【产品】16Gb低功耗SDRAM,延长移动设备电池寿命
ALLIANCE Memory推出了一款新型高速CMOS移动低功耗DDR3(LPDDR3)SDRAM,旨在延长紧凑型便携式设备的电池寿命。16Gb AS4C512M32MD3具有1.2V/1.8V的低电压操作和多个省电特性,采用11.0mmx11.5mm 178球FBGA封装。
随着每个新产品的生成,智能手机,平板电脑和虚拟和虚拟现实(VR和AR)耳机等移动设备设计人员的任务是在更少的空间内提供更多的功能,同时减少功率。为了满足这种需求,这次发布的LPDDR3 SDRAM器件具有自动温度补偿自刷新(TCSR)功能,可在较低的环境温度下最大限度地降低功耗。此外,其部分阵列自刷新(PASR)功能仅通过刷新关键数据降低功耗,而深度掉电(DPD)模式在不需要数据保留时提供超低功耗状态。
Alliance Memory公司总裁兼首席执行官David Bagby表示:“降低IC功耗可以直接增加便携式设备的电池寿命,因此LPDDR3 SDRAM在消费者和移动通信市场的应用继续增长。“同时,这些器件的供应商数量正在减少,Alliance Memory为设计人员提供了他们所需要的低功耗设备,如16Gb AS4C512M32MD3。这款SDRAM提供可靠的插入,引脚为针对高带宽,高性能的存储器系统应用中许多类似解决方案提供引脚兼容替换。
AS4C512M32MD3使用20nm工艺制造,其内部配置为8个bankx32Mbitx32。该器件具有高速率的特点,时钟频率为667MHz,数据速率为1333Mbps,并具有-25℃至+85℃可扩展的温度范围。LPDDR3 SDRAM提供完全同步操作和可编程读写系统,突发长度为4,8或16。自动预充电功能可提供在突发序列结束时启动自定时行预充电。AS4C512M32MD3还具有易于使用的刷新功能,包括自动刷新系统,且符合RoHS标准。
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