UMS 8.5-10.5GHz 2 stage X-band High Power Amplifier CHA8710-99F with High power up to 25W, Excellent PAE to 44%

2023-12-09 UMS News

UMS has introduced the CHA8710-99F, a 8.5-10.5GHz 2 stage X-band High Power Amplifier.

The circuit features:

  • High power: 25W

  • Excellent PAE: 44%

  • High gain: 28.5dB


This product is designed for a wide range of applications from Defense to radar and commercial communication systems.

 


Summary:

  • Frequency range: 8.5-10.5GHz

  • Ouput power: 25W

  • PAE: 44%

  • Linear gain: 28.5dB

  • DC bias: 25V@0.75A

  • Chip size: 5.1x4.2x0.1mm


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

本文由洛希转载自UMS News,原文标题为:The CHA8710-99F a X-Band HPA,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

相关研发服务和供应服务

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

CHA8611-99F GaN based 18W X-band High Power Amplifier Featuring a High PAE of 43% at Psat

The CHA8611-99F is a GaN based 18W X-band High Power Amplifier, featuring a high PAE of 43% at Psat. This circuit is designed for a wide range of applications including defense and commercial communication systems. This product is supplied as a bare die.

2023-09-28 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

CHA8054-99F GaN X-band High Power Amplifier Optimized for Space Applications , Operating Between 7.7 and 8.6GHz

The CHA8054-99F is a new GaN X-band High Power Amplifier operating between 7.7 and 8.6GHz. This circuit, optimized for space applications, is designed to obtain an excellent PAE of 50% and a typical high saturated output power of 23W @28V drain supply voltage. It exhibits a typical 27dB linear gain.

2023-09-02 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

CHA8610-99F, a 8.5-11GHz X-band High Power Amplifier Featuring a 15 to 18W Output Power with a High PAE of 40% at Psat

UMS is enlarging its GaN offer with the new CHA8610-99F 8.5-11GHz X-band High Power Amplifier, featuring a 15 to 18W output power with a high PAE of 40% at Psat.The product is supplied as a bare die.

2023-09-09 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

X-Band High Power Amplifier with 8.5-11.5GHz Frequency Range and 25W Output Power | UMS

UMS published a very versatile new GaN HPA. The CHA8212-99F is a 8.5-11.5GHz 25W output power X-Band High Power Amplifier. It features a 44dBm Pout with a high PAE of 36% at Psat (@Pin=20dBm). This circuit is supplied in bare die. The CHA8212-99F is dedicated to defence applications and a wide range of microwave applications and systems.

2021-02-06 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

CHA8312-99F 17W X波段高功率放大器氮化镓单片微波集成电路数据表

描述- 该资料介绍了CHA8312-99F是一款工作在8-12GHz频段的17W高功率放大器,采用GaN Monolithic Microwave IC技术。该器件提供超过26dB的小信号增益和50%以上的功率附加效率(PAE),适用于雷达、测试设备和通信系统等微波应用。

型号- CHA8312-99F/00,CHA8312-99F

29 Nov 21  - UMS  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

CHA8612-QDB 18W X波段高功率放大器单片SMD无引线氮化镓微波集成电路

描述- 该资料介绍了CHA8612-QDB是一款工作在7.9至11GHz频段的18W X-Band高功率放大器。它采用GaN HEMT工艺制造,具有宽带性能、高输出功率和高效率等特点,适用于军事和商业雷达及通信系统。

型号- CHA8612-QDB/XY,CHA8612-QDB,CHA8612-QDB/21,CHA8612-QDB/20

12 Feb 24  - UMS  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

用于多用途相控阵雷达的X波段AESA芯片组氮化镓和GaAs解决方案

描述- 本资料介绍了适用于多用途相控阵雷达的GaN和GaAs解决方案,包括X波段AESA芯片组。资料详细列出了低噪声放大器、驱动放大器、高功率放大器、核心芯片、衰减器、移相器和反射式SPDT开关等元器件的型号、频率、增益、功率饱和点等参数。此外,还提供了UMS公司相关产品的详细信息,包括联系方式和全球分销商信息。

型号- CHA6005-QEG (2),CHS8618-99F,CHA8710-99F,CHT3029-QEG (1)(2),CHT4016-QEG (1)(2),CHA6710-99F,CHS5100-99F,CHA8611-99F,CHA5115-QDG (2),CHA7215-99F,CHA1010-99F,CHS7012-99F,CHC3014-99F(*)(1)),CHA7114-99F,CHA8100-99F (1),CHA2110-QDG (2),CHP3015-QDG (1)(2),CHA8610-99F

2018/06/09  - UMS  - 技术文档 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

高功率氮化镓射频

描述- 该资料主要介绍了UMS公司提供的GaN(氮化镓)射频功率产品,包括GaN功率条、内部匹配的GaN功率晶体管和封装的MMIC(单片微波集成电路)。产品适用于多种应用,如国防、空中交通、卫星和卫星通信。资料详细列出了不同产品的型号、工作频率、增益、饱和功率、效率、偏置电流和电压等参数。此外,还提供了产品图片和公司联系方式。

