【应用】国产低压MOS管CJAC100SN08U助力船用BMS设计，导通阻抗低至3mΩ

合科泰P沟道MOS管AO4419，最大漏源电压为30V，可用于电机驱动和电源等应用

‌作为一种经典MOS管类型，P沟道MOS管的特点通常包括高输入阻抗和低输出阻抗，可以实现电路信号的放大和调节。本文，给大家推荐一款东莞生产的PMOS管，其性能强大，在很多产品上可以看到它。

【应用】内部集成MOS的降压DC-DC EG1198用于BMS，宽电压输入10至120V，外围电路简单

车辆的其他系统在需要使用电池包供电时，需要进行降压，推荐屹晶微电子EG1198降压DC-DC用于电动车BMS一级降压。支持范围10V至120V的宽电压输入，最大输出电流达1.5A， 外围电路结构简单，集成功率MOS管、多种保护功能。

【应用】如何使用MLX90411单相BLDC单芯片作为预驱芯片，设计高电压大电流大功率水泵

迈来芯推出的新一代单相BLDC单芯片电机驱动方案MLX90411，因为其简单的电机设计和无需编程的特点，广泛应用于15W以下水泵和风扇应用中。但是受封装尺寸影响，目前大于15W的应用单单使用MLX90411并不能实现，为此原厂推出了MLX90411作为预驱的方案，外部增加更高耐压和过流的MOS管，实现更大功率的水泵应用。

最大漏源电压60V的合科泰MOS管HKTD80N06，可承受80A连续漏极电流，适用于电机驱动和电源等

合科泰电子生产的一款MOS管HKTD80N06产品采用N沟道制作，它具有很好的电气性能，其能承受的最大漏源电压60V，栅源电压20V，连续漏极电流80A，漏源导通电阻0.0065欧姆，最小栅极阈值电压2V，最小栅极阈值电压4V，耗散功率100mW。它具有超低功耗、充分表征雪崩电压、模压塑料材料温度可靠等特点。高电流承载能力，能承受高达80A的连续漏极电流，使得它非常适合于需要高电流的应用场景。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

【经验】BMS应用笔记：详解功率MOS管

由于锂电池的特性，在应用过程中需要对其充放电过程进行保护，避免因过充过放或过热造成电池的损坏，保证电池安全的工作。本文虹美功率半导体将介绍功率MOS管在BMS系统中的常见失效类型，以及如何预防改善。

合科泰NMOS管HKTQ60N02凭借强大特性和低功耗，广泛用于电机驱动和BMS、便携式设备负载开关等

合科泰电子生产的NMOS管HKTQ60N02具有很好的电气性能，其能承受的最大漏源电压达20V，栅源电压2.5V，连续漏极电流50A，漏源导通电阻0.0075欧，最小栅极阈值电压0.5V，最大栅极阈值电压1V，耗散功率83mW。重量约0.012克，非常轻薄便捷。它作为一款低压MOS产品，具有强大特性和低功耗，适用于物联网设备、小信号驱动和通讯领域等。

【产品】国产Cu-Clip封装的SGT工艺MOSFET CJAC100SN08U，RDS低至3.0mΩ

长晶科技的SGT工艺MOSFET CJAC100SN08U，漏源级击穿电压为80V，连续漏极电流为100A，不含卤素，符合RoHS标准。该产品采用先进的Cu-Clip封装工艺，封装形式为PDFNWB5×6-8L。

MOS管在无刷电机上的作用

无刷电机是一种将电能转换为机械能的驱动装置，也被称为无刷直流电机（BLDC Motor）。本文凌讯微电子来为大家介绍MOS管在无刷电机上的作用，希望对各位工程师朋友有所帮助。