蓉矽发布自主开发的NovuSiC® EJBS™和理想硅基MCR®二极管系列，展示独立自主研发能力和产品实力

时间： 2023-08-31 来源：NOVUSEM官网

技术问答

蓉矽半导体发布了其自主开发的NovuSiC^® EJBS™和理想硅基MCR^®二极管系列，充分展示了蓉矽独立自主研发能力和产品实力。

SiC器件新里程碑，力争实现国产替代

蓉矽半导体成立于2019年12月，是致力于SiC功率器件设计与开发的新锐企业，拥有一支由中国大陆、中国台湾、日本以及欧洲SiC核心技术人才组成的国际化团队，已经建立了从原材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF16949质量管理标准的完整供应链。

在本次发布会上，蓉矽半导体总经理戴茂州首先代表公司发表致辞。他说，蓉矽的公司座右铭是“较真”，这是蓉矽与众不同之处。“无论是对接客户需求，还是设置器件的电参数，我们都非常认真地对待，产品就像我们的孩子，在整个产品的开发过程中，我们灌注很多的心力。而且我们的产品开发哲学也不大一样，我们是从客户的应用场景和应用需求出发，来定义产品的各种特性，我们不做通用型产品。”

蓉矽致力于开发世界一流水平的车规级SiC器件，同时提供配套应用解决方案，力争实现进口替代的目标。戴茂州表示，“可靠性是功率器件的关键，是历经时间恒久不变的品质。为了实现产品的高可靠性，我们正在建立‘零缺陷’的车规级质量体系，正因为如此，我们SiC器件第一版流片就可以达到超过90%的良率，这在半导体行业是非常高的荣誉。”

本次发布会，蓉矽正式发布了1200V NovuSiC^® EJBS™，并预告了新一代SiC MOSFET的开发进展和发布时间。戴茂州说，无论在性能，还是性价比上，蓉矽的新产品都位于国内外第一梯队，这是蓉矽半导体多年研发的结晶，进一步丰富了公司的产品系列，彰显了公司在国内SiC领域的竞争力，是公司SiC研发的里程碑之一。

同时，他认为，在全球“双碳”政策的驱动下，SiC功率器件未来将广泛应用于新能源汽车、充电桩、工业电源、光伏逆变、风力发电、UPS、通信电源等大功率、高频、高效率领域。而蓉矽作为提供绿色节能技术的企业之一，公司将全力支持国家实现节能减排和“双碳”目标，贡献自己应尽的力量。而在下游需求不断扩大的态势下，蓉矽的SiC器件将以国际先进的性能和高可靠性，满足诸多目标应用的需求，公司未来的发展前景也将会愈发广阔。

蓉矽的SiC器件主要由中国台湾的汉磊代工，据了解，蓉矽是汉磊众多SiC客户中，少数能够实现SiC MOSFET量产的企业之一。

会上，汉磊科技股份有限公司大中华区销售总监程泰庆通过视频方式，向蓉矽产品发布表示祝贺。程泰庆认为，在新能源汽车、数据中心和光伏等市场的推动下，SiC功率器件需求将大幅增长，为了让蓉矽等客户能够从容应对下游用户日益增长的产品需求，汉磊目前正在加大产能扩张力度，2022年的6英寸SiC代工产能将达到2000片/月，预计2023年将达到4000片/月，到2024年再扩大至5500片/月。

NovuSiC^® EJBS™：浪涌电流超11倍建立“零缺陷”质量管理体系

目前，蓉矽有两个SiC系列产品，分别为高性价比的“NovuSiC^®”和高可靠性的“DuraSiC^®”系列，涵盖NovuSiC^® EJBS™和NovuSiC^® MOSFET。

会上，蓉矽半导体副总经理高巍发表了新品专题报告，介绍了最新的自主开发的NovuSiC^® EJBS™和MCR^®产品。

第一款亮相的新产品是NovuSiC^® EJBS™。高巍主要围绕NovuSiC^®产品的开发历程、NovuSiC^®产品的性能与特点、NovuSiC^®与国内外竞品的对比、NovuSiC^® EJBS™产品的可靠性与品质等方面展开介绍。