型号- CHS7012-99F,CHS8618-99F,CHA8710-99F,CHK8015-99F,CHK9014-99F,CHA6710-99F,CHK9013-99F,CHA8610-QYG,CHA8611-99F,CHZ8012-QJA,CHZ9012-QFA

2018/04/19  - UMS  - 技术文档 代理服务 技术支持 采购服务

多用途相控阵雷达用氮化镓和砷化镓解决方案

描述- 本资料主要介绍了X-BAND AESA芯片组,包括GaN和GaAs解决方案,适用于多用途相控阵雷达。资料详细列出了各种低噪声放大器、驱动放大器、高功率放大器、GaN HEMT晶体管、核心芯片、衰减器、移相器和反射式SPDT开关的型号、频率、增益、功率饱和度、效率等参数。此外,还提供了UMS公司的产品信息和联系方式。

型号- CHS8618-99F,CHA6710-99F,CHA6710-FAB,CHS5100-99F,CHA6105-99F,CHA7215-99F,CHS7012-99F,CHT3029-QEG,CHC3014-99F,CHA8100-99F,CHA6005-QEG,CHP3015-QDG,CHT4016-QEG,CHA8054-99F,CHA7115-99F,CHK8015-99F,CHA2110-QDG,CHA5014-99F,CHA8611-99F,CHA1010-99F,CHA5115-QDG,CHA2063A99F,CHK9014-99F,CHA8612-QDB,CHA8710A99F,CHA7114-99F,CHA8610-99F

2023/5/15  - UMS  - 商品及供应商介绍 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】8.5GHz~10.5GHz两级增益功率放大器,输出功率高达25W

UMS推出的高功率放大器(HPA)CHA8710-99F,PAE可达44%,线性增益为28.5dB,可用于大多数军事以及商业通信系统。

2018-02-13 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

X波段HPA氮化镓单片微波集成电路

描述- UMS开发了一款工作在8.5-10.5GHz频段的二阶氮化镓(GaN)单片微波集成电路(Monolithic Microwave IC),型号为AI1511。该高功率放大器提供典型28W的输出功率,并具有40%的功率附加效率。小信号增益达到30dB。电路适用于高性能系统,专为防御应用设计,也适合广泛的微波应用和系统。它采用0.25µm栅长GaN pHEMT工艺制造,以裸片形式提供。

20 Sep16  - UMS  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

UMS CHA8710a99F 25W X波段大功率放大器数据手册

描述- CHA8710a99F 25W X-Band High Power Amplifier GaN Monolithic Microwave IC.

型号- CHA8710A99F,CHA8710A99F/00

2018年5月24日  - UMS  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

CHA8710a99F 25W X-Band High Power Amplifier GaN Monolithic Microwave IC

描述- CHA8710a99F是一款工作在8.5至10.5GHz频段的25W高功率放大器,采用GaN HEMT工艺制造。该器件提供典型的25W饱和输出功率和44%的功率附加效率,适用于从军事到商业通信系统的广泛应用。

型号- CHA8710A99F,CHA8710A99F/00

23 Oct 18  - UMS  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

CHA8612-QDB 18W X波段大功率放大器:采用SMD无铅封装的氮化镓单片微波集成电路

描述- 该资料介绍了CHA8612-QDB这款18W X-Band高功率放大器。它是一款基于GaN工艺的单片微波集成电路,采用无引脚SMD封装,工作频率范围为7.9至11GHz,提供典型18W饱和输出功率和40%的功率附加效率。适用于从军事到商业雷达和通信系统的广泛应用。

型号- CHA8612-QDB/XY,CHA8612-QDB,CHA8612-QDB/21,CHA8612-QDB/20

20 Apr 23  - UMS  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

UMS Lannched the CHA8612-QDB,a New State-of-the-art X-Band 7.9-11GHz QFN Plastic Packaged HPA

The CHA8612-QDB is an X-Band 7.9-11GHz new HPA designed by UMS to serve commercial and defense communications systems and your radar applications. This product features a high output power of 15W and a high PAE of 37% @ Pin 26dBm. It exhibits a high gain of 26dB.

2023-01-30 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务
展开更多

电子商城

查看更多

品牌:UMS

品类:X-Band High Power Amplifier

价格:¥3,249.0963

现货: 0

品牌:UMS

品类:X-band High Power Amplifier

价格:¥2,385.3550

现货: 0

品牌:UMS

品类:X-Band High Power Amplifier

价格:¥3,249.0963

现货: 0

品牌:UMS

品类:X-band High Power Amplifier

价格:¥1,896.5920

现货: 0

品牌:UMS

品类:Medium Power Amplifier

价格:¥262.4014

现货: 8,500

品牌:UMS

品类:Low Noise Amplifier

价格:¥182.0051

现货: 3,100

品牌:UMS

品类:Medium Power Amplifier

价格:¥221.0579

现货: 3,000

品牌:UMS

品类:Low Noise Amplifier

价格:¥174.7731

现货: 2,475

品牌:UMS

品类:Low Noise Amplifier

价格:¥182.0051

现货: 1,837

品牌:UMS

品类:GaAs Monolithic Microwave IC

价格:¥169.1086

现货: 1,503

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

暂无此商品

海量正品紧缺物料,超低价格,限量库存搜索料号

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面