【产品】采用先进沟槽技术的无铅N沟道增强型MOSFET AP3400D，漏源电压最大额定值为30V
铨力半导体推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET——AP3400D，采用先进的沟槽技术，漏源电压最大额定值为30V，连续漏极电流最大额定值为5.8A（Ta=25℃），无铅产品，适用于接口开关、负载开关、电源管理等应用。
特点
漏源电压VDS=30V，连续漏极电流ID=5.8A
漏源导通电阻RDS(ON)<28mΩ@VGS=10V（典型值为23mΩ）
漏源导通电阻RDS(ON)<33mΩ@VGS=4.5V（典型值为26mΩ）
漏源导通电阻RDS(ON)<46mΩ@VGS=2.5V（典型值为39mΩ）
采用先进的沟槽技术
无铅产品
应用
接口开关
负载开关
电源管理
绝对最大额定值参数（Ta=25℃，除非特别说明）:
电气参数(Ta=25℃，除非特别说明)
注：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
3.表面贴装在FR4板，t≤10s
封装标识及订购信息
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