【技术】碳化硅晶体结构及4大材料优势

时间： 2023-10-03 来源：NOVUSEM官网

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SiC晶体

采用惯用基矢表示的4H-SiC晶体为六方晶系，这是4H-SiC中“H”（Hexagon）的来源 SiC分子堆叠的过程中共有3种可能的位置，根据堆叠周期和循环方式的不同形成了不同的多型体结构（SiC的多型体结构高达200种以上）。

4H-SiC采用ABCB的堆叠方式，周期为4，这也是4H-SiC中“4”的由来。

SiC材料优势在哪里？

碳化硅是宽禁带半导体材料的典型代表，是高温、高频、大功率等应用场合下的理想半导体材料。

宽禁带：SiC禁带宽度是Si的三倍，超高的禁带宽度使得价态电子跃迁为自由电子的能量提高，从而使得SiC器件可以应用于高温、高压、强辐射等极端环境而不失效。

高临界击穿电场强度：临界击穿电场强度是Si的10倍，这意味着同样厚度的材料，SiC可以承受远大于Si的耐压；换言之，在满足相同耐压的情况下，SiC可以实现远低于Si的导通电阻。

高热导率：热导率是Si的3倍多，这意味着SiC器件可以采用更加简化的散热系统，大幅度降低散热成本。

高饱和电子漂移速度：饱和电子漂移速度是Si的接近三倍，这意味着SiC器件可以工作在更高的开关速度和开关频率下，可以极大程度地减小器件的开关损耗。并且显著减小滤波器等无源器件的尺寸，使得系统整体小型化轻量化。

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【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用

型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT

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NOVUSEM（蓉矽）MOSFET/EJBS/MCR分立器件选型表（英文）

描述- NOVUSEM's silicon carbide product lines are divided into the cost-effective "NovuSiC®" series and the highly reliable "DuraSiC®" series. Within each line NOVUSEM has SiC EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky) diodes and SiC MOSFETs. NOVUSEM also offers silicon-based products, which include MCR® (MOS-Controlled Rectifier) and FR MOS (Fast Recovery MOSFET).

型号- NCD20S30TTD,NCD30S30TTD,NE1D120C20KT,NCD15S30TTD,NE1M120C75W,NC1D120C30W,NCD30S20TTD,NC1D120C20W,NC1D120C10W,NC1M120C40HT,NCD15S15W,NE1D120C20AT,NCD30S15W,NCD30S40TTD,NC1D120C10AT,NCD30S20TTDL,NC1M120C75W,NE1 M120C40HT,NCD20S20TTDL,NC1D120C30KT,NE1M120C75GT,NCD15S20TTDL,NE1M120C40W,NCD20S15W,NC1M120C75RR,NE1D120C30KT,NE1D120C60GTD,NE1M120C75RR,NC1M120C75HT,NC1M120C40GT,NE1D120C10W,NCD30S20W,NE1D120C10AT,NE1D120C20W,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NCD30S10W,NC1M120C40W,NC1D120C20AT,NE1D120C30W,NC1D120C60GTD,NE1M120C40GT,NC1D120C20KT,NE1M120C12W,NE1M120C12HT,NE1M120C75HT,NC1 M120C75GT

选型指南 - NOVUSEM - Rev. 2.5 - 2023/11/9 PDF 英文下载

成都蓉矽半导体有限公司

型号- NE1D120C40GTD,NCD20S30SRD,NCD20S30TTD,NCD30S30TTD,NE1M120C40HT,NE1D120C20KT,NC1D120C30W,NCD30S20TTD,NC1D120C10W,NCD15S15W,NCD30S15W,NCD30S40TTD,NCD20S10DR,NC1M120C75GT,NC1M120C75W,NCD30S20TTDL,NE1D120C20GTD,NCD15S20TTDL,NE1M120C40W,NCD20S15W,NC1M120C75RR,NE1D120C60GTD,NC1D200C25W,NE1D120C10W,NCD30S20W,NE1D120C30W,NC1D120C60GTD,NE1M120C40GT,NE1M120C12W,NC1D120C20KT,NE1M120C12HT,NE1M120C75HT,NC1D120C20GTD,NE1M120C75W,NCD15S30TTD,NC1D120C20W,NCD15S20FTD,NC1M120C40HT,NE1D120C20AT,NC1D120C10AT,NCD20S20TTDL,NC1D120C30KT,NCD30S20DR,NE1M120C75GT,NC1D120C40GTD,NE1D120C30KT,NC1D200C25KT,NE1M120C75RR,NC1M120C75HT,NC1M120C40GT,NE1D120C10AT,NE1D120C20W,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NCD30S10W,NC1M120C40W,NC1D120C20AT

商品及供应商介绍 - NOVUSEM - Nov.2023 PDF 中文下载

蓉矽半导体公司介绍

型号- NCD20S30SRD,NCD20S10DR,NCD20S30TTD,NCD15S20FTD,NCD30S20DR

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成都蓉矽半导体有限公司公司介绍

型号- NE1D120C40GTD,NCD20S30TTD,NCD30S30TTD,NE1M120C40HT,NE1D120C20KT,NC1D120C30W,NCD30S20TTD,NC1D120C10W,NCD15S15W,NCD30S15W,NCD30S40TTD,NC1M120C75GT,NC1M120C75W,NCD30S20TTDL,NE1D120C20GTD,NCD15S20TTDL,NE1M120C40W,NCD20S15W,NC1M120C75RR,NE1D120C60GTD,NC1D200C25W,NE1D120C10W,NCD30S20W,NE1D120C30W,NC1D120C60GTD,NE1M120C40GT,NE1M120C12W,NC1D120C20KT,NE1M120C12HT,NE1M120C75HT,NC1D120C20GTD,NE1M120C75W,NCD15S30TTD,NC1D120C20W,NC1M120C40HT,NE1D120C20AT,NC1D120C10AT,NCD20S20TTDL,NC1D120C30KT,NE1M120C75GT,NC1D120C40GTD,NE1D120C30KT,NC1D200C25KT,NE1M120C75RR,NC1M120C75HT,NC1M120C40GT,NE1D120C10AT,NE1D120C20W,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NCD30S10W,NC1M120C40W,NC1D120C20AT