据介绍，SiC JBS是结合了PIN和SBD的复合结构，蓉矽半导体通过优化的工艺设计，开发了NovuSiC^® EJBS™（Enhanced Junction Barrier Schottky Diode）产品，在不增加工艺复杂度的同时，获得了等同于MPS的高抗浪涌电流能力。

据了解，2020年11月，蓉矽就完成了1200V/20A NovuSiC^® EJBS™的第一次工程投片，良率超过了90%。但为了“较真”，蓉矽在技术上继续精益求精，2021年5月又进行了第二次工程投片，工艺和设计继续得到优化。但是蓉矽仍不满意，直到2022年1月，NovuSiC^® EJBS™正式实现量产。

这次量产的1200V、20A NovuSiC^® EJBS™拥有11倍以上的抗浪涌电流能力，具有更优异的鲁棒性，而且在20A时，VF仅有1.37V，且漏电极低(2μA)。此外，其反向击穿和高温漏电均显示了优异的性能，可承受288W的功率，最大26A的电流。

相比国内外竞品，蓉矽的NovuSiC^® EJBS™在导通压降、反向漏电及温度稳定性等方面展示出优良特性，而且更具性价比。

发布会上，蓉矽特别强调了他们的产品可靠性保障措施。

为确保SiC晶圆出厂质量与可靠性达到行业最高标准，蓉矽出品的产品都严格的执行AEC-Q101标准，并在此基础上创造性的提出了公司内部的AEC-Q101+标准，称之为 NovuSuperior。此外，针对SiC材料缺陷导致的潜在失效，尤其在晶圆CP测试不能筛选出来的情况下，蓉矽率先联合国内设备厂商共同开发WLTBI(Wafer-Level Test & Burn-in)测试系统，以实现晶圆端的高品质。

戴茂州表示，“让产品的性能数据说话，让产品的稳定质量与稳定供货说话，让蓉矽成为一家值得客户信赖的国产SiC器件公司是我们的行为标杆与使命。”具体来说，蓉矽在可靠性方面做了4个方面的工作：

建立“零缺陷”的可靠性企业文化；

建立汽车级电子器件可靠性与质量管理体系，包括IATF16949:2016质量管理标准体系、AEC-Q101器件可靠性验证体系、ISO 26262 汽车安全标准；

建立了蓉矽独有的NovuStandard及NovuSuperior超业界标准(AEC-Q101+)；

严格遵守DfR (Design for Reliability)开发流程。

二代SiC MOS良率超过91.2% ，大幅降低电阻和栅极电荷

本次发布会，蓉矽还提前“曝光”了他们最新的第二代NovuSiC^® MOSFET。

根据蓉矽官网，2021年5月，蓉矽第一代1200 V/75 mΩ的平面栅NovuSiC^® MOSFET实现了第一次工程流片，良率高达91.2%，并于2021年10月实现了量产。这款NovuSiC^® MOSFET的阈值电压的典型值为2.5V，导通电阻的典型值为62mΩ，Ron,sp为3.85mΩcm²。

该产品的特点包括：低开关损耗、高短路耐受时间>3µs、高雪崩耐量、175℃最高工作结温，可以应用在更高频的环境，从而大幅降低外围电路电感、电容、滤波器和变压器的尺寸，提高系统整体功率密度，降低系统总成本。

在可靠性方面，蓉矽第一代NovuSiC^® MOSFET产品正在进行AEC-Q101相关的可靠性验证。

据高巍介绍，蓉矽的第二代NovuSiC^® MOSFET基于更先进的工艺制程与更优异的设计，相较于第一代产品，其比导通电阻得到大幅下降，不但获得了更高的性价比，同时也改善了器件动态特性，获得了更低的开关损耗。

相比第一代产品，蓉矽的第二代NovuSiC^® MOSFET的Ron,sp降低了24%，Qg降低了25%。

蓉矽表示，他们第二代NovuSiC^® MOSFET已经实现了流片，很快就会对外发布。此外，他们还将继续加大研发投入，继续研发1700V、3300V 车规级SiC二极管、SiC MOSFET和SiC模块，以便满足市场对高性能、高可靠性的新能源汽车及高端工业领域功率半导体器件需求。

