【元件】 维安TOLL封装功率MOSFET尺寸更小,性能更好,是应对大电流场景的“法宝”
维安TOLL封装的功率MOSFET是用于大电流应用场景,最优化的封装。其产品系列最大电流可达300A以上,主要应用于类似动力BMS、逆变储能、低速电动车、电动工具、无人机电调、潜航器电机等大电流应用场景。
TOLL封装的占位面积仅为9.90mmx11.68mm,与TO-263-7L封装相比,PCB面积可节省30%。它的外形仅为2.30毫米,占用的体积比TO-263-7L封装小60%。
除了尺寸更小外,TOLL封装还提供比TO-263-7引线更好的热性能和更低的封装电感(2nH)。其开尔文源配置确保更低的栅极噪声和开关损耗,与没有开尔文配置的器件相比,包括开启损耗(EON)降低60%,确保在具有挑战性的电源设计中显著提高能效和功率密度,改善电磁干扰(EMI)并更容易进行PCB设计。
TOLL封装产品特点:
●小管脚,低剖面
●超大通流能力
●超小的寄生电感
●大的焊接面积
TOLL封装产品优势:
●高效率和低系统成本
●更少的并联数量和冷却需求
●高功率密度
●优秀的EMI性能
●高可靠性
TOLL与TO-263-7L外观对比
图 1
30% footprint reduction !
50% height reduction !
60% space reduction !
TOLL封装与TO-263-7L封装的寄生参数对比
表 1
维安TOLL封装量产产品系列
表 2
维安TOLL封装产品规划
图 2
维安TOLL封装产品的优势介绍
较高的功率密度
新能源产品(新能源汽车、储能及配套应用)与大功率电源及电机的快速发展,对产品能效要求进一步提高,MOS管需要承受瞬间高能量通过,并需要在有限的材料物理散热极限内,达到最高散热率与最低的热阻,在这一极限条件下,TOLL封装超低导通阻抗和寄生电感、以及更出色的EMI表现和热性能正好满足这一发展趋势要求,其次TOLL封装实际电路设计应用中所需的并联和散热部件较少,可以节省PCB空间,从而提高整体可靠性。
较低的温升
BMS应用中,在承受持续大电流充放电的过程中,MOSFET的温度表现对于系统的整体效率和温度至关重要,TOLL封装产品WMLL020N10HGS(BVdss 100V, Rdson 2mR max),在26℃环境温度下,通过持续40A过流能力考验:
通过PCB散热,温升仅为61℃;
通过铝基板散热,温升仅为32℃。
图 3 PCB散热
图 4 铝基板散热
较高的短路耐量
BMS和电机控制的应用中,MOSFET在短路瞬间,会承受短时间几十uS~几百mS的大电流冲击,瞬态功率高达上百KW,实验室模拟TOLL封装产品WMLL020N10HGS(BVdss 100V,Rdson 2mR max)在电机高速旋转中遇到搭接短路时的功率表现。
下图:示波器波形1CH: Vgs 2CH: Vds 4CH: Ids M1:MOS功耗
单体短路,VDD=88V 短路最大电流1550A,最大耗散功率101.5KW。
图 5
强壮持续线性工作模式
在线性模式下,MOSFET在饱和状态或饱和区域中工作,它表现为栅极电压控制的电流源,与完全导通(或完全增强)的情况相反,MOSFET在线性模式下的漏极-源极阻抗相对较高,因而功耗也比较高。在线性模式下,功率等于漏极电流与漏极-源极电压的乘积(ID ×VDS),两者数值都比较高,实验室模拟TOLL封装产品WMLL020N10HGS(BVdss 100V, Rdson 2mR max)在接近直流操作的长脉冲时间测试MOSFET线性模式鲁棒性,产品在线性模式工作条件下的功率能力,均在理论安全工作区(SOA)范围内,防止器件出现任何热失控。
下图:VDS=28V Ids=2.5A线性模式70W耗散功率持续工作。
图 6
图 7
超强的电机重载驱动能力
3000W大功率72V电机系统,对于MOSFET器件带载能力要求苛刻,实验室模拟TOLL封装产品WMLL020N10HGS(BVdss 100V, Rdson 2mR max),6管桥臂MOSFET驱动,上下两两交叉导通,导通时一管保持开启,一管为PWM调制信号,根据PWM占空比的大小来调整输出电流的大小。
下图:拉载感性负载,示波器波形1CH:上桥臂Vgs 2CH:上桥臂Vds
六颗MOS拉载72V 42A ,3000W直流无刷电机负载。
图 8
下图:示波器波形1CH: Vgs 2CH: Vds 4CH:Ids M1:MOS功耗;
上桥臂MOS能够承受103V,1300A瞬时功率冲击。
图 9
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产品型号
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品类
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Package
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Configuration
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Type
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ESD
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VDS(V)
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Vgs Max(V)
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ID at 25℃(A)Max.
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VGS(th)(V)-Typ.
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Rds(on)Vgs=10V
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Rds(on)Vgs=10V,(mΩ)Max.
|
Rds(on) Vgs=4.5V,(mΩ)Typ.
|
Rds(on)Vgs=4.5V,(mΩ)Max.
|
Ciss (pF)Typ.
|
Coss (pF)Typ.
|
Crss (pF)Typ.
|
WMB70P02TS
|
Trench P Channel Power MOSFET
|
PDFN5*6-8L
|
Single
|
P
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NO
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-20
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±12
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-70
|
-0.65
|
3.1
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4.1
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3.5
|
4.8
|
4599
|
668
|
577
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