【经验】1200V/75mΩ高性价比SIC MOSFET助力6.6KW车载OBC全桥逆变，较主流型号成本降低10%
车载OBC充电机电路主要由AC/DC整流、升压PFC、全桥逆变、AC/DC整流四部分组成，OBC车载充电机简易电路框图如下图1所示。
图1：OBC车载充电机简易电路框图
为提升6.6KW的车载OBC充电效率，其全桥逆变的开关管一般选用高耐压、低导通损耗的1200V/80mΩ SIC MOSFET做设计，针对这个规格，市场上主流应用的型号为WOLFSPEED（科锐）的C2M0080120D、LITTELFUSE（力特）的LSIC1MO120E0080，均为TO-247-3封装，两个型号可以完全pin-pin兼容，市场上的价格也基本相当。
为满足市场端设计研发人员为兼容普通MOSFET的栅源工作电压（主要是正电压+15V）设计，并降低系统设计成本的需求，世界知名半导体供应商Wolfspeed（科锐）有推出一款自带独立驱动源引脚（又称开尔文源极引脚）的TO-247-4封装、具有更低的导通阻抗、单价设计成本相比1200V/80mΩ的SIC MOSFET可降低10%的SIC MOSFET，型号为 C3M0075120K，下面提供下LSIC1MO120E0080、C2M0080120D和C3M0075120K电性参数对比，参考如下图2所示。
图2：SIC MOSFET LSIC1MO120E0080、C2M0080120D和C3M0075120K电性参数对比
通过如上图示易知，Wolfspeed（科锐）新推出的C3M0075120K SIC MOSFET产品技术优势明显：
1、 在Tc=25℃条件下，75mΩ导通电阻+51nC总栅极电荷，具有更低的开关损耗特性；在高温条件下仍可维持较低的导通电阻，有利于提高工作效率的同时降低了系统的冷却需求；
2、 栅源电压VGS建议值为-4V和+15V，与普通MOSFET相同的栅极工作电压设计，产品兼容性更强；
3、 反向传输电容低至3pF，可有效抑制开关噪声，改善Vge波形振铃，避免关断期间因栅极振动过大出现误导通现象；
4、 器件的总开启时间为33ns，总关闭时间为44ns，具有快速开关能力，可满足用户高速开关的需求。
Wolfspeed（科锐）C3M0075120K SIC MOSFET采用TO-247-4封装，共有4个pin脚，分别为pin1（D极）、pin2（S极）、pin3（S极-开尔文源极）、pin4（G极），其实物图和内部功能框图参考如下图3所示。
图3：Wolfspeed（科锐）C3M0075120K SIC MOSFET的实物图和内部功能框图
通过如上图示易知：
Wolfspeed（科锐）C3M0075120K SIC MOSFET采用先进的C3MSiCMOSFET技术，经过优化的封装，自带独立驱动源引脚（pin3），又称开尔文源极引脚，其用作栅极驱动电压的参考电势，从而消除电压降对源极（S极）封装寄生电感的影响，可以最大限度地减少门极振荡并减少系统损耗。
除去如上的设计优势外，Wolfspeed（科锐）C3M0075120K SIC MOSFET的漏极和源极之间的爬电距离为8mm，可参考其尺寸图，见下图4所示。
图4：Wolfspeed（科锐）C3M0075120K SIC MOSFET封装尺寸图
最后，总结下Wolfspeed（科锐）C3M0075120K SIC MOSFET器件优势：
1、低损耗：
◆在Tc=25℃条件下，75mΩ导通电阻+51nC总栅极电荷，具有更低的导通损耗和开关损耗特性；同时，在高温Tc=100℃条件下，仍可维持较低的导通电阻（典型值为100mΩ），有利于提高工作效率的同时降低了系统的冷却需求；
◆采用自带独立驱动源引脚的TO-247-4封装，可有效消除电压降对源极封装寄生电感的影响，可以最大限度地减少门极振荡并减少系统损耗；
2、兼容性强
栅源电压VGS建议值为-4V和+15V，与普通MOSFET相同的栅极工作电压设计，产品兼容性更强；
3、低开关噪声
反向传输电容低至3pF，可有效抑制开关噪声，改善Vge波形振铃，避免关断期间因栅极振动过大出现误导通现象；
5、快速开关能力
器件的总开启时间为33ns，关闭时间为44ns，可满足用户针对高速开关的需求；
6、高安全性
相比TO-247-3封装的漏极和源极之间的爬电距离5.44mm，TO-247-4封装的漏极和源极之间的爬电距离高达8mm，产品具有更高的安全性；
7、更低的成本
单价成本相比Littelfuse（力特）LSIC1MO120E0080 和 Wolfspeed（科锐）C2M0080120D降低10%，全桥逆变单机用量4颗，可大幅降低系统设计成本。
如果您感兴趣记得收藏和点赞哦，感谢！有问题可以留言或到技术难题版块提问哦。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由honglei提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【经验】以LSIC1MO120E0080为例分析驱动电压对Sic MOSFET的影响
本文通过Littelfuse的1200V/80mΩ的Sic MOSFET（LSIC1MO120E0080）的导通电阻和驱动电平数据分析驱动电压的大小和宽度对效率的影响。
设计经验 发布时间 : 2019-09-28
【经验】教你采用SiC MOSFET设计高效率有源电力滤波器（APF）
采用新型开关器件SiC MOS，一方面无需采用复杂的三电平拓扑，仍采用两电平拓扑电路，功率器件数量少、控制策略成熟；另一方面SiC MOS管具有良好的开关特性，开关频率高达100kHz以上，开关损耗低，效率高。下面以Littelfuse推出的80mΩ/1200V的SiC MOS管（LSIC1MO120E0080）为例，介绍其在高性能APF中的应用。
设计经验 发布时间 : 2019-01-01
【经验】两电平SiC MOSFET PFC对比传统硅半导体三电平Vienna PFC，提供更高效率、功率密度和更低成本
本文展示了一款新设计，采用Wolfspeed 推出的1000 V/65 mΩ SiC MOSFET C3M0065100K，两电平六开关拓扑的PFC，与传统硅半导体三电平六开关Vienna PFC进行对比，实现了更高的效率，更高的功率密度，更低的成本，并且具备双向功能。
设计经验 发布时间 : 2019-03-31
中电国基南方SiC MOSFET选型表
中电国基南方提供SiC MOSFET的以下参数选型，VDSS(V):650V~1700V，RDS(on):11mΩ~1000mΩ，ID:5~150A，有TO-247-3、TO-247-4等多种封装形式。
|
产品型号
|
品类
|
GEN
|
VGS(th)(V) (Typ.)
