【产品】16Gb低功耗SDRAM，延长移动设备电池寿命

时间： 2017-03-10 来源：Alliance

技术问答

ALLIANCE Memory推出了一款新型高速CMOS移动低功耗DDR3（LPDDR3）SDRAM，旨在延长紧凑型便携式设备的电池寿命。16Gb AS4C512M32MD3具有1.2V/1.8V的低电压操作和多个省电特性，采用11.0mmx11.5mm 178球FBGA封装。

随着每个新产品的生成，智能手机，平板电脑和虚拟和虚拟现实（VR和AR）耳机等移动设备设计人员的任务是在更少的空间内提供更多的功能，同时减少功率。为了满足这种需求，这次发布的LPDDR3 SDRAM器件具有自动温度补偿自刷新（TCSR）功能，可在较低的环境温度下最大限度地降低功耗。此外，其部分阵列自刷新（PASR）功能仅通过刷新关键数据降低功耗，而深度掉电（DPD）模式在不需要数据保留时提供超低功耗状态。

Alliance Memory公司总裁兼首席执行官David Bagby表示：“降低IC功耗可以直接增加便携式设备的电池寿命，因此LPDDR3 SDRAM在消费者和移动通信市场的应用继续增长。“同时，这些器件的供应商数量正在减少，Alliance Memory为设计人员提供了他们所需要的低功耗设备，如16Gb AS4C512M32MD3。这款SDRAM提供可靠的插入，引脚为针对高带宽，高性能的存储器系统应用中许多类似解决方案提供引脚兼容替换。

AS4C512M32MD3使用20nm工艺制造，其内部配置为8个bankx32Mbitx32。该器件具有高速率的特点，时钟频率为667MHz，数据速率为1333Mbps，并具有-25℃至+85℃可扩展的温度范围。LPDDR3 SDRAM提供完全同步操作和可编程读写系统，突发长度为4，8或16。自动预充电功能可提供在突发序列结束时启动自定时行预充电。AS4C512M32MD3还具有易于使用的刷新功能，包括自动刷新系统，且符合RoHS标准。

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全部评论（1）

luosai Lv8. 研究员 2018-08-21

学习了！

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