【产品】维安车规碳化硅肖特基产品具有高耐压、高浪涌、低漏电特性,成为新能源车载领域“得力干将”

2023-08-31 WAYON官网
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碳化硅材料(SiC)有着击穿场强高、禁带宽度大、饱和电子漂移速度大、熔点和热导率高的优点,其电学和物理特性决定了SiC半导体器件有着高耐压、低漏电、高结温、高可靠性的优点,十分适合用在汽车、工控、航天等领域。


碳化硅肖特基(SiC SBD)二极管是以碳化硅为材料设计制作的肖特基二极管,与硅器件相比,拥有更佳的开关性能和更高的可靠性。SiC二极管没有反向恢复电流,开关性能与温度无关,并且有着极佳的热性能、极高的功率密度,带来了系统尺寸的减小和成本的降低,使SiC成为越来越多高性能汽车应用的最优选择。


在新能源汽车中,SiC二极管在车载充电机(OBC)已经得到了广泛应用。OBC和地面直流快充桩功能类似,都是将电网中的交流电转换成直流电,然后给汽车的电池组充电。


OBC典型的线路结构是由前级功率因数校正(PFC)和后端DC/DC转换电路组成。针对单向OBC,这种功能由于只提供从电网到汽车的输电。整个功能块中不管是前端还是后端,都会用到碳化硅二极管(D1-D6),共6个,其在电路中的作用如下:

1、输入端PFC电路中,SiC二极管作为升压和整流二极管应用;

2、输出端DC-DC次级侧电路中,SiC二极管作为高频整流应用。


图1:OBC单相拓扑功能块


OBC单元会根据整个电池的健康状态和电荷状态,改变电压和电流。随着现在 OBC从单相220V到三相380V的发展来看,DC/DC次级器件的电压会有所升高,会从目前的650V二极管转变成1200V。


图2:车载OBC


维安车规SiC二极管从原材料指定、芯片设计以及封装要求进行了整体优化。


在原材料选择上锁定世界一流大厂,且对衬底缺陷有着严格的要求和监控。在设计理念上器件更注重大浪涌,高耐压和低漏电。浪涌水平比同行业高20%,击穿耐压高工控产品50V以上。漏电上限是国外一线大厂的1/2。器件的高耐压、高浪涌、低漏电特性决定了器件可以适应严苛的应用。


在封装的设计上,焊料的选择、打线材料的选择以及塑封料的选择,均做了特殊的设计。在产品的在线管控上,配合芯片设计做出漏电和耐压测试规范的优化,比如:650V系列产品VB下限值高于800V,1200V系列产品VB下限值高于1350V,且两类产品的漏电进行了加严管控,以1200V 10A为例的漏电缩小到3μA ,其漏电Max远远优于国际一流厂商。且车规产品引入芯片级在线100%老化,会在芯片级测试时候,其VF方向加一个额定电流,对器件进行老化,其之后再进行击穿电压和漏电测试,以便有效剔除有缺陷的芯片。


在封装后,成品测试添加100% 100℃高温测试,并全部进行100%反向浪涌测试筛选和电镀前回流焊筛选,以及出货前TC筛选,以便提升器件的稳定性和可靠性,使其可以在汽车上恶劣的工作环境下保持稳定。


器件按照车规级可靠性进行评估验证,车载系列产品已经转为量产。


表1:维安可靠性评估情况表


维安车规碳化硅肖特基产品已经完成系列化,产品涉及650V、1200V、1700V等多个电压档位;封装涉及TO247-3、TO247-2等封装形式。


表2:维安车规碳化硅肖特基二极管主推列表


值得一提的是,维安在第三代半导体市场积极进行开拓,已经为国内外新能源汽车客户供应过SiC肖特基产品。同时,维安SiC肖特基持续优化迭代,公司着眼于快速增长的第三代半导体市场,依托国家级技术创新平台,吸纳整合产业链各环节上的优势企业。加强前端芯片设计企业与后端代工、封装的全面协作,确保从设计到封装的高质量发展。

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公司介绍    碳化硅场效应管/碳化硅肖基特二极管/场效应管    超结场效应管/IGBT单管/可控硅    二极管    静电保护器件/瞬态抑制二极管    三极管/电源IC    运算放大器/达林顿晶体管阵列/整流桥/霍尔传感器    光耦/石英晶体谐振器   

