【技术】VDMOS器件关键参数介绍

时间： 2023-03-16 来源：HI-SEMICON官网

代理服务

技术支持

采购服务

本文HI-SEMICON关于VDMOS器件关键参数介绍。VDMOS结构就是P型注入和N+注入后两次扩散形成P型区和N+型区，在硅表面P型区和N+型区之间形成沟道，在栅极加压后沟道开启，电流在沟道内沿表面流动，然后垂直地被漏极收集图中S为源极，D为漏极，G为栅极。VDMOS的制造工艺过程中采用自对准双扩散工艺，自对准因为不会产生跑偏问题,可以精确控制沟道长度、短沟道与穿通电压的矛盾。VDMOS结构中，若沟道长度太短，当源漏电压较大时，在达到结的雪崩击穿电压之前，源漏之间已经穿通，也就是源漏电压未达到设计的击穿电压。若想获得更高的击穿电压就必须加大源漏结间的距离，但这样会使器件跨导变小，降低频率特性。而采用双扩散工艺可以克服这一矛盾，在N-外延层上进行P区和N+区双重扩散，精确控制沟道长度、形状。漏区与沟道之间存在着N-外延层，它使PN-结的耗尽区主要向N-区一侧扩展，从而有效地阻止了穿通效应的发生。外延层厚度可做得足够大，以达到击穿电压的要求。

VDMOS器件关键参数包括开启电压(VTH)、导通电阻(RDSON)，源漏击穿电压(BVDSS)、栅源漏电(IGSS)、源漏间漏电(IDSS)等。

开启电压(VTH)

VDMOS的有源区在栅电压的控制下，逐渐由耗尽变为反型，直至形成导电沟道。则当有源区达到表面反型形成沟道的最小栅源电压，我们定义它为VDMOS开启电压，用VTH表示。可能造成VDMOS开启电压用VTH超规格的原因：沟道区的掺杂浓度(P-BODY的注入剂量、驱入)、栅极氧化层的质量以及厚度。

导通电阻(RDSON)

每个VDMOS结构都可以说由八部分电阻组成(如图2所示)，也就是说电流由源极流向漏极需要经过这八部分电阻，分别为:源极接触电阻(Rcs)；源区体电阻(Rbs)；沟道电阻(Rch)；积累层电阻(Ra)；结型场效应晶体管电阻(Rj)；外延层电阻(Re)；衬底电阻(Rbd)；漏极接触电阻(Rcd)。可能影响VDMOS导通电阻的因素为源极接触电阻，此区域为重掺杂，占导通电阻的比例很低，一般不会发生异常；沟道电阻，沟道长度(SRC/BODY的结深)的大/小，造成沟道电阻偏大/小:积累层电阻，积累层电阻占RDSON的比例很小，产生问题的可能性很小；外延层电阻，外延层的厚度/电阻率都直接影响到阻值；衬底电阻，衬底为重掺杂，电阻率比较低，但是衬底很厚，由衬底的厚度决定衬底电阻大小；漏极接触电阻，主要是金属和D极接触的电阻，与背面金属电阻和金属和背面材料接触合金有关。

源漏击穿电压(BVDSS)

对于VDMOS这种结构，源漏击穿电压BVDSS规定为VGS=0时在源漏间所加的最大反偏电压，它表征了器件的耐压的极限能力。反偏电压的击穿主要是以突变结PN-结的雪崩击穿方式决定的，而且由于没有少子贮存效应，不存在二次击穿，因此简化了对击穿特性的研究。可能影响源漏击穿电压因素：P-BODY/N-EPI之间的结出现问题,漏电变大，击穿电压变低；P-BODY掺杂浓度/驱入异常；改变BODY注入剂量/驱入，可以最直接/有效地影响漏击穿电压；EPI缺陷；分压环异常；表面缺陷，造成表面漏电。

栅源漏电(IGSS)

IGSS是指在指定的栅极电压情况下流过栅极的漏电流。可能影响栅源漏电的因素：栅极氧化层质量；POLY层次的残留；CONT的对偏，CONT对偏直接会造成G/S短路；S/G之间金属残留。

源漏间漏电(IDSS)

