【产品】采用SOP-8封装的双N沟道增强型MOSFET,允许工作电压范围宽为±10VGSS,可优化电池保护电路

2022-04-18 蓝箭电子
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蓝箭电子推出的BRCS9926SC是一款采用SOP-8塑封封装的双N沟道增强型MOSFETN沟道Power Trench MOS双场效应管),无卤产品 。具有内置双MOSFET,低栅极电荷,优化电池保护电路的特征,允许工作电压范围宽:±10VGSS。用于电池保护,负载开关,电源管理。


●特征

优化电池保护电路

允许工作电压范围宽:±10VGSS

低栅极电荷

内置双MOSFET

无卤产品


●用途

电池保护,负载开关,电源管理。


●内部等效电路


●引脚排列


●极限参数(Ta=25℃)



●电性能参数(Ta=25℃)



Notes:

1. RθJA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of the drain pins. RθJA is guaranteed by design while RθJA is determined by the user's board design.

a) 78°C/W when mounted on a 0.5 in a pad of 2 oz. copper.

b) 125°C/W when mounted on a 0.02 in a pad of 2 oz. copper.

c)135°C/W when mounted on a minimum pad.


●耐焊接热试验条件

温度:260±5℃

时间:10±1 sec.


●包装规格

卷盘包装

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
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本文由放弃是坚强的第一课转载自蓝箭电子,原文标题为:BRCS9926SC Dual N-Channel Power Trench MOSFET in a SOP-8 Plastic Package,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

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2022/12/14  - 华轩阳电子  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本
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品牌:蓝箭电子

品类:中低压MOS

价格:¥0.2750

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品牌:PANJIT

品类:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:¥0.1090

现货: 6,465

品牌:PANJIT

品类:Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet

价格:¥0.6648

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品牌:PANJIT

品类:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:¥1.0855

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品牌:PANJIT

品类:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:¥0.1676

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品牌:AIT

品类:MOSFET

价格:¥2.9941

现货: 2,500

品牌:PANJIT

品类:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:¥0.3390

现货: 20

品牌:PANJIT

品类:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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现货: 0

品牌:PANJIT

品类:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:PANJIT

品类:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:

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实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>

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