【经验】GaN驱动电压负压为何被箝位？
随着第三代半导体的兴起，GaN已经在各行各业开始普及，但GaN的驱动电压范围偏窄，尤其是负压驱动。本文将结合英诺赛科的GaN增强模式功率晶体管INN650D150A，讨论下GaN驱动电压负压为何被箝位？
如图1所示，在INN650D150A的门极驱动电阻前端加上-5V的驱动电压，测试GaN管子G、S两端电压只有不到-2V的电压，其压降在-3V左右，驱动电压上下微调时，G、S两端电压几乎不变，其电压像是被箝位了一样。
图1 INN650D150A的驱动电路示意图
出现以上情况，很多工程师以为是管子或者驱动电路出现了什么问题。其实不然，主要是由于英诺赛科在GaN器件门极驱动增加了ESD的保护电路，INN650D150A的G、S两端驱动电压Vgs与门极驱动电流Ig之间的关系从图如图2所示，门极增加了负压ESD保护电路，在负压驱动时，随着Ig电流增大，Vgs电压被箝位在-2V以内，其设计的主要目的是因为GaN器件的负压驱动范围很窄，避免驱动负压过高损坏GaN器件。
图2 INN650D150A门极驱动电压Vgs-Ig曲线图
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Bob提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【经验】英诺赛科65W PD快充驱动电路以及PCB layout设计指导
英诺赛科65W PD快充产品中使用650V 130mΩ GaN FET作为主功率开关器件，由于开关频率较高，较快的开关速度势必会带来较高的dv/di,di/dt，需要我们从驱动电路以及PCB layout上做较多考量，本文就驱动电路以及PCB layout设计提出一些建议。
【经验】高压InnoGaN驱动设计教程
高压InnoGaN在栅极集成ESD保护电路，提高栅极的可靠性。英诺赛科现有的大部分产品栅极持续电压范围在-1.4V~+7V,为了满足大功率电源应用时对驱动有高负压关断需求，部分产品栅极耐负压能力提升至-6V。
【经验】650V GaN FET INN650D02用于60W PD快充的性能参数分析
近期英诺赛科推出的60W PD快充demo板，采用的QR反激+SSR同步整体结构，支持PD 3.0协议，主功率器件采用自己制造的650V GaN FET产品INN650D02，最大效率对于MOSFET有大概2%提升。产品尺寸31mm*31mm*60mm，功率密度达到18W/in3，无论产品效率还是EMI性能，完全满足PD产品对于外形尺寸以及效率性能的要求。
拆解报告：公牛65W 1A1C氮化镓充电器
充电头网通过拆解了解到，公牛这款氮化镓充电器采用杰华特JW1515HA+JW7726快充电源方案，搭配使用英诺赛科INN650D150A氮化镓开关管。采用两颗智融SW2303协议芯片分别对应USB-C和USB-A接口，并使用两颗防过充保护芯片进行自动断电功能。USB-A口采用同步升降压芯片进行电压转换。内部采用导热胶填充，增强散热性能。
英诺赛科（Innoscience）高压GaN FET/低压GaN FET/晶圆选型表
目录- HV GaN FET LV GaN FET & Wafer
型号- INN150LA070A,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN100W08,INN040LA015A,INN100W14,INN650D190A,INN650D080B,INN40W08,INN650N500A,INN650D350A,INN040W048A,INN650TA030A,INN650DA190A,INN650DA350A,INN650N260A,INN650DA150A,INN650DA260A,INN100W032A,INN650N150A,INN650TA080A,INN650N140A,INN650N240A
英诺赛科氮化镓芯片进入安克、倍思、联想、摩托罗拉、OPPO等一线供应链，出货超1.7亿颗
英诺赛科高频高效的氮化镓芯片可以帮助客户设计更高功率密度的电源解决方案，其产品已被三星，OPPO，VIVO，华硕，努比亚，绿联，多家知名品牌和厂商所采用，今年年初与VGaN系列产品，以创新的方式将氮化镓芯片内置于手机，实现手机全链路氮化镓快充。
【应用】国产GaN MOSFET INN650D150A助力家用手持射频美容仪推挽电路设计，实现5M射频输出