硅基二极管实现nA级性能，高温耐压超越同类产品

除了SiC器件，蓉矽还发布了高结温、超低漏电、低导通压降和高结温性能稳定的理想硅基二极管MCR^®（MOS-Controlled Rectifier）。

会上，高巍还特别介绍了MCR^®技术的发展历程。2013-2014年，电子科技大学功率集成技术实验室在华润微电子重庆（原中航微电子）打造了MCR^®产品的100V、150V、200V、300V四个工艺平台，实现技术成果转化。2020年，蓉矽半导体购买MCR^®全系列产品、知识产权及工艺平台，并于2021年1月25日协议正式生效。

相比普通硅基二极管，蓉矽的MCR^®产品具有nA级反向漏电、高温特性稳定、高抗浪涌电流能力等优势，适用于中低压150V~600V应用。

与国内外竞品相比，在耐压、高温漏电与反向恢复时间上，蓉矽的MCR^®产品都显示出了优势，具有更高可靠性、更低的功率损耗，真正实现国产替代。

尽管蓉矽与外商同类产品在常温下都表现出了nA级的漏电性能，但在高温Ta>100℃后，蓉矽产品展现出了更稳定的耐压特性。

极致性能、极高性价比，服务光伏、快充、储能等高增量市场

既然蓉矽NovuSiC^® EJBS™和硅基MCR^®产品的性能和可靠性如此优异，它们能够为客户带来哪些效益呢？会上，蓉矽高级应用工程师王德强从光伏、直流快充、磁吸LED照明以及储能等产品方案进行了深入介绍。

王德强认为，得益于蓉矽NovuSiC^® EJBS™的优异特性，它能够为广大的光伏、直流快充等领域带来可靠性要求高、成本更优的解决方案。

以1100V光伏系统Boost PFC应用场景为例，在相同应用条件下，采用NovuSiC^® EJBS™后，整个系统效率可以提升0.8%，硅基IGBT和SiC二极管的温升可以分别下降6℃和13℃，整体的功率密度得到了大幅提升。

在直流充电桩方面，以20kW充电桩Vienna整流应用场景为例，采用NovuSiC^® EJBS™后，在相同应用条件下，系统效率可以提升1.05%，开关损耗可降低91%，总损耗可降低50%。

而在储能电源和LED照明领域，硅基MCR^®将能够进一步帮助客户提升产品性能，降低成本。

例如在储能的防反接应用场景，相同应用条件下，采用了蓉矽的MCR^®器件后，系统损耗降低了16%，而器件结温降低10℃，充电效率提升1.25%。

在储能的高频整流应用场景，相同应用条件下，采用了蓉矽的MCR^®器件后，系统总损耗降低18.7%，器件结温降低13℃，输出效率提升0.27%；若损耗不变，频率可提升50%。

目前，磁吸LED照明非常流行，而由于轨道空间狭长较窄，亟需新的器件技术来降低电源尺寸，并提高能效。

针对高效LED照明，蓉矽提供了以下2种解决方案。在高频整流应用场景，采用MCR^®产品后，在输出功率350W、谐振频率200kHz情况下，实现了＞94%的最高效率。而在输出功率50W、工作频率48kHz情况下，可实现90%最高效率。

严控产业链，提升客户最⼤满意度

作为四川省领先的SiC功率器件供应商，蓉矽团队拥有丰富的功率器件经验，从产品设计、制造工艺、封装技术和系统应用等方面大力推进SiC器件产品产业化。

除了提供国际领先的功率器件产品，蓉矽也非常重视打磨公司在客户服务方面的细节。蓉矽营销副总廖运健透露，蓉矽重视对整个供应链系统进⾏规划、协调、操作、控制和优化，⽬标是要实现6个“正确”，即：将顾客所需的正确的产品能够在正确的时间、按照正确的数量、正确的品质和正确的状态送到正确的地点，使总成本达到最佳化。