商品及供应商介绍 - NOVUSEM - 2023/11/30 PDF 中文下载

成都蓉矽半导体有限公司(NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.)成立于2019年，拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队，建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链，独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。

碳化硅MOSFET 碳化硅MOSFET晶圆碳化硅MOSFET单管碳化硅二极管碳化硅EJBS晶圆碳化硅EJBS单管二极管栅控二极管晶圆 MCR单管肖特基二极管

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蓉矽1200V 40mΩ碳化硅产品NC1M120C40HT用于车载充电机，整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上

蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。采用1200V SiC器件可以简化系统拓扑复杂度，总损耗可降低50%以上，磁性器件体积可降低70%以上。整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上。

应用方案发布时间 : 2024-07-17

蓉矽1200V 30A SiC SBD（NC1D120C30KT）应用于40kW单向充电模块，电路损耗降低180W

本文以某品牌40kW单向充电模块为测试平台，对蓉矽SiC MOS和SiC SBD在该充电模块中应用表现进行了较为全面的测试。在该测试中，采用蓉矽NC1D120C30KT（1200V/30A/TO247-2）SiC SBD更换原机UFRD，蓉矽SiC SBD的Vf、Qrr以及trr均优于原机UFRD，且全功率范围效率高于原机，最大效率差为800V满载输出时，约0.45%，对应损耗降低180W。

应用方案发布时间 : 2024-10-30

蓉矽1200V 40/75mΩ碳化硅MOSFET用于直流充电桩，减少50%器件用量，助力800V高压快充充电桩行业发展

基于蓉矽半导体第二代1200V 40/75mΩ SiC MOSFET的两电平方案结构简单、控制方便，可简化系统拓扑，减少50%的器件用量，助力800V高压快充充电桩行业的发展。蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V，最大可持续电流达75A。

应用方案发布时间 : 2024-07-17

NOVUSEM碳化硅（SiC）MOSFET 选型表

NOVUSEM（蓉矽半导体）提供以下碳化硅（SiC）MOSFET 选型表参数选型：额定电压1200V；额定电流47～214A；最大连接温度175℃。

选型表 - NOVUSEM 立即选型

SiC的可靠性一直都是行业关注的焦点，那蓉矽半导体是如何保证器件可靠性的呢？

首先，蓉矽严格按着AEC-Q101车规级和HV-H3TRB加严，在第三方完成3 lot的可靠性考核，另外，蓉矽半导体针对车规模块或有更高可靠性要求的需求，会进行晶圆级的老化测试，在晶圆阶段筛除早期和潜在失效，进一步保证了供给客户的器件可靠性。详细可参考资料： https://www.sekorm.com/news/523833668.html

技术问答发布时间 : 2024-07-31

蓉矽半导体碳化硅产品在车载充电机中的应用：已通过AEC-Q101测试和HV-H3TRB考核

为了提升充电效率，延长续航里程，800V高压平台成为主流选择。使用1200V碳化硅MOSFET对提升OBC功率密度、降低重量具有积极意义和显著效果。NOVUSEM自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。

应用方案发布时间 : 2024-07-20

NOVUSEM碳化硅二极管EJBS单管/晶圆选型表

NOVUSEM（蓉矽半导体）提供以下碳化硅二极管EJBS单管/晶圆参数选型：反向漏电流(typ)(uA)：3~30uA；正向浪涌峰值电流(typ)(A)：118~500A；阻断电压达1200V。

产品型号	品类	额定电压(V)	额定电流(A)	次代	正向电压(typ)(V)	反向漏电流(typ)(uA)	正向浪涌峰值电流(typ)(A)	QC(typ)(nC）	PTOT（W）	封装	可靠性
NC1D120C10AT	碳化硅EJBS单管	1200V	10A	Gen 1	1.39V	3uA	118A	55nC	208W	TO-220-2	Industrial

选型表 - NOVUSEM 立即选型

蓉矽半导体SiC MOSFET分立器件并联，具有设计灵活、散热均匀、可降低系统成本等优势

蓉矽SiC MOSFET具有更高的Rds(on)温升曲线，拥有更优异的正温度补偿效益，能够帮助并联应用更快达到热平衡从而实现静态均流。本文介绍蓉矽半导体分立器件并联应用优势。

应用方案发布时间 : 2024-07-17

Novusem Signs Long-term Strategic Cooperation Agreement with Taiwan‘s Episil Further Deepening the Partnership in SiC Manufacturing

Recently, Novus Semiconductors Co., Ltd. (Novusem) signed a long-term strategic cooperation agreement with Episil Technologies Inc. (Episil), further deepening the cooperation between the two parties in silicon carbide (SiC) manufacturing.

原厂动态发布时间 : 2023-08-27