【产品】带载能力达100mA的三路Gate驱动IC G2301B,为控制P&N沟道MOSFETs而设计

2023-09-01 森国科
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G2301B森国科推出的一款为控制P&N沟道MOSFETs而设计的三路Gate驱动IC,采用ESOP16封装。芯片内部有3个半桥,共驱动3个P沟道功率MOSFETs和3个N沟道功率MOSFETs,每一路输出均由单一逻辑输入信号控制, 由MCU或控制器来控制马达工作于任意模式。


芯片内部集成了3.3/5V的LDO,电流能力达到100mA。内置死区时间和直通保护逻辑,防止上、下桥臂的功率管同时导通。内置输入欠压保护。


特点
内置LDO带载能力强达100mA
P/N MOS半桥、三路输出
输入工作电压范围7V~28V
LDO 3.3V/5V可选,且具有限流保护
内置过温关闭保护功能
内置输入欠压功能
内置死区时间


应用领域
电机驱动
工业控制
桥式电路前级驱动
电动自行车/电动工具

典型应用框图


极性参数


推荐工作范围(无特别说明情况下 TA=25℃)


订购信息



授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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产品型号
品类
驱动
工作电压(V)
温度范围(℃)
开关速度(ns)
LDO输出
温度保护(℃)
欠压
封装
限流
G2301C
Gate Driver
3P+3N
8V~40V
-40~105℃
100ns
可输出5V
150℃/135℃
ESOP16

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