廖运健说，蓉矽这样做的目标有2个，包括：提升客户的最⼤满意度（提⾼交货的可靠性和灵活性）；企业整体流程品质最优化（去除错误成本、消除异常事件）。

SiC器件产品凭借材料优势，在5G通信、新能源汽车、绿色能源、轨道交通等领域扮演不可或缺的角色，蓉矽表示，他们未来将一步一脚印，在核心技术方面实现领先，进一步做大功率器件业务，在四川打造中国领先的功率半导体研发和制造基地，为SiC产业生态作出贡献。

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型号- CRSM076N04N2Z,CRXB10D065G2,CRTD080N02U2-G,CRMV0318D,CRTT048N08N,CRG75T60AK3SD,CRTS030N04L,CS4N90FA9HD,CRJL99N65G2,CS630FA9H,CRTS025N04L2-G,CRXQ40D065G2,CS4N80ARHD-G,CS630FA9R,CR7N60A4K,CS55N10AQ3-G,3DG3001A1-H,CS16N06AE-G,CS45N06A3,CRMM4976C,CRTK055N03L2P,CS45N06A4,CRTS150N15N,CS5N20A4,CS5N20A3,CS7N70A4R-G,CRGMF800T120DS1AH,CRJW125N60G2F,CRGMF50T120FSC,CS12N70FA9H,CRG30T65A05SDZ,CS50N20ANR,CRJT99N65G2,2CR60K60AND,CRXQF60M065G1,CRTD370P10L,CRSS056N07N,CR7N60A3K,CS460FA9H,CRGMP40T120DV2A3,CRG75T60AK3H,CRJQ30N60G2F,CRJF550N65G2,D92-02,CRTD055N03L,CS24N60ANR,CRM50TD04R1,CRMM4978C,CRTT056N06N,CS5N60A3H,CS4N65A3R,CRST113N20N,2CR15K120A8C,CRG75T65BK5HD,CRXB20D120G2,CRTT019N03L2-G,CRM50TA04E1,CRTH105N06L,CR2N60A4K,CS10N40A8R,CRMR0410D,CRG MA450T65DSP2A5,CRSY030N04L2Q,HGQ01N04A-G,CRXBD20D065G2,CRSM055N04N2Z,CRTD028N03L2-G,CRJT74N60G2BF,CRST100N06L2,CR16N60FA9K,CS4N65A4R,CRXI12D065G2,HPA800R750PD-G,HPA700R320PC-G,2CR106A8C,CRJT380N65G2,CS4N65A4D,CS21N06A3,CS6N120FA9R-G,CRMM4953D,CRG08T60A93L,CS14N25A4R,CS21N06A4,CRTM025N03L,HPF800R300PD-G,CR2N60A3K,CRRT20L60A,HPD800R1K4PD-G,CR4N60FA9K,CRJQ41N65GCFQ,CS10N045AE-G,CS14N25A8R,CRSS020N08N3Z,CS2837AND,CS8N70FA9RD,CRG40T65AN5H,CRM15QN600S,CS4N80A3HD,CRTT039N08N,CRNT080C65,CRRS40L100A,CRNT200C65AX,CRJF1K2N70G2,HGE055NE4A,CRSZ020N08NZ,CS240N06A0,CS60N12A8,CS240N06A8,CRG25T120BK3SD,CS9N20FA9R,CRSS049N07N,CRSD090N12N,CRTS084NE6N,CRJD1K2N65G2,CRST052N07N,CRG75T65AK5SCD,CRST020N06N2,CRJF74N60G2F,CR6N70FA9K,CRJQ60N65G2BF,CRG75T65AQF5HD,2CR086AC,