【产品】铨力半导体推出采用SOP-8封装的N和P沟道增强型MOSFET AP2714SD,功率和电流处理能力高
铨力半导体推出一款采用SOP-8封装的N和P沟道增强型MOSFET——AP2714SD,具有高功率和电流处理能力,无铅产品,适用于PWM应用、负载开关、电源管理应用。
特点
N沟道
VDD=40V,ID=10A
RDS(ON)<22mΩ@VGS=10V
RDS(ON)<30mΩ@VGS=4.5V
P沟道
VDD=-40V,ID=-12A
RDS(ON)<35mΩ@VGS=-10V
RDS(ON)<50mΩ@VGS=-4.5V
无铅产品
高功率和电流处理能力
表面贴装封装
应用
PWM应用
负载开关
电源管理
绝对最大额定值参数(Ta=25℃,除非特别说明):
N沟道电气参数(Ta=25℃,除非特别说明)
P沟道电气参数(Ta=25℃,除非特别说明)
注:
1.重复额定值:脉冲宽度受最大结温限制
2.脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%
3.表面贴装在FR4板,t≤10s
封装标识及订购信息
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产品型号
|
品类
|
Package Type
|
Configuration
|
MOSFET Type
|
VDS (V)
|
VGS (V)
|
Vth (V)
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
|
ID(A) Tc=25℃
|
ID(A) Tc=100℃
|
AP2302B
|
Trench Mos
|
SOT23
|
Single
|
N
|
20
|
±8
|
0.5-1.2
|
-
|
45/52
|
52/67
|
-
|
2
|
-
|
选型表 - 铨力半导体 立即选型
深圳铨力半导体有限公司公司简介
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电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
提供稳态、瞬态、热传导、对流散热、热辐射、热接触、和液冷等热仿真分析,通过FloTHERM软件帮助工程师在产品设计初期创建虚拟模型,对多种系统设计方案进行评估,识别潜在散热风险。
实验室地址: 深圳 提交需求>
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