【产品】1200V超低Vsat PT XPT™ GenX4™ IGBT IXYT85N120A4HV

时间： 2020-07-16 来源：Littelfuse

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LITTELFUSE（力特）推出型号为 IXYT85N120A4HV 的超低Vsat PT IGBT，采用力特专有的XPT™薄晶圆技术和最先进的第4代（GenX4™）沟槽IGBT流程研发，具有高功率密度、低栅极驱动要求等特点。该产品采用TO-268HV封装，最高结温可达175℃，储存温度范围在-55℃~175℃，耐高、低温性能优异。

图1 产品实物图

此外， IXYT85N120A4HV的V_CES最大额定值为1200V，饱和压降V_CE（sat）的最大值低至1.8V，导通损耗低。当Tc=110℃时，集电极 - 发射极所能承受的直流电流最大值为85A；关断时间 t_fi的典型值为280ns。

特点

● 针对低传导损耗进行了优化

● 正热系数V_ce(sat)

● 国际化标准封装

优势

● 高功率密度

● 低栅极驱动要求

应用领域

● 功率逆变器

● 不间断电源(UPS)

● 电机驱动

● 开关式电源(SMPS)

● 电源功率因数校正（PFC）电路

● 电池充电器

● 焊接机

● 灯镇流器

● 浪涌电流保护电路

电气参数表

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