【产品】漏电流小于100μA的SB12HXX肖特基势垒二极管，适用于极性保护、续流二极管等领域

时间： 2019-06-12 来源：Diotec

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DIOTEC致力于半导体二极管和整流器的研发生产，具备成套的专项技术，拥有从晶圆和芯片的生产到组装测试和封装一整条产线。Diotec推出的SB12H30系列（SB12H30、SB12H40）肖特基势垒二极管，具有较低的正向压降，较高的正向浪涌电流与极低的反向漏电流，主要适用于太阳能旁路二极管、极性保护、续流二极管等领域。

图一.产品尺寸

SB12HXX系列（SB12H30、SB12H40）肖特基势垒二极管的反向重复峰值电压（V_RRM）为SB12H30-30V，SB12H40-40V。最大反向峰值电压为（V_RSM）为SB12H30-30V，SB12H40-40V。负载条件下最大平均正向电流（I_FAV）为12A（T_A=50℃）；f>15Hz时重复峰值正向电流（I_FRM）为55A，在50Hz（10ms）和60Hz（8.3ms）的正弦半波下，正向浪涌峰值电流分别为250A和285A，高正向浪涌峰值电流能够有效保护电路确保器件的稳定工作。该系列产品详细参数如下图。

图二.产品参数1

在结温（T_j）为25℃时，该系列肖特基势垒二极管的漏电流（I_R）小于100μA（V_R=V_RRM），结温（T_j）为125℃时漏电流（I_R）小于15mA（V_R=V_RRM）,极低的漏电流可以有效地降低器件在实际操作过程中产生发热现象的概率，避免器件的运作与效率受到影响。该系列产品结电容典型值均为400pF。

图三.产品参数2

当正向电流（I_FAV）为5A，结温（T_j）为25℃时，SB12H30、SB12H40的正向压降（V_F）均为小于0.51V，当正向电流（I_FAV）为12A，结温（T_j）为25℃时，SB12H30、SB12H40的正向压降（V_F）均为小于0.59V，较低的正向压降与极低的漏电流强有效地降低了运行损耗，同时也易于驱动。

图四.产品参数3

SB12HXX系列肖特基势垒二极管的结温范围为-50℃~200℃，存储温度范围为-50℃~175°C，结至环境热阻（R_thA）小于14K/W，结至引线热阻（R_thL）小于4K/W,有较高的可靠性与稳定性。此外，SB12H30系列肖特基势垒二极管采用了D5.4x7.5的封装模式，选用材料阻燃等级经过了UL 94V-0认证，重约1g，并符合RoHS，REACH、WEEE和ELV认证，达到无铅标准，是一款绿色环保电子元器件。

图五.产品输出特性

SB12HXX系列肖特基势垒二极管特点：

低反向电流

封装尺寸小巧紧凑

符合RoHS，REACH、WEEE和ELV认证

SB12HXX系列肖特基势垒二极管应用：

太阳能旁路二极管

极性保护

续流二极管

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Peak Forward Surge Current IFSM[A]

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