【产品】超低导通电阻的增强型功率晶体管，典型值仅12mΩ

时间： 2018-06-10 来源：EPC

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EPC2014C系列增强型功率晶体管，是基于增强型氮化镓的功率管理器件领先供应商EPC（宜普电源转换公司）推出的。EPC2014C系列增强型功率晶体管具有超高效率跟超小尺寸的优点，R_DS(on)的典型值仅为12mΩ（V_GS= 5V、I_D=10A），V_DS=20V、V_GS=5V、I_D=10A时总闸极电荷的典型值极低，仅为2nC。同时产品的Q_RR为0，因此具有在较少工作时间中处理高转换频率的任务能力，应用在一些主要在开态时具有能量损失的装置中更具优势。产品最适用于高频DC-DC转换、D类音频、高频硬开关和软开关电路等领域。

EPC2014C系列增强型功率晶体管的最大额定参数：

参数	条件	最大值
漏源电压V_DS	连续的	40V
漏源电压V_DS	125℃、最高10000 5ms脉冲	48V
漏源电流I_D	连续的（T_A=25℃、R_JA=43）	10A
漏源电流I_D	脉冲（25℃、T_PULSE = 300 µs）	60A
栅源电压V_GS		6V
栅源电压V_GS		-4V
操作温度T_J		-40~150℃
储存温度T_STG		-40~150℃

EPC2014C系列增强型功率晶体管的热性能参数：

参数	典型值
与机箱相连处的热阻抗R_θJC	3.6℃/W
与板相连处的热阻抗R_θJB	9.3℃/W
与环境相连处的热阻抗R_θJA	80℃/W

注意：在FR4上安装了单层2盎司的铜，并将其安装在一平方英寸铜垫上，由此测定的R_θJA

当T_J=25℃（除特殊说明外）时，EPC2014C系列增强型功率晶体管的静态参数：

参数	条件	最小值	典型值	最大值
漏源电压BV_DSS	V_GS=0V I_D=125µA	40V
漏源漏电流I_DSS	V_DS =32V V_GS=0V		50µA	100µA
栅源正向漏电流I_GSS	V_GS=5V		0.4mA	2mA
栅源反向漏电流I_GSS	V_GS=-4V		50µA	100µA
栅源阈值电压V_GS（TH）	V_GS =V_DS I_D=2mA	0.8V	1.4V	2.5V
漏源导通电阻R_DS(on)	V_GS=5V I_D=10A		12mΩ	16mΩ
漏源正向电压V_SD	I_S=0.5A V_GS =0V		1.8V

EPC2014C系列增强型功率晶体管的动态参数：

参数	条件	典型值	最大值
输入电容C_ISS	V_DS=20V V_GS =0V	220pF	300pF
反向转换电容C_RSS		6.5pF	9.5pF
输出电容C_OSS		150pF	210pF
总闸极电荷Q_G	V_DS =20V V_GS=5V I_D=10A	2nC	2.5nC
漏源恢复电荷Q_RR		0nC

EPC2014C系列增强型功率晶体管尺寸图、电路图、连接盘模式和封装结构图：

图1 EPC2014C系列增强型功率晶体管尺寸图

图2 EPC的EPC2014C系列增强型功率晶体管电路图

图3 EPC的EPC2014C系列增强型功率晶体管推荐连接盘模式图

图4 EPC的EPC2014C系列增强型功率晶体管封装结构图

EPC2014C系列增强型功率晶体管突出特点与优势

·超高效率

·超低R_DS(on)

·超低Q_G

·超小尺寸

EPC2014C系列增强型功率晶体管应用领域

·高频DC-DC转换

·D类音频

·高频硬开关和软开关电路

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太皇太后有喜啦 Lv4. 资深工程师 2018-11-17

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EPC eGaN®FET/晶体管选型表

EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V

Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS

Enhancement Mode Power Transistor

选型表 - EPC 立即选型

EPC2302–增强型功率晶体管数据表

描述- 该资料介绍了EPC2302增强型功率晶体管，这是一种低导通电阻（1.8 mΩ max）的100V eGaN® 功率晶体管，采用3 x 5 mm QFN封装，具有暴露顶部的散热设计。适用于高频DC-DC转换和48V BLDC电机驱动应用。

型号- EPC2302

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EPC2302–增强型功率晶体管数据表

描述- 该资料介绍了EPC2302增强型功率晶体管，是一款低导通电阻（1.8 mΩ max）的100V eGaN®功率晶体管。它采用3 x 5 mm QFN封装，具有暴露顶部以实现优异的热管理。适用于高频DC-DC转换和48V BLDC电机驱动应用。

型号- EPC2302

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EPC2302–增强型功率晶体管数据表

描述- 该资料介绍了EPC2302增强型功率晶体管，一款低导通电阻（RDS(on)最大为1.8 mΩ）的100V eGaN®功率晶体管。它采用3x5mm QFN封装，具有暴露顶部的散热设计，适用于高频DC-DC转换和48V BLDC电机驱动应用。EPC2302的特点包括高效率、无反向恢复、超低QG和小尺寸，使其在提高功率密度和降低开关损耗方面表现出色。

型号- EPC2302

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EPC2302–增强型功率晶体管数据表

描述- 该资料介绍了EPC2302增强型功率晶体管，这是一种低导通电阻（RDS(on)最大为1.8毫欧）的100伏eGaN®功率晶体管。它采用3x5毫米QFN封装，具有暴露顶部以实现优异的热管理。适用于高频DC-DC转换和48V BLDC电机驱动器应用。

型号- EPC2302

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EPC2307–增强型功率晶体管数据表

描述- 本资料详细介绍了EPC2307增强型功率晶体管，一款基于氮化镓（Gallium Nitride）技术的功率器件。该器件具有极低的导通电阻（RDS(on)），适用于高频开关应用，同时具备低开关损耗和零反向恢复损耗的特点。资料中提供了产品的主要参数、特性、应用领域以及封装信息。

型号- EPC2307

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EPC2304–增强型功率晶体管数据表

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型号- EPC2304

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EPC2207–增强型功率晶体管

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型号- EPC2207

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EPC2934C–增强型功率晶体管eGallium Nitrium®FET规格书

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型号- EPC2934C

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描述- 本资料介绍了EPC2088增强型功率晶体管，一款基于氮化镓（GaN）技术的器件。该晶体管具有极低的导通电阻和优异的热性能，适用于高效率电源转换应用。

型号- EPC2088

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EPC2034C–增强型功率晶体管数据表

描述- 本资料为EPC2034C增强型功率晶体管的数据表，介绍了该产品的技术规格、特性、应用领域和封装信息。资料涵盖了最大额定值、静态特性、动态特性、热特性和封装尺寸等内容。

型号- EPC2034C

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型号- EPC2019

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型号- EPC2016C

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EPC2302–增强型功率晶体管

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型号- EPC2302

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EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型，最大耐压15V-350V，持续电流0.5A-90A，导通阻抗1.45Ω-3300mΩ，导通电荷0.044nC-19nC，峰值电流0.5A-590A。

产品型号	品类	最大耐压（V）	持续电流(A)	导通阻抗(mΩ)	导通电荷(nC)	峰值电流(A)	封装（mm)
EPC2040	Enhancement Mode Power Transistor	15V	3.4A	30mΩ	0.745nC	28A	BGA 0.85 mm*1.2mm