【产品】1200V超低Vsat PT XPT™ GenX4™ IGBT IXYT85N120A4HV
LITTELFUSE（力特）推出型号为 IXYT85N120A4HV 的超低Vsat PT IGBT，采用力特专有的XPT™薄晶圆技术和最先进的第4代（GenX4™）沟槽IGBT流程研发，具有高功率密度、低栅极驱动要求等特点。该产品采用TO-268HV封装，最高结温可达175℃，储存温度范围在-55℃~175℃，耐高、低温性能优异。
图1 产品实物图
此外， IXYT85N120A4HV的VCES最大额定值为1200V，饱和压降VCE（sat）的最大值低至1.8V，导通损耗低。当Tc=110℃时，集电极 - 发射极所能承受的直流电流最大值为85A；关断时间 tfi 的典型值为280ns。
特点
● 针对低传导损耗进行了优化
● 正热系数Vce(sat)
● 国际化标准封装
优势
● 高功率密度
● 低栅极驱动要求
应用领域
● 功率逆变器
● 不间断电源(UPS)
● 电机驱动
● 开关式电源(SMPS)
● 电源功率因数校正（PFC）电路
● 电池充电器
● 焊接机
● 灯镇流器
● 浪涌电流保护电路
电气参数表
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