SLKOR  -  MOSFET,SIC场效应晶体管,SCR,DIODE,REFERENCE POWER SUPPLY,石英晶体,超级结MOSFET,开关二极管,低压差线性稳压器LDO,瞬态抑制二极管,可控硅光耦,高速光耦,双向可控硅,TVS,ZENER DIODE,石英晶体谐振器,GBT单管,达林顿晶体管阵列,PHOTO TRIAC,单向可控硅,光耦合器设备,SIC备用电池,双极性结型晶体管,碳化硅肖特基二极管,静电放电,FAST RECOVERY DIODE,稳压二极管,HIGH-SPEED OPTOCOUPLERS,光电三端双向可控硅,静电保护器件,SIC MOSFET,肖特基二极管,DARLINGTON ARRAY,直流-直流,OPERATIONAL AMPLIFIER,HALL SENSOR,整流桥,光敏晶体管,电源IC,三极管,基准电源,碳化硅场效应管,RECTIFIER BRIDGE,快恢复二极管,参考电源,HALL传感器,齐纳二极管,SIC SBD,DC-DC,IGBT,LDO,高速光耦合器,ESD,OPTICALCOUPLER EQUIPMENT,PHOTO TRANSISTOR,碳化硅肖基特二极管,整流二极管,QUARTZ CRYSTAL,RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY DIODE,晶体管光耦,霍尔传感器,SWITCHING DIODE,SUPER JUNCTION MOSFET,超结场效应管,低压差线性稳压器,可控硅,BIPOLAR JUNCTION 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SMDJ170CA,SL851,SL252027MXXX,S5MB,SL1605TL,SL503216MXXX,通讯设备,机器人,HIGH-END EQUIPMENTS,ELECTRIC VEHICLES,锂电池保护,电子烟,车联网,太阳能光伏,SMART HOME APPLIANCES,电动工具,通讯电力设备,IOT,IOV,大功率开关电源,手提电脑,太阳能光伏系统,航天领域,智能扫地机器人,不间断电源,智能手机,ELECTRIC POWER TOOLS,军事,物联网,3C数码产品,LAPTOPS,高端设备,智慧家电,能源互联网领域,医疗设备,充电桩,新能源汽车,SMART PHONES,清洁能源发电,INTELLIGENT ROBOTS,智能机器人,LED照明,LED LIGHTING,智慧家居,COMMUNICATION EQUIPMENTS,MEDICAL EQUIPMENTS,3C DIGITAL PRODUCTS,高端装备,笔记本电脑,SOLAR PHOTOVOLTAIC SYSTEMS,电动车辆

2022/10/9  - 选型指南 代理服务 技术支持 采购服务

国内车规级MOSFET提供商江智科技授权世强硬创代理全线产品

产品包括车规级MOSFET、SiC MOSFET、功率MOSFET、SJ MOSFET、IGBT、二极管ESD、TVS、三极管、同步整流器等。

2024-12-13 -  签约新闻 代理服务 技术支持 采购服务

扬杰科技(YANGJIE)分立器件产品快速选型表

整流桥 Rectifier Bridge    整流二极管 Rectifier Diode    快恢复二极管 Quick-recovery Diode    超高效整流二极管 Ultra High Efficiency Rectifier Diode    肖特基二极管 Schottky Diode    光伏二极管 Photovoltaic Diode    瞬态抑制二极管 Transient Voltage Suppressor    稳压二极管 Zener Diode    放电管 Discharge Tube    静电放电 ESD    小信号开关二极管 Small Signal Switching Diode    小信号肖特基二极管 Small Signal Schottky Diode    小信号三极管 Small Signal Triode    小信号数字晶体管 Small Signal Digital Transistor    晶闸管/整流二极管/三相整流桥模块 THYRISTOR/RECTIFIER/ THREE PHASE RECTIFIE DIODE MODULE    IGBT模块 IGBT MODULES    肖特基模块/碳化硅肖特基模块 SCHOTTKY MODULES/SIC SCHOTTKY MODULE    快恢复二极管模块 FRD DIODE MODULES    中低压MOS管 Medium and Low Voltage MOS Tube   

扬杰科技  -  晶闸管/三相整流桥模块,小信号三极管 SMALL SIGNAL TRIODE,SMALL SIGNAL DIGITAL TRANSISTOR,瞬态抑制二极管,THYRISTOR,晶闸管,碳化硅肖特基模块,ZENER DIODE,小信号三极管,静电放电,中低压 TRENCH MOS,稳压二极管,IGBT MODULES,肖特基二极管,SGT MOS,ULTRA HIGH EFFICIENCY RECTIFIER DIODE,肖特基模块,TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR,快恢复二极管模块,整流桥,超快恢复二极管,小信号开关二极管,SIC SCHOTTKY MODULE,DISCHARGE TUBE,快恢复二极管,RECTIFIER BRIDGE,超高效整流二极管,光伏二极管,放电管,三相整流桥模块,THREE PHASE RECTIFIER MODULE,SCHOTTKY MODULES,FRD DIODE MODULES,SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE,晶闸管模块,QUICK-RECOVERY DIODE,功率模块,小信号数字晶体管,ESD,整流二极管模块,整流二极管,中低压MOS管,SCHOTTKY DIODE,THREE PHASE RECTIFIE DIODE MODULE,小信号肖特基二极管,IGBT模块,三相整流桥模,MEDIUM AND LOW VOLTAGE MOS TUBE,PHOTOVOLTAIC DIODE,SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE,RECTIFIER DIODE 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选型指南 代理服务 技术支持 采购服务