CS6N90ARH-G,CS10N50A8R,CRXQF160M120G2Z,CS13N50FA9R,CRG50T60AK3HD,2CR108A8C,CS6N40A3R,CRTD080N02S2-G,CS13N50FA9H,CRRT30L45A,CRXMF450P120PDG2AQ,CRXX40M120G2Z,CS2N60FA9H,CRG75T65AK5HC,CRM50TD06R1,CRG75T65AK5HD,CS18N50FA9R,CRJF850N65GC,CRXF08D065G2,CRG15T60A83L,CRSM038N10N4,CRSM120N10L2,CRXU10D120G2,CRJD650N65G2,CS2N60FA9R,CRJB1K4N70G2E,HGQ024N04A,CS17N10A3,CS17N10A4,CS6N40A4R,CRG40T120CK3LDQ,CRSM033N08N4,CRSM105N15N3,HPP800R300PD-G,CRG15T120BNR3S,CRM50TA06E1,CRM60GH15E4,CS5N50FA9R,2CR40K120ABC,CRTD360N10L,3DD4520A3,CRXQ60M065G1,3DD4520A4,CS10N40A4R,CS7N80FA9RZ-G,3DD4520A6,HGQ014N04A-G,CRJL99N65G2F,CRJD900N70G2E,CRST072N12N,CRJQ41N65G2BF,CRJF340N65G2,CRSM058N08N3,CR4N50FA9K,CRRS40L45A,CRSM080N10L2,CRMM4840D,CS5N90A8R,CRST073N15N,CRTS032N06N,CRTE080P03L2P,CS10N50FA9R,CRRT20L120A,CRXI20D065G2,CRJS190N65GCF,CRGMF600T120DVDAH,CRJD650N65GC,CS10N40A3R,CRXI08D065G2,HPF800R450PD-G,CS730A3RD,CR12N60A8K,2CZ20100A8S,CRXU20D065G2,CRTD10DN10L,CS/CRX(XX)NX(XX)(F)AX(X)(D)(Y)□,CRSM046N04N2Z,CS100N03A4-G,CS25N50ANR,CRSQ23N10N4Z,CRXU15D120G2,CR6N70A3K,CRG25T120BKR3S,CRG25T120AK3SD,CRNQ050C65,CRJF600N70G2,CS640FA9H,CS7N80FA9R,3DD4540A9,CRM10QT500S,CRMM6602C,CS30N25A8R,CS40N25FA9R,CRTD052N02S2-G,2CZ20100A8,3DD4518A3D,CRTD028N04L2-G,3DD4540A3,CRTK060P02S2P,CRJD440N70G2,CRXF16D065G2,CRMB0301C,CRSS109N20N,HPD700R320PC-G,CS150N03D8,3DD4540A7,CRST033N08N,CRRA10L100B□,CRTM021N04L2-G,CR6N70A4K,CRXU30D120G2,CRSM080N10N4,CS6N120AKR-G,CRXSP1KM170G1,HPU800R750PD-G,CS830A4RD,CRXQ17M120G1,CRJT065N60G3F-G,HPA600R600PC-G,CRXQF40M120G2Z,CRTT095N12N,CRSG022N10N4Q,CS6N90ARR,CRJF190N65GCF,CRXQF40M120G2Q,CRSG022N10N4Z,CRRT30L100B,CRXQ16D065G2,CRRT30L100A,CRXQ160M120G2Z,CRTD045N03L,CRTT067N10N,CRMM9926,CRJF065N60G3F-G,CRJS750N70G2,CRJH750N70G2,CRSZ025N10NZ,CS4N10AE-1,