IDSS是指在当栅极电压为零时，在指定的源漏电压下的源漏之间的泄漏电流。既然泄漏电流随着温度的增加而增大，IDSS在室温和高温下都有规定。漏电流造成的功耗可以用IDSS乘以源漏之间的电压计算，通常这部分功耗可以忽略不计。源漏间漏电IDSS是衡量VDMOS器件性能的一个非常重要的参数，一般VDMOS产品要求IDSS<100nA，若IDSS偏大，轻则使功耗增大，器件寿命缩短，重则导致DS短路，器件功能不正常。同时，VDMOS器件失效项目中，IDSS也是非常难解决的问题。由此可见，对IDSS失效的控制对于VDMOS器件来说是非常重要的。

测试电路如图3所示，GS短接接地，在DS间加设定正向(反向)偏压VDS，测量DS间的电流为IDSS，一般IDSS测量规范小于100nA。

IDSS失效原分析

图4为平面VDMOS器件的剖面结构。对于VDMOS器件来说，一个芯片可能由成千上万如图4所示的元胞构成，任何一个元胞源漏漏电偏大或者短接都会导致整个器件失效。IDSS失效一般都不会是短路，而是漏电偏大。短路的话，就直接是P-BODY/N-EPI的结击穿了。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由玉鹤甘茗转载自HI-SEMICON官网，原文标题为:VDMOS器件关键参数介绍，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

SiC-MOSFET和Si-MOSFET、IGBT的区别

功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势如：低损耗、高速开关、高温工作等，显而易见这些优势是非常有用的。本文介绍SiC-MOSFET和Si-MOSFET、IGBT的的区别。

2023-10-20 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

【技术】19种常见的二极管应用电路

二极管应用非常广泛，在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，本文为你介绍19种常见的二极管应用电路。供大家参考。

2023-10-13 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

【技术】关于MOS管损坏的五种模式介绍

功率MOS管的五种损坏包括：雪崩破坏、器件发热损坏、内置二极管破坏、由寄生振荡导致的破坏、栅极电涌/静电破坏，本文详解MOS管损坏之谜。第一种：雪崩破坏。第二种：器件发热损坏。第三种：内置二极管破坏。

2022-10-13 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

HI-SEMICON（深鸿盛）MOSFET/SiC肖特基二极管/SiC MOSFET选型指南

公司简介 MOSFET Product Introduction VDMOS 超结MOSFET 中低压MOSFET 碳化硅肖特基二极管碳化硅MOS MOSFET/SiC肖特基二极管封装

