【经验】Melexis芯片EOS故障实例分析
MELEXIS提供了各类型芯片，如霍尔位置传感器、霍尔开关、压力传感器、马达驱动、LIN/GRB、电流传感器、红外传感器、ToF传感器等等，涵盖了丰富的应用领域。用户在应用Melexis的芯片时，不可避免会因为操作失误导致芯片失效，这就需要尽可能定位故障原因，从而规范操作。而Melexis的芯片在编程时，出现芯片失效，很多时候是由于EOS（Electrical Over Stress，电气过应力）导致。
EOS表现方式是过压或者过流产生大量的热能，使元器件内部温度过高从而损坏元器件。EOS产生原因众多，且通常难以准确定位故障原因。本文选取EOS中一种典型故障原因，进行分析，希望用户合理应用Melexis芯片，减少芯片失效故障率。
本文所要描述的EOS典型案例是：Melexis芯片与PTC04编程器通过长线缆相连，编程过程中，用户进行了热插拔，导致芯片较大概率失效。连接示意图如下：
此种操作显然是不被允许，但是热插拔会产生多大影响呢？通过仿真可以看出。
估算长线缆会产生200nH的寄生电感。
插拔过程，估算产生5μs的脉冲，如下，
Vout的输出结果如下图，从图中可以看出，Vout产生了瞬间的最大1.03V的负压。
针对Melexis几种常见的芯片，分别查阅datasheet，找出对应out脚能承受的最大负压值。
1.03V的负压均远超过了芯片本身能承受的负压，故编程过程中的热插拔有可能造成芯片失效。用户在使用过程中，应尽可能避免热插拔，减少芯片的故障率。
以上就是Melexis芯片EOS的实例分析，如果您对此有兴趣或仍有问题可以联系世强400-887-3266。
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