CRNF300C65,CRRF10L150A,CRTR550N06L,CRXI05D120G2,CRST041N08N,CRMV0604D,CRMD1002D,CS65N03AQ4-G,CS5N90A3R,CRRT20L45A,CRSM010N04L2,CRSS046N08N,CRJD360N70G2,CS10N80AND,CRST060N08N3,CS5N90A4R,CRRT20L100A,CRSM088N12N,CS150N03A8,CRJF99N65G2F,CRRT20L100B,CRTJ200N02U2-G,CS7N65ARD,CRJD900N70G2,2CR30K60A8C,2CR20K60A8C,CRSS109N20NZ,CRSS087N12N,CS5N65A7H,HPA800R1K4PD-G,CS7N10AQ2-1,CRTT088N10N,CS19N10A8,CRSD090N10N4Z,CRSM650N20N3,CRMM3907C,CRSQ027N10NZ,CS2R60A4RP-G,CS7N65ARR,CRTM084NE6N,CR7N60FA9K,CRSZ028N12N3Z,CRNF125C65,CRXI04D065G2,CRJD2KN70G2,CS3N150AHR,CRJS200N70G2,CRSS057N08N3,CRSM067N07N,CRSM072N10N2,CRJF99N65G2BF,CS5N65A8H,CRSS050N10N,CRJQ80N65F,CRME0308D,CS5N65A8R,2CR25K60A8C,CRGMS75T120DV3AH,HPD600R600PC-G,CS7N70B31R-G,CRXQ32D065G2,CRST053N10N,CS2N60A23H,CS3R50A4RP-G,CRG08T60A03L,CRTD125P06LQ,CS8N65A3R -G,CS60N03AQ4-G,CR20N60A8K,CS5N10AE-G-1,HPA800R900PD-G,CRSZ020N08N,CS32N045A4-G,CS6N65FA9,CRXQF17M120G1,CS5N20FA9,CRSY035N04N2Z,CRG75T65AQF5SD,CS8N25FA9R,CRG40T60AK3SDQ,CRTB550P06N2-G,2CR30K60AN,CS2N65A4HY,CRSS053N07N,CRSQ113N20N,CRTD039N04L2-G,CS10N80A8HD,CRJT125N60G2F,2CZ20100A9S,CS12N65A0R,CRST047N12N,CRMV0406D,HPD800R1K2PD-G,CS4N80A3R-G,CRJL190N65GC,CRXD06D065G2,CRM60XX05EAX-BD,HPA650R420PC-G,CRJL190N65G2,CS250N04A8,CS35N04A3-G,CRMB0322D,CRM60GJ15E4,CRJT390N65GC,CS3N90FA9R,CS90N03A3,CRSM054N04N2DZ,CS90N03A4,CS45N25FA9R,CRML0202D,CRSS052N08N3,2CZ20100A0S,CRXQ20D065G2,CS3N150AKR,CRJQ190N65GCF,CS40N25A8R,CRG75T65AK5SD,CRTM030N04L,CS20N60FA9H,CRSE120N10L2,CS3N90FA9H,2CR20K120A8C,CS3N30B23H,CRXQ45M065G1,CRMM3903C,CRXI02D120G2,CS20N60FA9R,CRSE095N06L2,CS24N04A4-G,CRXI15D120G2,CS2N60A3H-G,CRG40T65AK5SD,CRXB08D065G2,CS28N50ANR,CS6N120A8R-G,CRJQ41N65G2,CRTD680P10LQ,CRSE095N06L2A,CRXQ160M120G1,CRTE120N06L,CRJQ41N65GC,CS35N04A4-G,CRXQ3

