【产品】漏极电流为340mA的N通道MOSFET器件,适用于便携式设备的负载开关应用

2022-01-26 固得沃克
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2N7002KDW固得沃克公司推出的一款N通道MOSFET,在环境温度为25℃时的最大额定值参数值为:其漏源极电压60V,栅源电压±20V,漏极电流为340mA,耗散功率为0.15W,结温为150℃,储存温度范围-55℃~150℃,结到环境的热阻为833℃/W。该产品非常适用于便携式设备的负载开关和DC/DC转换器等相关应用。

 

图1  2N7002KDW封装图


图2  2N7002KDW等效电路图



特点:

●采用低RDS(ON)的高密度单元设计

●电压控制小信号开关

●坚固可靠

●高饱和电流能力

●静电放电保护

 

应用:

●便携式设备的负载开关

●DC/DC转换器


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可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。

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