WAYON针对PC及PC电源推出多款MOSFET细分产品，具有高功率密度、低开关损耗等特性
随着人工智能及5G网络应用的发展，英特尔、AMD等PC平台相继推出运算效能更高的AI处理器，其中英特尔推出的10nm制程Ice Lake处理器中采用了Sunny Cove微架构并导入向量神经网络指令集（VNNI），借此加快深度学习（DeepLearning）运算速度。AMD阵营则推出第三代Ryzen处理器结合X570芯片组应战，强打效能牌并瞄准电竞市场商机。
另根据市场研究机构 Canalys 发布的最新报告数据显示，2020 年全年全球 PC市场出货量达到 2.97 亿台，同比增长 11%。Canalys分析认为，由于5G网络升级换代，PC行业将在未来几年继续增长，预测2021年将增长8%。多角度分析预估PC产品MOSFET用量较上一代产品有望增长一倍。
不同领域的MOSFET的形态不同，其电路中充当的作用和原理也是不尽相同。CPU/GPU的供电系统的主要目的是把由电源输入的12V电压转变为CPU所需的1V多的电压，以驱动CPU稳定运行。随着CPU、GPU的运算能力越来越强，所需的供电电流也随之上升，当电流超过电子元件的承受能力后，多相供电就成了必要。多相供电电路中的关键元件包括PWM控制器芯片、MOSFET驱动芯片、MOSFET、扼流圈、电容等，其中每一相供电至少需要上、下桥两个MOSFET。
MOSFET的应用场合的不同，无论是从存在的方式和工作原理上都有差异，WAYON针对PC及PC电源领域的差异化需求同时推出了Trench、SGT MOSFET以及高压SJ MOS。其中WAYON SGT MOSFET采用CLIP BOND封装，能够进一步提升功率密度，降低开关损耗，同时拥有更好的EMI优势。其显著特点如下：
更好导热性能
更低导通阻抗
减少寄生电感
更支持更大电流与功率
降低功率损耗
PC电源特别是笔记本电脑快充的普及，对适配器提出了小、薄、和轻等要求，为了应对PC及PC电源不同的应用场景，WAYON推出了针对不同应用场景的细分产品。
应用场景1：PC Main-board Power
PC Main-board Power
专门针对上下桥MOS，做了如下优化：
上桥开关 HS SW
降低开关损耗
优化Qgd
下桥开关 LS SW & SR
改进轻载效率
减少 Phase Node Overshoot
低导通电阻 Rds(on)
产品系列 – DFN5x6 N沟道
产品系列 – DFN5x6 双N沟道
产品系列 – DFN3x3 For Functional component
应用场景2：PC switching power supply
PC switching power supply
产品系列 – DFN5x6 N沟道（40V&60V）
产品系列 – TO-220 (120V & 100V)
产品系列 – 高压SJ-MOSFET
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WAYON power MOSFET选型表
WAYON（维安半导体）提供 Trench P Channel Power MOSFET（沟槽P沟道功率MOSFET）/SGT P Channel Power MOSFET（SGT P沟道功率MOSFET）/Trench N Channel Power MOSFET(沟槽N沟道功率MOSFET)/SGT N Channel Power MOSFET（SGT N沟道功率MOSFET）/Multi-Channel MOSFET Power MOSFET(多沟道功率MOSFET)选型，Type：N/P，ESD：NO/YES，VDS(V)：-150~300V，Vgs Max(v)：±10~±20V，VGS(th)(V)-Typ.:-3~3.8.
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产品型号
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品类
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Package
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Configuration
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Type
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ESD
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VDS(V)
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Vgs Max(V)
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ID at 25℃(A)Max.
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VGS(th)(V)-Typ.
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Rds(on)Vgs=10V
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Rds(on)Vgs=10V,(mΩ)Max.
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Rds(on) Vgs=4.5V,(mΩ)Typ.
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Rds(on)Vgs=4.5V,(mΩ)Max.
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Ciss (pF)Typ.
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Coss (pF)Typ.
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Crss (pF)Typ.