HI-SEMICON - MOSFET,SIC场效应晶体管,TRENCH-MOS,MEDIUM AND LOW VOLTAGE SGT MOS,PLANAR LOW-VOLTAGE MOSFET,沟槽超结高压MOSFET,PLANAR HIGH-VOLTAGE&LOW-VOLTAGE MOSFET,SINGLE-P MOSFET,超快恢复流二极管,SINGLE-N MOSFET,MULTI-LAYER EPITAXIAL SUPERJUNCTION MOS,碳化硅肖特基二极管,中低压MOSFET,SGT-MOS,单芯片低压MOSFET,SIC MOSFET,MEDPMOS,碳化硅MOS,分立SIC-MOSFET,双芯片低压MOSFET,COOL MOSFET,多层外延超结高压MOSFET,分离栅沟槽低压MOSFET,N+N MOSFET,分立SIC MOSFET,单N MOSFET,N+P MOSFET,ULTRA-FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE,快恢复二极管,TDP MOS,SJ-MOSFET,沟槽-MOS,DISCRETE SIC-MOSFETS,单P MOSFET,FRED,SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE,超结MOSFET,VDMOS,中低压SGT MOS,NORMAL TRENCH LOW-VOLTAGE MOSFET,多层外延超结MOS,冷MOSFET,COOL-MOS,超快恢复整流二极管,碳化硅肖特基二极,平面高压和低压MOSFET,PLANAR HIGH-VOLTAGE MOSFET,DISCRETE SIC MOSFETS,普通沟槽式低压MOSFET,P+P MOSFET,SPLIT GATE TRENCH LOW-VOLTAGE MOSFET,SIC SCHOTTKY DIODES,MULTILAYER EPITAXIAL SUPER JUNCTION HIGH-VOLTAGE MOSFET,TRENCH SUPER JUNCTION HIGH-VOLTAGE MOSFET,SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFS0406T4,SFM6005DT,SFD7N70,SFW90N25,SFQ0320T4,SFD18N20,SFM4009T,SFE6001T2,SFM6004T5,SFK2N50,SFF60N06,SFN4006T5,SFM0420T4,SFP10003PT,SFF18N20,SCF65R190TF,SFD2N50,SFM4004PT,SFS6003PT,SFP33N10,SFS4010T,SGS6001T4,SGP6008T,SFS3401,SFQ0318T4,SC3D40120D,SFS3400,SFK1N65,SCD65R960C,SFS4010T2,SFF5N80,SFS0407T4,SFS3407,SFD6005T,SFD10003PT,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SFP40P10,SGS15HR430T,SFA10015T,SFP50N06,SCF65R640C,SFD3003T,SFQ0322T4,SFF12N65,SFD6006T,SGD105R5T,SFP11P20,SFD6N70,SFS6007T,SGM10HR14T,SCF65R380C6,SFS3400.A,SFS3001T2,SCD70R600C,SFQ0420T4,SCF60R580C,SGXXXXXPT,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3004T5,SFS3401A,SGM066R5T,SFN3009T,SGM031R7T,SFB11N90,SCD70R900C,SFU3006T,SFP9N20,SFA110P06,SFR0305T2,SFF50N06,SFD6007T,SCD80R500S,SC3D08065G,SCF65R380C,SFD4006T,SC3D08065I,SFN0315T4,SFN3003PT,SFA6005T,SFS4008T2,SFS2300,SGP157R5T,SFS2301,SFM10015T,SFH8402DW,SC3D04065E,SCU70R900C,SCF60R280C,SFS2304,SFS2303,SFF13N50,SFS2305,SC3D04065I,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP20007,SFU18N20,SGP104R0T,SCD65R1K2C,SFN0330T2,SFD6008T,SGM107R7T,SC3D04065A,SFM4010T,SFF20N50,SC3D20065D,SFP40N20,SFS0307T4,SFD3012T,SFF7N65,SCD60R580C,SFU5N20,SC3D10065A,SGM105R0T,SCF65R310C,SCF60R360C6,SFS0405T4,SC3D10065G,SC3D10065I,SFP6P10,SFM4005DT,SC3K080120,SCK65R1K15C,SFW50N25,SFU4N65,SFN0413T4,SFD5N65,SFP30P10,SFM10003PT,SC3D08065A,SFP18P10,SFD4N90,SFF7N70,SCF60R125C,SFXXXXXPTX,SFD4006PT,SFD4003T,SCF70R600C,SFF6005T,SFS0306T4,SCF80R950C,SGA104R0T,SFD3010T,SFE3007T,SFD5N50,SFP3006T,SFP3018T,SFP18N20,SGP103R0T,SCW65R075CF,SCF65R170C,SFS6012T2,SGD6008T,SGM041R8T,SFD4001PT4,SFD4001PT5,SFF8N65,SFN3006PT,SC3K040120,SGM6008T,SFD4N70,SCW60R030CF,SFB50N25,SCW65R041CF,SFP6005T,SFS2013PT,SCF70R420C,SCW65R090C,SGM031R1T,SCD70R420C,SC3K075120,SFD33N10,SCW65R099TF,SFP5P03,SCF60R160C,SFR0206T2,SFD4N65,SC3D15120H,SFS2N7002,SFF33N10,SCF70R360C6,SFD2008T,SFN3003T,SFS2302B,SGM109R5T,SFM6008T,SFD3006PT,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFK4N65,SFB90N25,SFD5N20,SFR0205PT2,SGM030R7T,SFF8N80,SC3D30065D,SFN3002T,SFU9N20,SFD7N65E,SFD9N65,SFD4004PT,SFF20N70,SGM042R4T,SFP6007T,SFS3401B,SFS4435,SFU6003T,SGU6008T,SFM0430T2,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SC3D06065E,SC3D06065G,SFP75P55,SC3D10120H,SFF3N80,SC3D06065A,SCD70R600C6,SCD65R380C,SFD14N25,SC3K015120,SFSAP4580,SFS6010T2,SCD65R540T,SGP105R5T,SFF4N65,SFF10N65,SC3D30120H,SFM0320T4,SC3D30120D,SC3D16065A,SC3D16065D,SC3D16065G,SFP27P20,SC3K050120,SFU6005T,SFW10P04,SFD3N50,SFF4N70,SFM10008T,SFF9N90,SCXXXXXXXXFX,SFD2003T,SFN0318T2,SFD3009T,SFM3011T,SFD6005PT,SC3K032120,SFP110N55,SFF16N65,SC3D12065A,SFF10N80,SFF5N50,SC3D12065G,SGD10HR20T,SC3D12065I,SC3D20120H,SFP59N10,SFN6004T5,SXXXXXXX,SFD9N20,SCF65R240C,SC3D06065I,SCD65R640C,SFS2012PT,SGA105R5T,SFN0250T2,SFM3012T,SC3D20120D,SGM041R3T,储能逆变,电动工具,通讯电源,厨余家电,智能电网充电站,适配器,新能源BMS,电子调速器,COMMUNICATION POWER SUPPLY,光伏储能,INDUSTRIAL POWER SUPPLY,PC电源,POWER SUPPLY,服务器电源,高频开关通信电源系统,电力专用UPS,无人机,MOTOR DRIVE,电动车控制器,PC POWER,LED LIGHTING,NEW ENERGY BMS,家电,高频逆变器,GZDW高频开关直流电源系统,CHARGING PILE,开关电源,HIGH FREQUENCY INVERTER,ELECTRIC VEHICLE CONTROLLER,POWER TOOLS,PD POWER SUPPLY,大功率电源,TV电源,逆变电源,UPS POWER SUPPLY,电动机驱动,FA驱动设备电源供应,智能低压交流电源系统,PD电源,铁路,LED驱动,电机驱动,电力专用不间断电源系统,充电桩,微型逆变器,新能源汽车,LED,便携式绝缘监测综合测试仪,PHOTOVOLTAIC INVERTER,穿戴设备,LED照明,UPS电源,电源维护类装置,工业电源,发光二极管,电源,通信电源,轨道交通,光伏逆变器

