【产品】采用SOP-8封装的双N沟道增强型MOSFET，允许工作电压范围宽为±10VGSS，可优化电池保护电路
蓝箭电子推出的BRCS9926SC是一款采用SOP-8塑封封装的双N沟道增强型MOSFET（N沟道Power Trench MOS双场效应管），无卤产品 。具有内置双MOSFET，低栅极电荷，优化电池保护电路的特征，允许工作电压范围宽：±10VGSS。用于电池保护，负载开关，电源管理。
●特征
优化电池保护电路
允许工作电压范围宽：±10VGSS
低栅极电荷
内置双MOSFET
无卤产品
●用途
电池保护，负载开关，电源管理。
●内部等效电路
●引脚排列
●极限参数(Ta=25℃)
●电性能参数(Ta=25℃)
Notes:
1. RθJA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of the drain pins. RθJA is guaranteed by design while RθJA is determined by the user's board design.
a) 78°C/W when mounted on a 0.5 in a pad of 2 oz. copper.
b) 125°C/W when mounted on a 0.02 in a pad of 2 oz. copper.
c)135°C/W when mounted on a minimum pad.
●耐焊接热试验条件
温度：260±5℃
时间：10±1 sec.
●包装规格
卷盘包装
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本文由放弃是坚强的第一课转载自蓝箭电子，原文标题为:BRCS9926SC Dual N-Channel Power Trench MOSFET in a SOP-8 Plastic Package，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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