【产品】存储器容量达4G的高性能DRAM,高速存取轻而易举!

2017-03-15 世强
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——最高时钟频率达800MHz,采用双倍数据率架构的第三代低压动态随机存取存储器


AS4C512M8D3LAALLIANCE Memory公司推出的一款第三代低压双倍数据率动态随机存取存储器(DDR3L DRAM),容量可达4Gb,内部可划分为8个bank,组织形式为64Mbit×8I/Os×8banks。该存储器采用1.35V电源供电,可有效降低芯片功耗。与普通设备相比,该DRAM采用双倍数据速率架构以实现高速数据读写操作,最高时钟频率为800MHz。



图1:AS4C512M16D3LA实物图


AS4C512M8D3LA符合JEDEC时钟抖动规范,芯片设计遵循所有DDR3L DRAM的关键特性,在时钟上升沿和下降沿均可实现数据锁存,普通应用中该芯片的最高读写速率可达1600M/s/p。该DRAM工作温度为0°C~+95°C,采用78球的FBGA封装,封装尺寸为9 x 10.5 x 1.0mm。该款DDR3L存储器适用于需要高存储带宽的场景,如高性能PC设备、高清视频解码器、数据采集器等。


主要特性:
JEDEC标准兼容
符合JEDEC时钟抖动要求
电源电压:VDD & VDDQ = 1.35V
快速时钟频率:800MHz
 数据速率:1600M/s/p
支持自动刷新和自我更新
预充电和主动断电
符合RoHS要求
工作温度范围:0℃〜+95°C
 差分时钟:CK&CK#
双向单/差分数据选通:DQS和DQS#
采用78-ball FBGA封装,封装尺寸:9mm x 10.5mm x 1.0mm

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
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  • 海锋 Lv9. 科学家 2018-01-15
    不错
  • BATI Lv7. 资深专家 2018-01-12
    不是车规的吧
  • 朱良涛 Lv6. 高级专家 2017-11-21
    学习了
  • 志成 Lv7. 资深专家 2017-10-17
    好东西,学习一下
  • 独角兽 Lv9. 科学家 2017-09-05
    好东西
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产品型号
品类
Product Family
DENSITY
ORGANISATION
VCC(V)
TEMPERATURE RANGE(°C)
PACKAGE
MSL LEVEL
AS7C164A-15JCN
存储器
FAST-Asynch
64K Fast
8K x 8
5V
Commercial (0 ~ 70°C)
28pin SOJ(300mil)
3

选型表  -  ALLIANCE 立即选型

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型号- AS4C16M16SA-6TIN,AS4C16M16SA-6BIN,AS4C16M16SA-6TAN,AS4C16M16SA-6BAN,AS4C16M16SA-6TCN,AS4C16M16SA-C&I,AS4C16M16SA,AS4C16M16SA-7TCN,AS4C16M16SA-7BCN

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型号- MB85RS128B,MB97R8110,MB97R8130,MB85RS16N,MB97R8050,MB85RS64TU,MB85R256F,MB85RDP16LX(*),MB89R119B,MB85RS256B,MB85RC16,MB85RC512T,MB85RS2MTA,MB85RC1MT,MB85RC64V,MB85RS64,MB97R8120,MB85RDP16LX,MB85RS128T,MB85RS512T,MB85RS256TY,MB85RC64TA,MB85RC128A,MB89R112B,MB94R330,MB85RS128TY,MB89R112A,MB85R4M2T,MB85RS64T,MB89R118C,MB85RC256V,MB85RQ4ML,MB85RC04V,MB85RC16V,MB85RS1MT,MB85RS64V

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