【应用】采用先进TOLL封装的MOSFET NCE40H32LL有助于节省大功率化成电源占位面积，漏源电流高达320A
近年来，随着大功率电源的发展，低压大电流的MOS管也层出不穷。在客户的大功率化成电源中，客户采用了类似于双向全桥的DC-DC拓扑，拓扑结构如图2所示，在低压侧全桥，客户设定的额定输出为5V/240A，由于输出电流很大，所以需要多个低压、大电流的MOS进行整流。
图1 具有双向全桥结构的化成电源拓扑
根据客户的需求，推荐了无锡新洁能（NCE）的MOSFET NCE40H32LL，客户采用该MOS，搭建了一个小功率的测试电路进行测试，左上角是NCE40H32LL，测试的反馈情况良好。
图2 小功率测试电路
NCE40H32LL采用专为大电流功率应用而设计的TOLL封装，该封装主要有以下几大优势：
①极低导通电阻，有效提高系统能效；
②更低的寄生电感，降低系统EMI噪声；
③无需额外散热器，改善热耗散特性及减小系统体积。
该颗物料使用的新型的TOLL封装与常见的D2PAK封装相比，新型的TOLL封装占位面积减少了30％，厚度降低了50％，在需要紧凑结构设计的应用中优势显著。NCE40H32LL的封装和脚位图如下：
图3 NCE40H32LL封装和脚位图
综上所述，NCE40H32LL具有如下优势：
①高达320A的漏源电流，适合大电流应用；
②1.3mR的导通电阻，导通损耗低；
③采用先进TOLL封装，体积更小，散热性能更好。
无锡新洁能（NCE）推出的NCE40H32LL是一款低压、大电流MOS，其漏源电压（Vds）为40V，漏源电流（Ids）为320A，在栅源电压（Vgs）为10V时，其导通电阻（Rds_on）仅1.3mR，非常适合电焊机、电驱、化成电源等大功率应用。
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产品型号
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品类
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封装/外壳/尺寸
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车规级/工业级
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Technology
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Polarity
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BVDSS(V)
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ID(A)
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VTH(V)
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RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
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RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
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RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)
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RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)
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VGS(th)(V)
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CISS(pF)
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QG(nC)
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PD(W)
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NCE12P09S
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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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SOP-8
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工业级
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Trench
|
P
|
-12
|
-9
|
-0.7
|
11.5
|
18
|
14
|
22
|
±12
|
2700
|
35
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2.5
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