【经验】R-Car H3的PMIC中MOSFET的使用

时间： 2019-11-26 来源：Renesas

SoC芯片 R-Car H3是RENESAS第三代R-Car汽车自动驾驶平台解决方案，64位ARM架构体系，八核处理器，四个Cortex-A57，四个Cortex-A53，还有一个用于实时处理的双锁步Cortex-R7内核，以及 PowerVR Series6XT GX6650 3D图像加速引擎，频率600MHZ。本文主要介绍R-Car H3的PMIC中MOSFET的使用。

R-Car H3的参考设计中PMIC有两路0.8V输出电压VDD0.8V和DVFS0.8V，这里用到了2颗罗姆的MOSFET芯片SP8K2FRA：

每一颗MOSFET芯片包含了2个N沟道MOS管，PMIC的HG_DVFS，LG_DVFS分别需要接到2颗MOS管的G极(栅极)，同时漏极(D极)分别接VDD_DVFS，SW_DVFS，而源级(S极)分别接PMIC的SW_DVFS，PGND_DVFS。这样就完成了PMIC搭配一颗MOSFET芯片后实现0.8V的DC-DC降压转换输出。

上图就是一款罗姆的MOSFET芯片，内部包含2颗MOS管，D-S电压最高30V，导通阻抗30毫欧，导通电流最高6A，功率2W，引脚1，3为源极(D极)，5，6，7，8为漏极(D极)，2，4为控制栅极(G极)，按照引脚关系跟以上R CAR H3的PMIC的参考电路的说明可以对应起来，方便理解。

通过以上介绍，对于R-Car H3的PMIC中使用MOSFET就清楚了，如果硬件工程师需要更换其他MOSFET，也可以按照以上电路说明设计这部分电源电路，使系统的设计更灵活高效。

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