【应用】功率MOS P98LF6QNK 5071助力汽车座椅风扇设计，具有更低内阻，沟道温度允许值高达175℃

【应用】G级驱动电压达4.5V的功率MOS P38LF6QLK助力汽车EPS产品设计，采用SMD小封装

Shindengen的功率MOS P38LF6QLK采用SMD小封装，具有低结电容和低内阻的特点，且该产品的运行温度范围为-55~175℃，适用范围广，可以用于汽车EPS产品设计。

【应用】新电元车规级MOS管P140LF4QNK助力400W车载水泵设计，导通电阻低至1.15mΩ

本文重点介绍新电元MOSFET管P140LF4QNK助力12V供电系统400W车电子水泵的设计，主控MCU+7颗分立的N沟通MOSFET组成，主功率用6颗单MOS管来驱动无刷电机，1颗单MOS来做反接保护。

【应用】导通电阻低至8.5mΩ的功率MOSFET P40F10SN如何适用于地铁屏蔽门150W直流无刷电机逆变设计？

为实现对地铁屏蔽门150W直流无刷电机驱动控制，其逆变单元一般需要至少72V/30A功率MOSFET做逆变，推荐选用Shindengen（新电元）功率MOSFET P40F10SN，FTO-220AG（3pin）封装，规格为100V/40A，低至8.5mΩ典型导通电阻，总栅极电荷Qg典型值仅为92nC，反向传输电容Crss典型值为205pF，可满足市场上大功率快速开关设计需求。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

【产品】汽车级功率MOSFET P140LF4QNK、P105LF4QNK，适合车载水泵、EPS和辅助电机等应用

P140LF4QNK、P105LF4QNK是ShinDengen推出的沟槽型功率MOSFET，体积小重量轻，符合AEC-Q101标准和ISO/TS16949标准，最大漏-源电压均为40V，最大漏极直流电流分别为140A和105A，适合车载水泵、EPS和辅助电机等应用。【世强硬创沙龙2019】

【产品】280V N沟道功率MOS管，较P沟道MOS管导通电阻更小

日本新电元（Shindengen）公司推出了一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管P13F28HP2/P17F28HP2/P21F28HP2，最大漏极/源极电压VDSS（雪崩击穿电压）为280.0V，最大漏极持续电流（DC）Id为13.0/17.0/21.0A，静态漏源导通电阻Rds典型值为0.23/0.17/0.13Ω。可应用于负载/电源开关，继电器驱动，电源转换器电路等应用。

【产品】使机器尺寸减小40%的耐高压功率MOSFETMG020201，最大反向电压可达600V

MG020201是新电元推出的一款耐高压功率MOSFET，其最大反向电压可达600V，可满足高电压的工作环境。同时平均正向电流为30A，可满足大功率电路的设计应用。

【产品】300V/9A的N沟道功率MOSFET P9B30HP2F，采用TO-252AA封装

P9B30HP2F是Shindengen公司推出的一款高压、高速的N沟道功率MOSFET，其漏源极电压最高可达300V，持续漏极电流可达9A，总耗散功率54W，储存温度-55~150℃，采用TO-252AA封装。

【产品】100V/30A的N沟道功率MOSFET P30LA10SL，静态漏源导通电阻最大为21.0mΩ

P30LA10SL是Shindengen（新电元）半导体公司推出的一款小型表面贴装型的N沟道功率MOSFET，在VGS=10V, ID = 15A时，静态漏源导通电阻最大为21.0mΩ。导通延迟时间典型值仅为4.5ns，上升时间的典型值为6.5ns，关断延迟时间典型值为46ns，下降时间的典型值为20ns，开关速度快，可用于高速脉冲放大器、 负载/电源开关、电源转换器电路等方面。

【应用】功率MOSFET P105LF4QNK助力车载EPS设计，符合AEC-Q101

本文主要介绍Shindengen的功率MOSFET P105LF4QNKE在汽车EPS系统的应用，采用HSON-8小尺寸封装（5mm x 6mm），节省PCB空间；具有更低的导通电阻，导通损耗小且自身发热少；沟道温度允许值高达175℃。

【选型】为汽车电子油泵电机逆变选择一款六合一MOS模块MG031G 701，最大持续漏电流达148A，可实现小型化设计

市面上汽车水泵或油泵设计时，其电机逆变部分，通常选择6个分立MOS设计，MOS的封装尺寸一般以5mm x 6mm表面贴装设计为主，不过，分立的设计方案缺点是不利于小型化设计和高度集成设计等。为实现更高的集成设计，很多客户更愿意选择六合一集成MOS模块改善，本文推荐Shindengen（新电元）六合一功率MOSFET模块MG031G设计，规格为40V/148A，最大导通电阻低至2.2mΩ。

【产品】500V N沟道功率MOSFET，大功率开关电源的理想选择

日本新电元公司推出的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管——P10F50HP2/P13F50HP2/P15F50HP2/P20F50HP2，性能稳定可靠，是设计中大功率开关电源的理想选择。具有高电压、低导通电阻、高切换速度，高雪崩耐久性，高di/dt耐久性等优点。广泛使用于继电器驱动，高速脉冲放大器，驱动器等应用。