【产品】SOT-227封装IGBT模块MG75U12MRGJ,关断开关损耗典型值可低至4.9mJ

2020-09-17 扬杰科技
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扬杰科技推出的MG75U12MRGJIGBT模块,具有超低损耗和高短路电流能力等特点。模块的集电极-发射极电压为1200V,直流集电极电流为75A(Tc=80°C)。模块采用SOT-227封装,符合RoHS标准认证,产品可用于逆变器 ,不间断电源(UPS), 变频器, 焊接机等领域。

图1 外观和内部电路图


器件工作温度和存储温度范围宽至-40~+125℃;栅极-发射极最大额定电压为±20V;在感性负载,TJ=25℃时,导通延时时间典型值为80ns,上升时间典型值为70ns,关断延时时间典型值为248ns,下降时间典型值为290ns,此条件下其导通开关损耗典型值为7.45mJ,关断开关损耗典型值为4.9mJ。此外,模块在IC=75A,VGE=15V条件下的集电极-发射极饱和电压典型值为2.1V。


特性:

    超低损耗

    正温度系数

    坚固耐用

    SOT-227封装,完全隔离封装

    高短路电流能力

    符合RoHS标准认证


应用:

    逆变器    

    不间断电源(UPS)

    变频器

    焊接机

    SMPS

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