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WMB70P02TS
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Trench P Channel Power MOSFET
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PDFN5*6-8L
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Single
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P
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NO
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-20
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±12
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-70
|
-0.65
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3.1
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4.1
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3.5
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4.8
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4599
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668
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577
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选型表 - WAYON 立即选型
【元件】扬杰科技新推用于PC主板的High-side+Low-side PDFN5060 N30V MOSFETS
扬杰科技近日推出了针对于PC主板应用的High-side+Low-side PDFN5060 N30V Mosfets，产品采用SGT技术，具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，明显降低导通和开关损耗，在300kHz以上高频率应用有优异的表现。
WMZ26N60C4 600V 0.16Ω超级结功率MOSFET
描述- 该资料介绍了WMZ26N60C4型600V 0.16Ω S Super Junction MOSFET的特性及应用。产品采用电荷平衡技术，具有极低的导通电阻和栅极电荷性能，适用于高功率密度和高效率的应用。
型号- WMZ26N60C4
WMM07N65PC4，WML07N65PC4，WMO07N65PC，WMN07N65，WMP07N65，WMK07N6，650V 1.2Ω超级结功率MOSFET
描述- 该资料介绍了Wayon公司生产的WMx07 7N65PC4系列650V 1.2Ω超级结MOSFET。该产品采用电荷平衡技术，具有极低的导通电阻和栅极电荷性能，适用于需要高功率密度和卓越效率的应用。
型号- WMM07N65PC4,WMN07N65PC4,WMK07N65PC4,WMP07N65PC4,WML07N65PC4,WMO07N65PC4
WML36N65C4、WMK36N65C4、WMN36N65 C4、WMM36N65 C4和WMJ36N6 5 C4 650V 0.08Ω超级结功率MOSFET
描述- 本资料介绍了Wayon公司的WMx36N65C4系列功率MOSFET的特性及应用。该系列产品采用电荷平衡技术，具有极低的导通电阻和栅极电荷性能，适用于高功率密度和高效率的应用。
型号- WML36N65C4,WMM36N65C4,WMK36N65C4,WMN36N65C4,WMJ36N65C4
WMM10N65C4、WML10N65C4、WMO10N65C4650V 0.52Ω超级结功率MOSFET，WMN10N65C4650V 0.52Ω超级结功率MOSFET
描述- 本资料介绍了Wayon公司的WMx10N65C4系列650V 0.52Ω超结MOSFET的特性。该产品采用电荷平衡技术，具有极低的导通电阻和栅极电荷性能，适用于高功率密度和高效率的应用。
型号- WMO10N65C4,WMP10N65C4,WMN10N65C4,WMM10N65C4,WML10N65C4,WMK10N65C4
WMF07N65PC4 650V 1.2Ω超结功率MOSFET
描述- 本资料介绍了Wayon公司生产的WMF F07N65PC4型650V V 1.2Ω S Super Junction Power MOSFET。该产品采用电荷平衡技术，具有极低的导通电阻和低栅极电荷性能，适用于需要高功率密度和卓越效率的应用。
型号- WMF07N65PC4
维安多款低内阻、具有EMI优势的SGT MOSFET，助力提高系统的效能和功率密度
SGT MOSFET作为中MOSFET的代表，被作为开关器件广泛应用于电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统，是核心功率控制部件。维安在高功率密度、低内阻的SGT MOSFET上面进行积极布局，结合市场和客户的需求，在产品工艺、封装上持续创新。
WML14N65C4、WMK14N65C4、WMM14N65C4650V 0.33Ω超级结功率MOSFET、WMN14N65C4650V 0.33Ω超级结功率MOSFET
描述- 本资料介绍了Wayon公司的第四代超级结MOSFET产品家族——WMOS C4。该系列产品采用电荷平衡技术，具有极低的导通电阻和栅极电荷性能，适用于高功率密度和高效能的应用。
型号- WMK14N65C4,WML14N65C4,WMM14N65C4,WMN14N65C4,WMP14N65C4,WMO14N65C4
WMM04N65PC4、WML04N65PC4、WMO04N65PC4、WMN04N65PC4、WMP04N65PC4、WMK04N65PC4 650V 2.4Ω超级结功率MOSFET
描述- 这份资料详细介绍了Wayon公司生产的WMOS C4系列650V 2.4Ω超级结MOSFET的特性、电气特性、热特性、机械尺寸和订购信息。该产品适用于需要高功率密度和卓越效率的应用，如LED照明、充电器、适配器、PC、LCD TV、服务器等。
型号- WMM04N65PC4,WMN04N65PC4,WML04N65PC4,WMO04N65PC4,WMK04N65PC4,WMP04N65PC4
WMZ36N60C4 600V 0.088Ω超级结功率MOSFET
描述- 本资料介绍了Wayon公司生产的WMZ36N60C4型600V 0.088Ω S Super Junction MOSFET。该器件采用电荷平衡技术，具有极低的导通电阻和栅极电荷性能，适用于高功率密度和高效率的应用。
型号- WMZ36N60C4
WMZ53N60F2 600V 0.065Ω超级结功率MOSFET
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型号- WMZ53N60F2
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