CHA3801-FAA, a L-Band Noise Amplifier with a Frequency Range of 1-2GHz in an SMD Hermetic Ceramic Package

贴片无铅封装GaAs单片微波集成电路CHA3801-fab1波段低噪声放大器

该资料介绍了CHA3801-FAB L-Band低噪声放大器（LNA）的详细信息。这是一种基于pHEMT工艺制造的GaAs单片微波集成电路，采用无引脚表面贴装封装。它具有宽频带性能、低噪声系数、高增益和高饱和输出功率等特点，适用于空间、军事和商业通信系统。

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CHA3801-QDG L-Band Low Noise Amplifier

该资料介绍了CHA3801-QDG是一款L波段低噪声放大器（LNA）的单片电路，适用于军事和商业通信系统等多种应用。它采用pHEMT工艺制造，具有高输入功率生存能力，并符合RoHS标准。主要特性包括1-2GHz频段性能、1.5dB的噪声系数、28dB线性增益、17dBm饱和功率和27dBm输出三阶截距。

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CHA3801-99F L波段低噪声放大器：GaAs单片微波集成电路

该资料介绍了CHA3801-99F L-Band低噪声放大器（LNA）的详细信息。这是一种基于pHEMT工艺制造的GaAs单片微波集成电路，适用于空间应用和广泛的微波应用系统。它具有低噪声系数、高线性增益和高饱和功率等特点。

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L波段低噪声放大器单片SMD陶瓷密封封装GaAs微波集成电路

该资料介绍了UMS公司开发的AI1712型L波段低噪声放大器（LNA）单芯片集成电路。该产品采用pHEMT工艺制造，具有高输入功率生存能力，适用于从军事到商业通信系统的广泛应用。电路设计包含一个有源偏置网络和保护网络，以提供良好的性能和可靠性。

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CHA3801-QDG-RoHS兼容L波段低噪声放大器GaAs单片微波集成电路贴片无铅封装

该资料介绍了CHA3801-QDG是一款L波段低噪声放大器（LNA）的单片电路，适用于军事到商业通信系统等多种应用。它采用pHEMT工艺制造，具有高输入功率生存能力，并符合RoHS标准。主要特性包括1-2GHz频段性能、1.5dB噪声系数、28dB线性增益、17dBm饱和功率和27dBm输出三阶截距。

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UMS CHA3801-FAA L波段低噪声放大器数据手册

L-Band Low Noise Amplifier，GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package.

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CHA3801-99F符合RoHS标准的L波段低噪声放大器GaAs单片微波集成电路

该资料介绍了CHA3801-99F L-Band低噪声放大器（LNA）的详细信息。这是一种基于pHEMT工艺制造的GaAs单片微波集成电路，适用于空间应用和各种微波应用系统。它具有低噪声系数、高线性增益和高饱和功率等特点。

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UMS CHA3801-QDG数据手册

该资料介绍了CHA3801-QDG是一款L-Band低噪声放大器（LNA），采用GaAs单片微波集成电路技术制造。它具有高性能、低噪声系数、高增益等特点，适用于军事和商业通信系统等多种应用。

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UMS CHA3801-99F数据手册

该资料介绍了CHA3801-99F是一款L波段低噪声放大器（LNA）的单片微波集成电路。它适用于空间应用，同时也适合各种微波应用和系统。该电路采用pHEMT工艺制造，具有0.25微米栅长，通过基板孔、空气桥和电子束光刻技术。其主要特点是低噪声系数、高线性增益、饱和功率和输出第三阶截距。

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UMS CHA3801低噪声放大器官方数据手册（AI1712）

低噪声放大器，CHA3801，CHA3801低噪声放大器

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APTW4-01500160-30K10-WR650-D6 L波段波导低噪声卫星通信放大器

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