【应用】采用先进TOLL封装的MOSFET NCE40H32LL有助于节省大功率化成电源占位面积，漏源电流高达320A
近年来，随着大功率电源的发展，低压大电流的MOS管也层出不穷。在客户的大功率化成电源中，客户采用了类似于双向全桥的DC-DC拓扑，拓扑结构如图2所示，在低压侧全桥，客户设定的额定输出为5V/240A，由于输出电流很大，所以需要多个低压、大电流的MOS进行整流。
图1 具有双向全桥结构的化成电源拓扑
根据客户的需求，推荐了无锡新洁能（NCE）的MOSFET NCE40H32LL，客户采用该MOS，搭建了一个小功率的测试电路进行测试，左上角是NCE40H32LL，测试的反馈情况良好。
图2 小功率测试电路
NCE40H32LL采用专为大电流功率应用而设计的TOLL封装，该封装主要有以下几大优势：
①极低导通电阻，有效提高系统能效；
②更低的寄生电感，降低系统EMI噪声；
③无需额外散热器，改善热耗散特性及减小系统体积。
该颗物料使用的新型的TOLL封装与常见的D2PAK封装相比，新型的TOLL封装占位面积减少了30％，厚度降低了50％，在需要紧凑结构设计的应用中优势显著。NCE40H32LL的封装和脚位图如下：
图3 NCE40H32LL封装和脚位图
综上所述，NCE40H32LL具有如下优势：
①高达320A的漏源电流，适合大电流应用；
②1.3mR的导通电阻，导通损耗低；
③采用先进TOLL封装，体积更小，散热性能更好。
无锡新洁能（NCE）推出的NCE40H32LL是一款低压、大电流MOS，其漏源电压（Vds）为40V，漏源电流（Ids）为320A，在栅源电压（Vgs）为10V时，其导通电阻（Rds_on）仅1.3mR，非常适合电焊机、电驱、化成电源等大功率应用。
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
NCE（新洁能）MOSFET 选型表
NCE（新洁能）为电路设计师们提供全面的产品选择，击穿电压覆盖-200V至300V,以及100mA至400A的电流选择范围,低开关损耗的系列产品（产品名称后加标C）其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端，新洁能的MOSFET着重优化了Body Diode，在提高和加快反向续流能力的同时，降低反向恢复过程中的峰值电流（Irm）和电压（Vrm）。推出的TO-220H封装外形（产品名称后加标H），有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率，并大大降低成本，可广泛应用于直流-直流转换,次级侧同步整流器,电机控制等领域。
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产品型号
|
品类
|
封装/外壳/尺寸
|
车规级/工业级
|
Technology
|
Polarity
|
BVDSS(V)
|
ID(A)
|
VTH(V)
|
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
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RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
|
RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)
|
RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)
|
VGS(th)(V)
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CISS(pF)
|
QG(nC)
|
PD(W)
|
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NCE12P09S
|
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
|
SOP-8
|
工业级
|
Trench
|
P
|
-12
|
-9
|
-0.7
|
11.5
|
18
|
14
|
22
|
±12
|
2700
|
35
|
2.5
|
选型表 - NCE 立即选型
MOSFET-零温度系数点ZTC（Zero Temperature Coefficient）
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NCE65TF130D, NCE65TF130, NCE65TF130F N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅲ
型号- NCE65TF130,NCE65TF130F,NCE65TF130D
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制变压器支持60W-600W范围，额定电流最高10A，漏感稳定度最小3%；支持开关变压器、电流感测变压器、栅极驱动变压器、LLC谐振变压器、PoE变压器等产品定制。SPQ为5K。
提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
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