【产品】SOT-227封装IGBT模块MG75U12MRGJ，关断开关损耗典型值可低至4.9mJ

时间： 2020-09-17 来源：扬杰科技

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扬杰科技推出的MG75U12MRGJ型IGBT模块，具有超低损耗和高短路电流能力等特点。模块的集电极-发射极电压为1200V，直流集电极电流为75A（Tc=80°C）。模块采用SOT-227封装，符合RoHS标准认证，产品可用于逆变器，不间断电源（UPS），变频器，焊接机等领域。

图1 外观和内部电路图

器件工作温度和存储温度范围宽至-40~+125℃；栅极-发射极最大额定电压为±20V；在感性负载，T_J=25℃时，导通延时时间典型值为80ns，上升时间典型值为70ns，关断延时时间典型值为248ns，下降时间典型值为290ns，此条件下其导通开关损耗典型值为7.45mJ，关断开关损耗典型值为4.9mJ。此外，模块在I_C=75A,V_GE=15V条件下的集电极-发射极饱和电压典型值为2.1V。

特性：

超低损耗

正温度系数

坚固耐用

SOT-227封装，完全隔离封装

高短路电流能力

符合RoHS标准认证

应用：

逆变器

不间断电源（UPS）

变频器

焊接机

SMPS

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