【经验】如何选择合适的瞬态抑制二极管以保护电路免受过电压损害？

时间： 2023-10-01 来源：里阳半导体官网

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选择适合的瞬态抑制二极管以保护电路免受过电压损害需要考虑多个因素。本文中里阳半导体将为大家介绍如何选择合适的瞬态抑制二极管以保护电路免受过电压损害。以下是一些指导性的步骤：

图 1

电压等级

确定你的电路所需的最大工作电压和最大过电压。选择瞬态抑制二极管的额定电压应略高于最大过电压，以确保其正常工作并能有效抑制过电压。

能量吸收能力

瞬态抑制二极管需要能够吸收电路中突发的过电压能量。根据你的应用，选择具有足够的能量吸收能力的二极管。

响应时间

瞬态抑制二极管应在过电压出现时迅速响应，将过电压导向地。选择具有较低响应时间的二极管，以确保快速保护电路。

极性

瞬态抑制二极管通常是双向的（能够处理正负电压），但在某些情况下可能需要单向抑制。根据电路的性质选择合适的极性。

封装和尺寸

根据你的电路板设计和空间限制，选择适合的封装和尺寸。

频率响应

一些应用中可能存在高频过电压，因此选择具有较宽的频率响应范围的二极管可能更合适。

寿命和可靠性

选择知名品牌或经过验证的供应商，以确保瞬态抑制二极管的长期稳定性和可靠性。

温度特性

考虑工作环境的温度范围，选择适应温度变化的二极管。

数据表和规格

仔细阅读瞬态抑制二极管的数据表和规格，确保其满足你的电路保护需求。

最终选择合适的瞬态抑制二极管需要综合考虑上述因素，并在实际应用中进行测试验证，以确保电路免受过电压损害。

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产品型号	品类	Reverse Stand-Off Voltage Vʀ(V)	Breakdown Voltage @Iᴛ-Vʙ ᴍɪɴ(V)	Breakdown Voltage @Iᴛ-Vʙ ᴍᴀx(V)	Test Current(mA)	Maximum Clamping Voltage @Iᴘᴘ(V)	Peak Pulse Current(A)	Reverse Leakage @Vʀ(μA)	Package
SMF5.0A	TVS Diodes	5V	6.4V	7V	10mA	9.2V	21.8A	500μA	SOD-123FL

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产品型号	品类	Reverse Stand-Off Voltage Vʀ(V)	Breakdown Voltage @Iᴛ-Vʙ ᴍɪɴ(V)	Breakdown Voltage @Iᴛ-Vʙ ᴍᴀx(V)	Test Current(mA)	Maximum Clamping Voltage @Iᴘᴘ(V)	Peak Pulse Current(A)	Reverse Leakage @Vʀ(μA)	Package
SMAJ5.0A-Q	TVS Diodes	5V	6.4V	7V	10mA	9.2V	43.5A	800μA	SMA