2022/11/18 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

HI-SEMICON 产品充电桩行业分享

HI-SEMICON - SIC 二极管,COOL MOS,MOS管,SIC MOS管,冷MOS,SCP65R090CF,SFS3401,SC3D40065D,SC3D40120D,SFS3400,SC3D40065I,SC3D40065H,SC3D15120H,SC3D40065G,SGP104R5T,SFS2N7002,SFS3407,SC3D10120H,SCW65R075CF,S3M040120K3,SCW65R050CF,SFD3009T,SGA104R5T,SC3D40065A,SFA10015T,SFS2301,SC3D30065I,SFS3415,SCW65R090CF,SC3D30065G,SFD50N06,SC3D30065H,SC3D30120H,SGD105R5T,SGP104R0T,SC3D30065D,SC3D30120D,SC3D30065A,SFD6008T,SCW65R041CF,S3M075120K3,SC3D20065I,SC3D20065H,SC3D20120H,SC3D20065A,SGA105R5T,SGA104R0T,SC3D20065D,SC3D20065G,SC3D20120D,工业电子,家电,通讯,消费电子,充电桩,轨道交通,汽车电子,智能装备,光伏新能源

2023/10/8 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

HI-SEMICON（深鸿盛)是一家专业的半导体功率器件设计公司，专注于半导体功率器件的设计、制造、技术服务与销售。公司拥有多项技术知识产权，是广东省实验室重任务快速响应项目和广东省重点领域研发计划合作单位，为客户提供高性能、高品质、高稳定性的半导体功率器件。

低压MOS 中低压功率MOSFETs 高压功率MOSFETs 超结MOSFETs 肖特基二极管超快恢复二极管碳化硅肖特基二极管超快恢复整流二极管多层外延超结MOS 中低压SGT MOS 碳化硅MOS管 IGBT

代理服务线上商城技术资料

HI-SEMICON深鸿盛公司介绍以奋斗者为本，争做半导体功率器件领航者

深圳市深鸿盛电子有限公司是一家专注于半导体功率器件设计、制造、技术服务与销售的公司。公司产品包括碳化硅MOSFET、肖特基二极管、超快恢复整流二极管等，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。公司拥有多项技术知识产权，并与多所高校有技术研发合作。