传统的射频美容仪大多使用Si MOSFET来设计推挽电路，这样设计的话成本固然会有所降低，但是这样设计的产品最高只能达到2M左右的射频输出。本文介绍的新方案是利用英诺赛科的INN650D150A GaN MOSFET，实现5M以上射频输出。
【应用】国产GaN MOSFET搭配驱动+同步整流芯片实现大功率密度65W PD快充，效率可达90%以上
某客户要设计一款高效、大功率密度的65W PD快充，本文重点介绍使用英诺赛科的INN650D150A GaN MOSFET作为主开关管，搭配必易微的驱动芯片+同步整流芯片：KP2206SSGA+KP4060LGA，效率可达90%以上。
【应用】氮化镓增强型功率晶体管选用INN650D150A用在快速瞬变负责测试仪，拥有负压保护电路能避免负压过高损坏电路
某客户的快速瞬变负责测试仪上需要一款氮化镓MOS管，配合前级的PWM驱动芯片，用来测试负载的di/dt。氮化镓MOS要求耐压要到500V，要求快速开启和快速关断，可以做到10ns级和极小的Qg电容。根据客户实际使用场景及需求，笔者给客户推荐了英诺赛科的氮化镓增强型功率晶体管INN650D150A。
【视频】650V国产GaN器件，为不同功率需求的PD快充设计提供对应的设计方案
描述- 本文介绍了英诺赛科（Innoscience）的650V GaN FET产品，包括其特性、驱动设计、PCB布局注意事项以及产品选型。该GaN FET具有超低开关频率、零反向恢复损耗、更小的导通和开关损耗，适用于高频应用。文章还提供了驱动电路设计、PCB布局建议以及不同功率等级的产品选型指南。
型号- INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN650DA150A,INN650DA260A
PCNA2107：高压装置的备用阴极保护测试位置
描述- Innoscience (INNO) 宣布，V-test (Wuxi) Semiconductor Technology Co. ltd 已被认定为高压设备（HV）的备选CP测试站点。此变更旨在增加CP测试能力，以更好地支持相关产品的长期需求。现有和未来的INNO HV产品可在任何合格设施进行测试，对应用、功能、质量和可靠性无影响，数据表无变更。受影响的包括所有当前生产和未来的HV产品。
型号- INN650D02,INN650DA04,INN650N04,INN650N05,INN650D260A,INN650D150A,INN650N260A,INN650DA260A,INN650DA150A
【应用】英诺赛科推出300W GaN适配器方案，体积减小30%
英诺赛科作为全球最大的8英寸硅基氮化镓企业，在生产成本和产品迭代上拥有较大优势。不久前，英诺赛科推出了300W氮化镓适配器方案，为更大功率、更高效率和更小体积的电源设计提供全面参考。
PCNA2104：DFN 8x8模块产品的备用引线框架供应商
描述- Innoscience (INNO) 宣布CWE (Changhua) 作为DFN 8x8模块产品的备选引线框架供应商已通过资格认证。此变更不影响产品的外形、尺寸和功能，产品数据表和封装规格保持不变。变更旨在评估受影响产品的质量和可靠性性能。变更涉及的材料清单（BOM）更新，原供应商DCI (Dynacraft Industries) 更换为CWE(Changhua)。受影响的产品包括INN650D02、INN650D01等。实施日期预计为2021年8月30日。
型号- INN650D01,INN650D02,INN650D260A,INN650D150A
PCNA2101：DFN模块中HV设备的备用装配位置
描述- Innoscience (INNO) 宣布将 Huatian Technology Xi'an Co, Ltd (HTXA) 评为 DFN 模块中高压器件的备选组装地点。此变更不影响产品的外形、尺寸和功能，产品数据表和封装规格保持不变。INNO 对 HTXA 组装的受影响产品进行了质量可靠性评估。变更实施后，INNO 将从两个地点之一发货，并提供了实施日期的关键日期。
型号- INN650D01,INN650D02,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN650DA01,INN650DA02,INN650DA150A,INN650DA260A
现货市场
服务
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论