硅作为第三代宽禁带半导体的代表性材料之一,与传统Si基材料相比,其电子饱和漂移速率是硅的2倍,更加适合在高频电路中使用;热导率相当于Si的3倍,因而散热效果更佳,可靠性更高;SiC材料的临界击穿场强能力高达硅的10倍之多,可使器件更加耐高压;禁带宽度上来说,SiC材料是Si材料的3倍,使其具备了低漏电的优异性能。
此外,经过多轮测试与验证,森国科1200V碳化硅二级管拥有强大的抗浪涌冲击能力、抗雪崩能力,强健性和鲁棒性。较高的热性能降低了对冷却系统的需求,同时由于反向恢复时间短,可降低电磁干扰的问题。在"风、光、储、充、荷"等领域常用的电路可参考:
交错并联PFC: D5, D6:可以减小输入电流纹波和输出电容纹波电流的有效值,并提升电路的功率等级。
维也纳(VIENNA)PFC:具有谐波含量低、功率因数高、动态性能良好的特性。
IGBT续流二极管:降低开关损耗,增大开关频率。
森国科深耕集成电路领域多年,目前已与国内外多家著名的FAB厂达成紧密的合作关系。秉承着“做最合适的功率器件”的理念,致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品,助力来自新能源汽车、充电桩、光伏逆变器、OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求,持续赋能低碳发展。
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产品型号
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品类
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封装形式Package
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阻断电压 Vr(V)
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额定电流IF(A)
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总功耗Ptot(W)
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正向电压Vf(V)
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最高结温℃
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Generation
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KS02065-I
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碳化硅二极管
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SMA
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650V
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2A
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13.5W
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1.4V
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175℃
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第五代
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选型表 - 森国科 立即选型
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型号- KS08065-T,KS20065-A2,KS30065-A2,KS40120-C2,KS10065-E1,KS50120-C2,KS10065-E,KS20065-E2,KS40065-A2,KS20120-A,KS04120-B,KS20120-C,KS02065-I,KS04120-A,KS10065-T,KS10065-N,KS04065-B1,KS15065-C,KS15065-A,KS16120-R2,KS30120-C2,KS06120-T,KS08120-A,KS20065-R,KS06065-D,KS16065-A2,KS30120-AI,KS06065-E,KS06065-F,KS08120-B,KS08120-C,KS06065-A,KS06065-B,KS02120-A,KS10120-B,KS30120-R2,KS10120-A,KS02120-B,KS02120-B1,KS10120-C,KS20065-R2,KS40065-R2,KS04065-Q,KS04065-T,KS06065-AI,KS15120-C,KS04065-A,KS30065-C2,KS04065-D,KS04065-B,KS06065-B1,KS04065-I,KS15120-A,KS20065-A,KS10120-E,KS16065-R2,KS20065-C,KS06065-T,KS02120-I,KS12065-A,KS06065-Q,KS08065-E1,KS10120-E1,KS06120-A,KS06065-N,KS06120-B,KS20120-E1,KS20120-R2,KS02065-A,KS08065-D,KS08065-B,KS40120-R2,KS02065-B,KS08065-A,KS30065-R2,KS20120-R,KS10065-B,KS10065-A,KS20120-E,KS10065-D,KS10065-AI,KS12120-R2
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