【产品】带载能力达100mA的三路Gate驱动IC G2301B，为控制P＆N沟道MOSFETs而设计
G2301B是森国科推出的一款为控制P&N沟道MOSFETs而设计的三路Gate驱动IC，采用ESOP16封装。芯片内部有3个半桥，共驱动3个P沟道功率MOSFETs和3个N沟道功率MOSFETs，每一路输出均由单一逻辑输入信号控制， 由MCU或控制器来控制马达工作于任意模式。
芯片内部集成了3.3/5V的LDO，电流能力达到100mA。内置死区时间和直通保护逻辑，防止上、下桥臂的功率管同时导通。内置输入欠压保护。
特点
内置LDO带载能力强达100mA
P/N MOS半桥、三路输出
输入工作电压范围7V~28V
LDO 3.3V/5V可选，且具有限流保护
内置过温关闭保护功能
内置输入欠压功能
内置死区时间
应用领域
电机驱动
工业控制
桥式电路前级驱动
电动自行车/电动工具
典型应用框图
极性参数
推荐工作范围（无特别说明情况下 TA=25℃）
订购信息
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本文由Vicky转载自森国科，原文标题为:G2301B 三路预驱芯片，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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