【产品】N沟道和P沟道互补型高级功率MOSFET RU30C30M，内置ESD保护，适用于负载开关

时间： 2022-05-12 来源：锐骏半导体

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锐骏半导体推出采用PDFN5060封装的N沟道和P沟道互补型高级功率MOSFET RU30C30M，单个芯片集成一个N-MOSFET和一个P-MOSFET，开关速度快，内置ESD保护，低栅极电荷，可用于负载开关。

产品外观和示意图

特点：

●N沟道：

漏源电压30V，连续漏极电流30A

R_DS(ON)=7.5mΩ(典型值)@V_GS=10V

R_DS(ON)=10mΩ(典型值)@V_GS=4.5V

●P沟道：

漏源电压-30V，连续漏极电流-30A

R_DS(ON)=13mΩ(典型值)@V_GS=-10V

R_DS(ON)=22mΩ(典型值)@V_GS=-4.5V

●开关速度快

●ESD保护

●低栅极电荷

●无铅和器件绿色环保（符合RoHS）

应用：

负载开关

最大额定参数：

电气特性(T_A=25℃，除非特别说明)：

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产品型号	品类	Channel	ESD Diode (Y/N)	VDSS(V)	VTH(V)	IDS(A)@TA=25℃ (A)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)	Package
RU207C	MOSFET	N	N	20	0.5-1.1	6	10	15	SOT23-3