【产品】输入工作电压7~28V的三路Gate驱动IC G2301A,内置LDO带载能力强达100mA
G2301A是森国科推出的一款为控制P&N沟道MOSFETs而设计的三路Gate驱动IC,采用ESOP16封装,芯片内部有3个半桥,共驱动3个P沟道功率MOSFETs和3个N沟道功率MOSFETs,每一路输出均由单一逻辑输入信号控制,由MCU或控制器来控制马达工作于任意模式。
芯片内部集成了3.3/5V的LDO,电流能力达到100mA。内置死区时间和直通保护逻辑,防止上、下桥臂的功率管同时导通。内置输入欠压保护。
特点
内置LDO带载能力强达100mA
P/N MOS半桥、三路输出
输入工作电压范围7V~28V
LDO 3.3V/5V可选,且具有限流保护
内置过温关闭保护功能
内置输入欠压功能
内置死区时间
应用领域
电机驱动
工业控制
桥式电路前级驱动
电动自行车/电动工具
典型应用框图
极性参数
推荐工作范围(无特别说明情况下TA=25℃)
订购信息
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森国科预驱芯片选型表
描述- 森国科功率IC系列包括多种型号的Gate Driver(预驱)产品,适用于不同电压和封装需求。产品具有宽工作电压范围、高开关速度、LDO输出等功能,并具备温度保护和欠压保护特性。型号包括G2301A、G2301B、G2301C、G2302B、G2311B和G2312B,分别适用于3P+3N、3N+3N、3P+3N、3N+3N、2P+2N和2N+2N配置,封装形式有ESOP16和TSSOP20。
型号- G2301A,G2302B,G2301B,G2312B,G2301C,G2311B
G2302B 三路预驱芯片
描述- G2302B是一款专为控制N沟道MOSFETs设计的三路Gate驱动IC,具有三个半桥结构,可独立控制三个上臂N沟道功率MOSFETs。芯片集成3.3/5V LDO,具备强载流能力,并内置多种保护功能,如死区时间、直通保护和输入欠压保护。适用于电机驱动、工业控制和电动自行车等领域。
型号- G2302B
三路预驱芯片G2301A
描述- G2301A是一款专为控制P/N沟道MOSFETs设计的三路Gate驱动IC,内部包含3个半桥,用于驱动3个P沟道和3个N沟道功率MOSFETs。芯片具有内置LDO、输入工作电压范围宽、可选LDO输出电压、过温关闭保护和输入欠压保护等特点。
型号- G2301A
G2301A 三路预驱芯片
描述- G2301A是一款专为控制P沟道和N沟道MOSFETs设计的三路Gate驱动IC,具有内置LDO、强载能力、多路输出等特点。该芯片适用于电机驱动、工业控制和桥式电路前级驱动等领域。
型号- G2301A
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描述- G2301B是一款三路预驱芯片,专为控制P沟道和N沟道MOSFETs设计。它内部包含3个半桥,可驱动3个P沟道和3个N沟道功率MOSFETs。芯片具有内置LDO、过温关闭保护、输入欠压保护等功能,适用于电机驱动、工业控制等领域。
型号- G2301B
G2301B 三路预驱芯片
描述- G2301B是一款专为控制P沟道和N沟道MOSFETs设计的三路门驱动集成电路。它具有三个半桥结构,可独立控制三个P沟道和三个N沟道功率MOSFETs。芯片支持7V至28V的输入工作电压,集成LDO稳压器,并提供多种保护功能。
型号- G2301B
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产品型号
|
品类
|
驱动
|
工作电压(V)
|
温度范围(℃)
|
开关速度(ns)
|
LDO输出
|
温度保护(℃)
|
欠压
|
封装
|
限流
|
G2301C
|
Gate Driver
|
3P+3N
|
8V~40V
|
-40~105℃
|
100ns
|
可输出5V
|
150℃/135℃
|
√
|
ESOP16
|
√
|
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可定制单位/双位/三位/四位LED数码管的尺寸/位数/发光颜色等性能参数,每段亮度0.8~30mcd,主波长470~640nm,电压2~10.2V。
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可定制变压器电压最高4.5KV,高频30MHz;支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
最小起订量: 100000 提交需求>
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