HI-SEMICON - MOSFET,平面MOS,DISCRET SIC MOSFETS,FRED,DIODE,高压MOSFET,半导体SIC MOSFET,TRENCH MOSFET,SIC SCHOTTKY DIODES,双管MOSFET,SGT MOSFET,中低压SGT MOS,多层外延超结MOS,碳化硅肖特基二极管,超快恢复整流二极管,中低压MOSFET,沟槽MOS管,低压单管MOSFET,高压超结MOSFET,SIC模块,碳化硅MOS,低压MOSFET,TRENCH MOS,高压平面MOS,分立SIC MOSFET,场效应管,高压COOL MOSFET,快恢复二极管,沟槽式MOS,SJ-MOSFET,二极管,SFM0420T4,SFN3009T,SFS0407T4,SGD15N10,SFN3006PT,SFS300T12,SFD2006T,SGM6008T,SFM0320T4,SGD10HR20T,SFD6008T,SGS6001T4,SFN3003PT,SFQ0320T4,SFQ0420T4,SGM041R8T,SFM4009T,SFM041R1T,SFS4525T,通讯电源,电动工具,手持式电动工具,手持电动工具,照明系统,中控板,PC电源,工业伺服电控,风扇灯,PD快充,无人机,平衡车,电池化成,汽车驱动电机,变频类,逆变器,工业电子,两轮电动车,家电,安防类,消费,启停器,通讯,电子开关,消费电子,汽车HID,锂电池保护,车载,电子烟,储能BMS,无线充,扫地机,TV电源,电池管理系统,光伏新能源,光伏逆变,智能家居,工控设备,PC适配器,充电柱,车载OBC,工业控制,医疗设备,充电桩,园林工具,工控,风机水泵,小家电,新能源充电桩,遇配器,BMS储能,升降桌,新能源,光伏类,智能装备,LED照明,电动车,5G基站,轨道交通,汽车电子,电池管理,移动电源

2024/5/10 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

【经验】几种MOS管防反接防过压电路解析

关于MOS管防反接防过压电路您有了解吗？本文HI-SEMICON将为您介绍几种MOS管防反接防过压电路。当电源正确接入时。电流的流向是从V到负载，在通过NMOS到GND。刚上电时因为NMOS管的体二极管存在，地回路通过体二极管接通。

2022-10-16 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

SFK1N60 1A，600V N沟道MOSFET

本资料介绍了SFK1N60型号的600V N-Channel MOSFET，该器件采用Hi-semicom专有的F-CellTM结构VDMOS技术制造。该MOSFET具有低导通电阻、优异的开关性能和耐高压脉冲的能力，适用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H-bridge PWM电机驱动器等应用。

HI-SEMICON - N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,N沟道贴片MOS管,N-CHANNEL MOSFET,POWER MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR,功率 MOSFET,SFK1N60,H-BRIDGE PWM MOTOR DRIVERS,SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,开关模式电源,H桥PWM电机驱动器,LED LIGHTING POWER,DC-DC CONVERTERS,AC-DC POWER SUPPLIERS,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,交直流电源供应器,UPS,SMPS,DC-DC转换器,LED照明电源