选型指南 - 华润微电子 - 2024/3/11 PDF 中文下载

碳化硅功率半导体在新能源汽车领域的应用

新能源汽车是“中国制造2025”战略的重点领域之一。在未来5年内，中国将超越美国，成为全球最大的电动汽车市场。中瑞宏芯在制造碳化硅器件领域的专有技术能够为电动汽车应用提供完整的解决方案。中瑞宏芯的产品可用于新能源汽车OBC、HV-LV DC-DC转换器、电驱逆变器、充电桩及电动空调压缩机控制器、PTC加热器等。

技术探讨发布时间 : 2024-11-08

HI-SEMICON（深鸿盛）MOSFET/SiC肖特基二极管/SiC MOSFET选型指南

目录- 公司简介 MOSFET Product Introduction VDMOS 超结MOSFET 中低压MOSFET 碳化硅肖特基二极管碳化硅MOS MOSFET/SiC肖特基二极管封装

型号- SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFS0406T4,SFM6005DT,SFD7N70,SFW90N25,SFQ0320T4,SFD18N20,SFM4009T,SFE6001T2,SFM6004T5,SFK2N50,SFF60N06,SFN4006T5,SFM0420T4,SFP10003PT,SFF18N20,SCF65R190TF,SFD2N50,SFM4004PT,SFS6003PT,SFP33N10,SFS4010T,SGS6001T4,SGP6008T,SFS3401,SFQ0318T4,SC3D40120D,SFS3400,SFK1N65,SCD65R960C,SFS4010T2,SFF5N80,SFS0407T4,SFS3407,SFD6005T,SFD10003PT,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SFP40P10,SGS15HR430T,SFA10015T,SFP50N06,SCF65R640C,SFD3003T,SFQ0322T4,SFF12N65,SFD6006T,SGD105R5T,SFP11P20,SFD6N70,SFS6007T,SGM10HR14T,SCF65R380C6,SFS3400.A,SFS3001T2,SCD70R600C,SFQ0420T4,SCF60R580C,SGXXXXXPT,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3004T5,SFS3401A,SGM066R5T,SFN3009T,SGM031R7T,SFB11N90,SCD70R900C,SFU3006T,SFP9N20,SFA110P06,SFR0305T2,SFF50N06,SFD6007T,SCD80R500S,SC3D08065G,SCF65R380C,SFD4006T,SC3D08065I,SFN0315T4,SFN3003PT,SFA6005T,SFS4008T2,SFS2300,SGP157R5T,SFS2301,SFM10015T,SFH8402DW,SC3D04065E,SCU70R900C,SCF60R280C,SFS2304,SFS2303,SFF13N50,SFS2305,SC3D04065I,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP20007,SFU18N20,SGP104R0T,SCD65R1K2C,SFN0330T2,SFD6008T,SGM107R7T,SC3D04065A,SFM4010T,SFF20N50,SC3D20065D,SFP40N20,SFS0307T4,SFD3012T,SFF7N65,SCD60R580C,SFU5N20,SC3D10065A,SGM105R0T,SCF65R310C,SCF60R360C6,SFS0405T4,SC3D10065G,SC3D10065I,SFP6P10,SFM4005DT,SC3K080120,SCK65R1K15C,SFW50N25,SFU4N65,SFN0413T4,SFD5N65,SFP30P10,SFM10003PT,SC3D08065A,SFP18P10,SFD4N90,SFF7N70,SCF60R125C,SFXXXXXPTX,SFD4006PT,SFD4003T,SCF70R600C,SFF6005T,SFS0306T4,SCF80R950C,SGA104R0T,SFD3010T,SFE3007T,SFD5N50,SFP3006T,SFP3018T,SFP18N20,SGP103R0T,SCW65R075CF,SCF65R170C,SFS6012T2,SGD6008T,SGM041R8T,SFD4001PT4,SFD4001PT5,SFF8N65,SFN3006PT,SC3K040120,SGM6008T,SFD4N70,SCW60R030CF,SFB50N25,SCW65R041CF,SFP6005T,SFS2013PT,SCF70R420C,SCW65R090C,SGM031R1T,SCD70R420C,SC3K075120,SFD33N10,SCW65R099TF,SFP5P03,SCF60R160C,SFR0206T2,SFD4N65,SC3D15120H,SFS2N7002,SFF33N10,SCF70R360C6,SFD2008T,SFN3003T,SFS2302B,SGM109R5T,SFM6008T,SFD3006PT,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFK4N65,SFB90N25,SFD5N20,SFR0205PT2,SGM030R7T,SFF8N80,SC3D30065D,SFN3002T,SFU9N20,SFD7N65E,SFD9N65,SFD4004PT,SFF20N70,SGM042R4T,SFP6007T,SFS3401B,SFS4435,SFU6003T,SGU6008T,SFM0430T2,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SC3D06065E,SC3D06065G,SFP75P55,SC3D10120H,SFF3N80,SC3D06065A,SCD70R600C6,SCD65R380C,SFD14N25,SC3K015120,SFSAP4580,SFS6010T2,SCD65R540T,SGP105R5T,SFF4N65,SFF10N65,SC3D30120H,SFM0320T4,SC3D30120D,SC3D16065A,SC3D16065D,SC3D16065G,SFP27P20,SC3K050120,SFU6005T,SFW10P04,SFD3N50,SFF4N70,SFM10008T,SFF9N90,SCXXXXXXXXFX,SFD2003T,SFN0318T2,SFD3009T,SFM3011T,SFD6005PT,SC3K032120,SFP110N55,SFF16N65,SC3D12065A,SFF10N80,SFF5N50,SC3D12065G,SGD10HR20T,SC3D12065I,SC3D20120H,SFP59N10,SFN6004T5,SXXXXXXX,SFD9N20,SCF65R240C,SC3D06065I,SCD65R640C,SFS2012PT,SGA105R5T,SFN0250T2,SFM3012T,SC3D20120D,SGM041R3T

