【产品】SOT-227封装IGBT模块MG75U12MRGJ,关断开关损耗典型值可低至4.9mJ
扬杰科技推出的MG75U12MRGJ型IGBT模块,具有超低损耗和高短路电流能力等特点。模块的集电极-发射极电压为1200V,直流集电极电流为75A(Tc=80°C)。模块采用SOT-227封装,符合RoHS标准认证,产品可用于逆变器 ,不间断电源(UPS), 变频器, 焊接机等领域。
图1 外观和内部电路图
器件工作温度和存储温度范围宽至-40~+125℃;栅极-发射极最大额定电压为±20V;在感性负载,TJ=25℃时,导通延时时间典型值为80ns,上升时间典型值为70ns,关断延时时间典型值为248ns,下降时间典型值为290ns,此条件下其导通开关损耗典型值为7.45mJ,关断开关损耗典型值为4.9mJ。此外,模块在IC=75A,VGE=15V条件下的集电极-发射极饱和电压典型值为2.1V。
特性:
超低损耗
正温度系数
坚固耐用
SOT-227封装,完全隔离封装
高短路电流能力
符合RoHS标准认证
应用:
逆变器
不间断电源(UPS)
变频器
焊接机
SMPS
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