|
Junction Temperature(TJ)(MAX)(℃ )
|
VDSS(V)
|
Drain Current(A) TC=25℃
|
质量等级
|
RDS(on)(mΩ)
|
Package
|
Gate Charge Total(Qg)(nc)
|
Total Power Dissipation(PTOT)(W)
|
|
WM2V020065K
|
SiC MOSFET
|
G2
|
2.6V
|
175℃
|
650V
|
92A
|
车规级
|
20mΩ
|
TO-247-3
|
187nc
|
312W
|
选型表 - 中电国基南方 立即选型
澜芯半导体车规级SiC MOSFET/ IGBT等功率器件授权世强硬创代理
1200V 40mΩ SiC MOSFET和基于第二代工艺平台开发的1200V 12mΩ SiC MOSFET单芯片流片取得巨大成功，平均良率达到90%以上。
签约新闻 发布时间 : 2023-10-18
爱仕特D21系列三相桥碳化硅模块，具有高效能、高功率密度和优秀的散热性能，引领车载空调压缩机发展
在2024年上海慕尼黑电子展上，爱仕特隆重推出了创新力作D21系列模块——1200V三相全桥碳化硅模块。这款模块采用紧凑型顶部散热塑封结构，以其高效能、高功率密度和优秀的散热性能，展现了碳化硅材料在高压、高频、低损耗方面的优势，为电动汽车空调压缩机、车载充电机及工业驱动系统等提供了创新解决方案，推动行业向更高效、更环保的方向迈进。
产品 发布时间 : 2024-08-27
【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行
现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。
器件选型 发布时间 : 2020-12-29
蓉矽半导体1200V碳化硅产品用于车载充电机，整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上
蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。采用1200V SiC器件可以简化系统拓扑复杂度，总损耗可降低50%以上，磁性器件体积可降低70%以上。整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上。
应用方案 发布时间 : 2024-07-17
【应用】Littelfuse SiC MOSFET LSIC1MO120E0160助力有源电力滤波器大幅提升开关频率
传统的有源滤波器通常只能滤除25次及以下次谐波，通常采用IGBT作为主功率器件，开关频率低，滤波效果差。Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO120E0160可将开关频率由20kHz提高至100kHz，实现滤波高达50次谐波的有源滤波器设计。
应用方案 发布时间 : 2021-01-12
【元件】瞻芯电子再推3款车规级第二代650V SiC MOSFET产品，具备业界较低的损耗水平
瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified）。瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET芯片，具备业界较低的损耗水平，且驱动电压为15V~18V，兼容性更好。
产品 发布时间 : 2024-03-13
蓉矽半导体碳化硅产品在车载充电机中的应用：已通过AEC-Q101测试和HV-H3TRB考核
为了提升充电效率，延长续航里程，800V高压平台成为主流选择。使用1200V碳化硅MOSFET对提升OBC功率密度、降低重量具有积极意义和显著效果。NOVUSEM自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。
应用方案 发布时间 : 2024-07-20
【应用】1200V SiC MOSFET ASC60N1200MT4用于车载充电机，有效提高电源系统转换效率
国产爱仕特碳化硅（SiC）MOSFET ASC60N1200MT4用于车载充电机，有效提高电源系统转换效率降低电能损耗，易实现小型化、耐高温高压，在充电桩、公交大巴、电机控制器、车载充电机上有大量成功应用案例，采用SiC MOS 4/ 6英寸晶圆。
应用方案 发布时间 : 2022-05-18
【应用】Littelfuse SiC MOSFET/SiC二极管用于三相光伏逆变器，实现99%转换效率
Littelfuse SiC MOS管和二极管应用于光伏逆变器BOOST升压电路，SiC MOS管栅极电荷低至95nC，开关损耗很低，开关频率可运行到100kHz以上。SiC二极管反向恢复电流可忽略不计，支持高频开关电路，开关损耗极低，可有效降低开关损耗，提高整机效率。
应用方案 发布时间 : 2020-11-26
【应用】1200V/160mΩ的SiC MOSFET助力双向OBC小型化设计，可实现300KHz开关频率
本文推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO120E0160，耐压1200V，导通电阻160mΩ，助力双向OBC设计。可实现300KHz的开关频率，设计时可减小变压器体积，实现OBC小型化需求，此外产品本身具有高可靠性。
应用方案 发布时间 : 2021-01-14
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论