CHA6710-99F: a GaN Based 5.5W X-Band (8 to 12.75GHz) Medium Power Amplifier with Linear Gain of 23.5dB

2023-09-21 UMS News

The CHA6710-99F is a GaN based 5.5W X-Band (8 to 12.75GHz) Medium Power Amplifier.

 

It exhibits 36% of Power Added Efficiency and 23dB linear gain.


It is designed for a wide range of applications including defense and commercial communication systems. This product is supplied as a bare die.


It is manufactured using UMS proprietary 0.25µm gate length GaN pHEMT process.

Main features:

  • Frequency range: 8-12.75GHz

  • PAE: 36% @ Psat

  • Linear gain: 23.5dB

  • Psat: 5.5W

  • Biasing: 25V @ 0.2A (quiescent)

  • Chip size: 2.70×2.15×0.10mm

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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品类
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RF Bandwidth (GHz)max
Gain(dB)
IP3(dBm)
P-1dB OUT(dBm)
Sat. Output Power(dBm)
PAE(%)
Bias(mA)
Bias(V)
Case
CHA1008-99F
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