2023/6/6 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

【技术】二极管的反向恢复特性及其影响分析

本文中HI-SEMICON将为大家分析二极管的反向恢复特性及其影响。

2023-09-14 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

HI-SEMICON（深鸿盛）场效应管（MOSFET）选型表

中低压功率MOSFETs 高压功率MOSFETs 超结MOSFETs

HI-SEMICON - 超结MOSFETS,中低压功率MOSFETS,高压功率MOSFETS,SFU6007T,SFP20N65,SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFF10N65R,SFD7N70,SFF4N60E,SFQ0320T4,SFM4009T,SFE6001T2,SFP20N60,SFK2N50,SFF60N06,SFM041R8T,SFD60N06,SFD2N50,SFP4N65,SFP33N10,SFP4N65E,SCP60R190C,SFP20N70,SFS3401,SFD4N60E,SFS3400,SFD6005T,SFD7N65E-Y,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SCA60R280C,SFM4N65,SFD1N65,SCP70R360C6,SFD3015T,SGA855R0T,SFP50N06,SCA65R540T,SCF65R640C,SFQ0322T4,SFU4N65E,SFF12N65,SFD6006T,SFD6N70,SGM10HR14T,SFQ0420T4,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3N50-P,SFN3009T,SCD60R360C,SFF6N70,SFU3006T,SCF65R1K15C,SFP9N20,SFF50N06,SFD6007T,SFF3N50-P,SFP10N60,SCF65R380C,SFP7N65E-Y,SCP65R380C,SCP60R280C,SFS4008T2,SFS2300,SFF7N65-Y,SCF60R280C,SFF13N50,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP10N70,SCD65R1K2C,SFM4010T,SFD3N50TS,SFF6007T,SCF80R500C,SCD80R500C,SFF2N50,SFD3012T,SFA3018T,SFF7N65,SCF65R310C,SFF7N65E-Y,SCD70R360C6,SFF6006T,SCK65R1K15C,SFD4N65E,SFF15N10,SFU4N65,SFF7N70,SFD4003T,SFU9N65,SFF6005T,SFD7N65-Y,SCP60R160C,SCA60R190C,SCF80R950C,SFK3N50,SCF55R2K7C,SFF12N65-Y,SFE3007T,SFP3006T,SFD5N50,SGM6005DT,SFF9N20,SGF15N10,SFP60N06,SFS2N10,SCF70R600C6,SFD4001PT5,SFP10N65-Y,SFF3N50,SFM4N65E,SCD65R125C,SCF65R125C,SFD4N70,SFP7N65-Y,SFF5N50TS,SFP6005T,SCP65R125C,SGM031R1T,SCF70R420C,SCD70R420C,SFP12N65-Y,SCP65R540T,SCF60R160C,SFD4N65,SFS2N7002,SFF3N50TS,SFF33N10,SCF70R360C6,SFS2302B,SFS2301B,SFD15N10,SFF20N60,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFS4606T,SFU4003T,SGD15N10,SFF9N50,SFD10N65-J,SFF4N65E,SFD4004PT,SFD9N65,SFF20N70,SFU10N65R,SCD55R2K7C,SFU6003T,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SFF9N65,SFP13N50,SCD70R600C6,SFU7N70,SCD65R380C,SFD5N50TS,SFAP4580,SFF10N60,SCD65R540T,SCP60R360C,SFF4N65,SFM0320T4,SCF65R1K2C,SCP80R500C,SGP855R0T,SFU6005T,SFD10N65R,SFD3N50,SFP12N65,SFU6N70,SFU4N60E,SFF4N70,SFF10N65-Y,SFF9N90,SGU15N10,SFM3011T,SFF16N65,SFP110N55,SFU6006T,SFP18N50,SFU15N10,SFF5N50,SFF10N65-J,SFN6004T5,SFP59N10,SFD9N20,SCF65R240C,SCD65R640C,SFM3012T,SFS5N10S,SFN0250T2,SCD65R1K15C

2022/9/28 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

SFF10N70 10A，700V N沟道功率MOSFET

本资料介绍了SFF10N70型号的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。该器件采用Hi-Semicon专有的F-CellTM结构VDMOS技术制造，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力。适用于AC-DC电源供应器、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。

HI-SEMICON - N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,POWER MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR,功率 MOSFET,SFF10N70,DC-DC CONVERTERS,H-BRIDGE PWM MOTOR DRIVERS,AC-DC POWER SUPPLIERS,交直流电源供应器,H桥PWM电机驱动器,DC-DC转换器

2023/7/27 - 数据手册 - Rev 1.0 代理服务技术支持采购服务

集成快恢复二极管的扩铂工艺VDMOS，可用于高速电吹风筒

高速吹风机它具备智能温控，内置NTC感温芯片，使其最高温度不会超过57度，并且有些高速吹风机还支持护发精油、负离子等护发功能，能够更好的保护头发。其次高速吹风机它的重量轻，相比传统吹风机，高速吹风机平衡精度高，实现了电机工作时的低振动，所以整机的体积更小，重量也更轻，更加便于携带。本文推荐了深鸿盛的集成快恢复二极管的扩铂工艺VDMOS，介绍了其产品优势。

