蓉矽半导体率先投资引入WLTBI系统，切实保障SiC MOSFET栅极氧化层可靠性达到行业最高标准

时间： 2023-09-21 来源：蓉矽半导体公众号

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5月26日，蓉矽半导体WLTBI系统启动仪式在成都总部进行。蓉矽半导体董事长戴茂州，副总裁、研发中心总经理高巍博士，副总裁、运营中心总经理廖运健，联讯仪器董事长胡海洋，销售总监张纪出席仪式。

何为“WLTBI”系统

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，具有耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，在高温、高频和大功率条件下具有广阔的应用前景，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在光储充、新能源汽车、服务器电源等领域具有广阔的应用潜力。与此同时，栅极氧化层潜在退化/失效问题是阻碍SiC MOSFET商业化进程的重要问题，新能源汽车应用则对SiC栅极氧化层的可靠性提出了更加严苛的要求。

WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in)系统用于晶圆测试阶段，通过设置合理的老化实验条件，在不影响器件本身性能的情况下筛除栅极氧化层于产品生命周期中的潜在退化/失效，从而大大提高筛选后SiC MOSFET器件栅极氧化层可靠性及使用寿命。该系统由蓉矽半导体在全国范围内率先投资引入，以确保碳化硅晶圆出厂质量与可靠性达到行业最高标准。

蓉矽半导体拥有ISO 9001质量管理体系认证，建立了IATF 16949供应链体系，全系列产品均严格执行AEC-Q101标准，其中DuraSiC®产品系列按照NovuSuperior (AEC-Q101+)标准考核验证，是蓉矽半导体符合车规级以上要求的高可靠性产品。目前，蓉矽半导体碳化硅NovuSiC®/ DuraSiC®系列1200V 10A/ 20A/ 30A EJBS™以及碳化硅NovuSiC®/ DuraSiC®系列 1200V 12mΩ/ 40mΩ/ 75mΩ MOSFET均已量产，可联系世强购买样品，特殊封装需求可详细沟通定制。

关于联讯仪器

苏州联讯仪器股份有限公司成立于2017年，是国内领先的高端测试仪器和设备提供商，独立研发、生产、销售WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in)这一晶圆级测试系统。

在第三代半导体领域，联讯仪器提供功率芯片KGD测试机，KGD转料机，串/并行半导体参数测试系统（Wafer Acceptance Test），SiC/GaN HTGB（High Temperature Gate Bias）和HTRB（High Temperature Reverse Bias）晶圆老化测试/分选系统等高端测试设备。

关于蓉矽半导体

成都蓉矽半导体有限公司成立于2019年，是四川省首家专注碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业，拥有台湾汉磊科技第一优先级产能保障，致力于自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。

蓉矽半导体拥有高性价比“NovuSiC®”和高可靠性“DuraSiC®”产品系列，涵盖碳化硅二极管EJBS™与碳化硅MOSFET；硅基FR MOS与理想硅基二极管 MCR®，应用于光伏逆变器、储能、充电桩、OBC及新能源汽车等领域。

蓉矽半导体拥有德国莱茵ISO 9001质量管理体系认证，涵盖设计、晶圆制造和封测等环节，建立了材料、外延、制造与封装测试均符合IATF 16949的完整供应链，严格按照AEC-Q101标准考核验证。在国内率先投资引入WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 测试系统，保障碳化硅晶圆出厂质量与可靠性超越行业最高标准。