时科精彩亮相2023亚洲充电展(秋季),全面展示面向快充、储能等领域的一系列产品及解决方案
2023年8月23日至25日,時科携带新产品、新技术、新方案惊艳出席于深圳会展中心(福田)3号馆举办的秋季亚洲充电展。这场备受瞩目的盛会由充电头网发起,将在现代化国际都市群粤港澳大湾区举行。作为全球最具影响力的能源电子技术展之一,亚洲充电展(简称ACE)不仅是充电领域的技术产业盛典,更是窥探电源行业最新技术与产品信息的重要窗口。
在本次展会中,時科展示了面向快充、储能等领域的一系列解决方案,吸引了众多工程师朋友的驻足观览和深入交流洽谈。其中,备受瞩目的GaN整合IC拥有引人注目的技术参数:VDS为650V,ID为15A,Qoss为20 nC,Coss为20pF。该技术广泛应用于快充、电源适配器、手机和平板充电器等领域。
该产品具有多重优势:首先,闪充技术的实现需要充电器与手机电源管理芯片的紧密协同。氮化镓整合IC以其小封装和高效特性,有效节省了手机的空间,同时提高了充电效率。
其次,氮化镓整合IC在新能源领域的应用优势明显。与传统硅技术相比,GaN芯片将开关速度最多提升了4倍,同时降低了电压和电流的交叉损耗,将功率密度最高提升了40%。这不仅降低了整体系统的重量和成本,还推动了新能源领域的创新发展。
此外,氮化镓以高频、高效和大功率的特性,广泛应用于有线电视、通讯器件、手机充电器等领域,展现了其在多个领域的全面应用潜力。
在另一方面,時科还展示了IGBT方案,参数包括Vce为650V,Ic为50A,VCEsat为1.4-1.58V,VGE为±20V。这一方案被广泛应用于充电器、太阳能逆变器、消费电子、电源应用等领域。
其优势明显:
首先,该方案具备低导通损耗和低开关损耗的特点,且具有出色的高电压承受能力,因此在不间断电源中能够降低系统损害,提高系统可靠性。
其次,采用SIC二极管混合式IGBT驱动功率小且饱和压降低,此外SIC二极管还具有无反向恢复时间的特点。在充电桩等应用中,这将提升用电效率和产品质量。
最后,针对光伏逆变器等领域需求,SIC二极管混合式IGBT方案不仅满足了体积小、重量轻、安装便捷、易维护的要求,还在光照不足等轻载条件下保持高效率,同时还降低了电磁干扰等方面的不利影响。
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