【产品】N沟道和P沟道互补型高级功率MOSFET RU30C30M，内置ESD保护，适用于负载开关
锐骏半导体推出采用PDFN5060封装的N沟道和P沟道互补型高级功率MOSFET RU30C30M，单个芯片集成一个N-MOSFET和一个P-MOSFET，开关速度快，内置ESD保护，低栅极电荷，可用于负载开关。
产品外观和示意图
特点：
●N沟道：
漏源电压30V，连续漏极电流30A
RDS(ON)=7.5mΩ(典型值)@VGS=10V
RDS(ON)=10mΩ(典型值)@VGS=4.5V
●P沟道：
漏源电压-30V，连续漏极电流-30A
RDS(ON)=13mΩ(典型值)@VGS=-10V
RDS(ON)=22mΩ(典型值)@VGS=-4.5V
●开关速度快
●ESD保护
●低栅极电荷
●无铅和器件绿色环保（符合RoHS）
应用：
负载开关
最大额定参数：
电气特性(TA=25℃，除非特别说明)：
订购和标记信息：
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锐骏半导体（Ruichips）应用于BLDC电机风扇的MOSFET选型指南
目录- BLDC电机市场概况 BLDC电机基本原理 BLDC电机风扇基本原理
型号- RU30C30M,RU30C8H,RU30C30L4,RU30C10H,RU40C40L4,RU40C40M
锐骏半导体MOSFET选型表
锐骏半导体提供以下参数的MODFET：Channel:P/N+P/Dual+P/Dual-P; ESD Diode :N/Y;VDSS:-40~85V;VTH:-3~5V;IDS:-70~230A
|
产品型号
|
品类
|
Channel
|
ESD Diode (Y/N)
|
VDSS(V)
|
VTH(V)
|
IDS(A)@TA=25℃ (A)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)
|
Package
|
|
RU207C
|
MOSFET
|
N
|
N
|
20
|
0.5-1.1
|
6
|
10
|
15
|
SOT23-3
|
选型表 - 锐骏半导体 立即选型
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电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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