选型指南 - HI-SEMICON - 2022/11/18 PDF 中文下载

【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用

型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT

商品及供应商介绍 - NOVUSEM PPTX 中文下载

【元件】瑞之辰推出首款SiC MOSFET PIM模块，可替代硅基IGBT芯片的模块，系统损耗降低三分之一

又有一家国内企业在车规级SiC技术的研发和应用方面实现了新的突破。深圳市瑞之辰科技有限公司推出了首款基于SiC MOSFET技术的PIM模块，实现了对硅基IGBT芯片的模块替代，在系统损耗方面降低了三分之一。与此同时，这款产品在技术上突破传统PIM模块灌封封装模式，模块体积减少约57％，而且使用了瑞之辰自主研发的10项工艺创新，模块可靠性得到大幅提升，非常适用于新能源汽车、充电桩、储能等新兴领域。

产品发布时间 : 2024-11-01

世强硬创获蓉矽授权，代理车规级碳化硅MOSFET/EJBS/二极管等产品

蓉矽SiC MOSFET系列是采用第三代宽禁带半导体碳化硅制造的一种高耐压、低电阻、高频应用的MOSFET，分有高性价比的NovuSiC®和高可靠性的DuraSiC®系列。

签约新闻发布时间 : 2023-09-06

蓉矽1200V 40/75mΩ碳化硅MOSFET用于直流充电桩，减少50%器件用量，助力800V高压快充充电桩行业发展

基于蓉矽半导体第二代1200V 40/75mΩ SiC MOSFET的两电平方案结构简单、控制方便，可简化系统拓扑，减少50%的器件用量，助力800V高压快充充电桩行业的发展。蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V，最大可持续电流达75A。

应用方案发布时间 : 2024-07-17

【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统

为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。

产品发布时间 : 2024-10-09

高压快充推动碳化硅SiC器件产业化：新能源汽车市场趋势与技术革新

随着全球新能源汽车市场的蓬勃发展，高压快充技术作为新能源汽车补能的主要解决方案，正逐步成为市场主流。凭借多年来在磁性元器件领域中积累的研发技术、生产经验，铭普已形成PFC电感、共模电感、电源变压器、PLC变压器和塑封逆变电感等系列产品矩阵且积极与碳化硅芯片公司合作。

行业资讯发布时间 : 2024-08-10

【应用】采用开环LLC＋电流源PFC方案实现全碳化硅高功率密度充电桩模块设计

国产碳化硅领先品牌瞻芯电子采用SiC MOSFET、SiC SBD和SiC MOSFET驱动芯片开发了全碳化硅的充电桩模块包括PFC和DCDC的原型设计。该参考设计的功率密度比业界主流的充电桩模块提升50%，揭示了碳化硅功率器件在高功率密度、高性能充电桩模块领域的巨大优势和潜力。

应用方案发布时间 : 2020-12-29

瞻芯电子提出新能源汽车恒流预充固态继电器方案，体积大幅降低70%以上，性能优异，成本更低

瞻芯电子提出了一种新颖的高压预充方案，采用恒流控制的buck电路，可将后级母线电容快速充到电池电压。该方案采用碳化硅（SiC）MOSFET和碳化硅（SiC）SBD组成恒流充电回路，整个预充过程电流恒定，既降低了对于功率器件的要求，同时也大大提高了预充速度，而且不需要电阻，即可让后级电容充到母线电压。

应用方案发布时间 : 2023-11-20