【产品】带载能力达100mA的三路Gate驱动IC G2301B,为控制P&N沟道MOSFETs而设计
G2301B是森国科推出的一款为控制P&N沟道MOSFETs而设计的三路Gate驱动IC,采用ESOP16封装。芯片内部有3个半桥,共驱动3个P沟道功率MOSFETs和3个N沟道功率MOSFETs,每一路输出均由单一逻辑输入信号控制, 由MCU或控制器来控制马达工作于任意模式。
芯片内部集成了3.3/5V的LDO,电流能力达到100mA。内置死区时间和直通保护逻辑,防止上、下桥臂的功率管同时导通。内置输入欠压保护。
特点
内置LDO带载能力强达100mA
P/N MOS半桥、三路输出
输入工作电压范围7V~28V
LDO 3.3V/5V可选,且具有限流保护
内置过温关闭保护功能
内置输入欠压功能
内置死区时间
应用领域
电机驱动
工业控制
桥式电路前级驱动
电动自行车/电动工具
典型应用框图
极性参数
推荐工作范围(无特别说明情况下 TA=25℃)
订购信息
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型号- G2301A,G2302B,G2301B,G2312B,G2301C,G2311B
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产品型号
|
品类
|
驱动
|
工作电压(V)
|
温度范围(℃)
|
开关速度(ns)
|
LDO输出
|
温度保护(℃)
|
欠压
|
封装
|
限流
|
G2301C
|
Gate Driver
|
3P+3N
|
8V~40V
|
-40~105℃
|
100ns
|
可输出5V
|
150℃/135℃
|
√
|
ESOP16
|
√
|
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