2024-03-07 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

HI-SEMICON 产品电机行业分享

本文介绍了深鸿盛电子有限公司，一家专注于半导体功率器件设计、制造、技术服务与销售的公司的产品和应用。文章涵盖了公司简介、发展历程、专利技术、封装展示、电机行业介绍、常用电机类型、电动工具行业分析以及未来发展趋势等内容。

HI-SEMICON - MOSFET,有刷盘式绕组电机,DISCRET SIC MOSFETS,单相电机,低速电动机,直流电机,ELECTRIC MACHINERY,控制用电动机,半导体功率器件,鼠笼式异步电机,永磁同步电动机,伺服电动机,交流变频调速电机,绕线式异步电动机,碳化硅肖特基二极管,脉冲电动机,有刷压制绕组电机,交流换向器电动机,直流电动机,电机,高速电动机,碳化硅MOS,三相电机,分立SIC MOSFET,步进电动机,快恢复二极管,三相异步电机,SJ-MOSFET,马达,调速电动机,恒速电动机,磁滞同步电动机,步进电机,同步发电机,FRED,有刷直流电机,感应电动机,有刷直流电动机,磁阻同步电动机,BLDC,驱动用电动机,异步电机,交流无刷电机,SIC SCHOTTKY DIODES,有刷印制绕组电机,中低压SGT MOS,无刷直流电动机,多层外延超结MOS,无换向器电机,超快恢复整流二极管,同步电机,直流无刷电机,交流电机,异步电动机,伺服电机,直流调速电机,场效应管,变频电机,无刷直流电机,开关磁阻电机,同步电动机,SGX10HR10T,SGM066R5T,SGM105R0T,SFN3009T,SGM031R7T,SGP104R5T,SFN3003T,MUR1660T,SGM109R5T,SFN3002PT,SFN3003PT,SFD6003PT,SGM041R8T,SFP6008T,SCX65R380C,SFD6005PT,SGM042R1T,SFN4006T5,SGP105R5T,SCF65R640C,MUR1560T,SCF65R540T,SGM107R7T,SC3D08060A,SFS4010T,SGM031R1T,SFDP12N65,SCF65R240C,SFN4009T,SFM3012T,SGM041R3T,先进装备制造业领域,手持电锯,工业机床设备,机器人,汽车,驱动农业机械设备,大型精密机床,航天航空,手持电动喷漆机,小型机械设备,电力,电动螺丝刀,造纸,电动工具,内燃机车,手持电钻,石化,通风行业,录像机,电子仪器,电动割草机,印刷机械,电锯,机器人技术,城市电车,电动砂纸机,医疗器械,金属加工,驱动工业机械设备,电动工具充电盒,船舶制造,洗衣机,木业加工,电动自行车,工业工控,电钻,自动化,化工行业,驱动家庭电器,航天,高铁建设,军用仪器,冶金行业,工业电子,家电,电冰箱,船舶机械,雷达,装饰装潢,精密测量,工具,机械,矿井卷扬机,小型机械,电动喷雾器,电动抛光机,小型机床,大型起重机,通讯,录音机,大型可逆式轧钢机,消费电子,空调,割草机,电锤钻,航空航天,采石行业,光伏新能源,吸尘器,照相机,龙门刨床,影碟机,手持电磨,地铁列车,家庭修缮简洁装修,矿山,工业,建筑道路,空调器,电风扇,医疗设备,电吹风,汽车工业,手持电动砂轮机,智能装备,生产机械,电动剃须刀,电力机车,轨道交通,工业自动化控制,交通,汽车电子,跟踪卫星用光电经纬仪,充电盒

2023/8/21 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

SFD7N65TS 7A，650V N沟道功率MOSFET

本资料介绍了Hi-Semicon生产的SFD7N65TS型号650V N-Channel增强型功率场效应晶体管。该器件采用平面条纹VDMOS技术制造，具有650V的漏源电压和7A的电流额定值。主要应用于电源因子校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和LED照明等领域。

HI-SEMICON - N沟道功率MOSFET,N沟道增强型功率场效应晶体管,N-CHANNEL POWER MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS,SFD7N65TS,SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,开关模式电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,UPS,SMPS,LED LIGHTING POWER,LED照明电源

2024/3/19 - 数据手册 - Rev 1.0 代理服务技术支持采购服务