【经验】N沟道增强型MOS管YJD50N06A用于防反接电路,电流由S极进入而从D极流出
对于平常日用的一些产品,产品在进行设计时就会考虑防反接这个问题,但是,对于产品处于工厂生产阶段,可能不便采用防差错接头,这可能就会造成由于生产人员的疏忽造成反接,带来损失。所以给电路增加防接反电路有时还是有必要的。本文主要介绍一种利用NMOS管设计的防反接电路。
N沟道增强型场效应管防接反电路:
NMOS为扬杰科技的YJD50N06A,这个电路的最大一个特点就是场效应管的D极和S极的接法。通常我们在使用N沟道增强型MOS管时,一般是电流由D极进入而从S极流出。应用在这个电路中时则正好相反。
原理分析如下:
1.在电源极性正确时,电流起始时通过场效应管的稳压管导通,S极电压接近0V。两个电阻分压后,为G提供电压,使场效应管导通,因为其导通阻值很小,就把场效应管内部的二极管给替代了。
2.电源反接时,场效应管内的二极管未到击穿电压不导通。分压电阻无电流流过无法提供G极电压,也不导通。从而起到保护作用。
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品,漏源电压VDSS(V):-100V~900V,漏极电流ID(A):-115~300,耗散功率PD(W):-0.83W~375W;
产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
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Tj(℃)
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Vth_Typ(V)
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Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
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Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
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Qg_Typ(nC)
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Grade
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2N7002
|
MOSFET
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SOT-23
|
Active
|
No
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Single
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N
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60
|
0.34
|
0.35
|
±20
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150
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1.5
|
1200
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2500
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1300
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3000
|
27.5
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2.75
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1.9
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1.6
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Standard
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