扬杰科技(YANGJIE)碳化硅产品选型指南

公司简介    命名规则及包装形态    SiC MOSFET    SiC肖特基二极管    SiC SBD模块    SiC MOSFET模块    应用+产品推介    公司实验室平台    长期可II性试验测试参考表   

扬杰科技  -  MOSFET,WAFER,外延晶片,SIC场效应晶体管,硅晶片,硅锭,半导体分立器件,碳化硅SBD模块,PROTECTION DIODE,SIC,EPI WAFER,SIC SBD,IGBT,功率模块,整流器件,SIC 肖特基二极管,SIC MOSFET,晶圆,SIC备用电池,单晶硅棒,SIC MOSFET模块,RECTIFIER,SIC MOSFET 分立器件,SIC肖特基二极管,SIC MOSFET MODULE,SIC MOSFET,硅片,SIC SBD MODULE,SIC SBD MODULE,SIC MOSFET模块,保护二极管,整流器,SILICON WAFER,分立器件芯片,SIC MOSFET MODULE,SILICON INGOT,外延片,SIC SBD模块,保护器件,YJD2065100NCTGHQ,YJD106520BQG2,YJD212060B7GH,YJD206560B7GH,YJD212060NCTGH,YJD106520FQG2Q,YJD2065200BGH,MB480U065F2,YJD212040T2GH,YJD112020NCTQG2,YJD2120160NCFG1Q,YJD106508PQG2,YJD2120120NCTGHQ,YJD112002DG1,YJD2120120BGH,YJD217045NCFGH,MB60DU12ST,MB80DU12ST,YJD212080NCFG1,YJD206560NCTGH,YJD2120120NCTGH,YJD2120240NCFGH,YJD2120120NCFGHQ,YJD21701K0B7GH,YJD106520DQG2Q,YJD212030NCFGHQ,YJD106506BQG2,YJD212060T2GH,YJD106520PQG2,YJD212040NCTG2,YJD112020BXGG2,YJD212040NCTG1,YJD106502DQG3,MB60DU12STN,YJD21701K0NCTGH,YJD106504PG1,YJD112015PGG2,YJD212040T2GHQ,YJD212030NCTGH,YJD106520NCTQG2,YJD212030T2GH,YJD106540NCTQG2,YJD106510BQG2,YJD106510PQG2Q,YJD112010BQG2,YJD206525NCTGHQ,YJD106502PQG3,YJD106508BQG2,YJD2120240NCTGHQ,YJD212040NCTGH,YJD106510PQG2,MC16UZ12STN,YJD112040NGG2,YJD206550NCFGHQ,YJD106504DG1,YJD212040NCTGHQ,YJD212080NCTGHQ,YJD206560NCFGHQ,YJD106520DQG2,YJD106550BQG3,YJD212080NCFG1Q,YJD112040NCTG1,YJD2120120B7GH,YJD2120160NCFG1,YJD112005PG1,YJD112030NGG2,YJD2065200NCFGH,YJD112030NGG3,YJD2065100NCTGH,YJD112015NG1,YJD212030T2GHQ,YJD106520NCTQG2Q,YJD2120240BGHQ,YJD212080NCFGH,YJD212040NCFGHQ,YJD206520NCTGH,YJD206550NCFGH,YJD2065100B7GHQ,YJD206525NCFGH,YJD206530NCTG1,YJD2120240B7GHQ,YJD212080NCFGHQ,YJD112002PG1,YJD112005DG1,YJD2120240NCTGH,YJD2065100NCFGHQ,YJD206550B7GH,YJD2120120B7GHQ,YJD206560NCTGHQ,YJD206530NCTG1Q,YJD2065200B7GH,YJD112020BGG2,MB120DU12FJ,YJD206525T2GHQ,YJD112015NGG2,YJD106506PQG2,YJD206520NCTGHQ,YJD112030NCTG1,YJD206560NCFG1,YJD112010DQG2,YJD106508DQG2,YJD206530NCFG1Q,YJD212040NCTG1Q,YJD206560NCFG1Q,YJD206560NCFGH,YJD217045NCTGH,YJD112010NQG2,YJD212080NCTG1Q,YJD2120240B7GH,YJD106520PQG2Q,YJD212040NCFG2Q,MB120DU12ST,YJD2120120BGHQ,YJD106520FQG2,YJD2065100B7GH,YJD212080B7G1Q,YJD212060NCFGH,YJD2120240NCFGHQ,YJD212080T2GHQ,YJD212060B7GHQ,YJD112030NCTGG2,YJD112040NCTGG2,YJD112040NCTGG1,YJD212040NCFG2,YJD21701K0NCFGH,YJD106520NQG2Q,YJD212040NCFG1Q,YJD2120120NCFGH,YJD206560B7GHQ,YJD212030NCFGH,YJD106510FQG2,YJD112010FQG2,MB60DU12FJ,YJD206520NCFGHQ,YJD206525T2GH,YJD206550NCTGHQ,MB80DU12FJ,YJD206560NCTG1Q,YJD106506FQG2,MB200DU12FJ,YJD212040NCFG1,YJD112040NQG2,YJD212060T2GHQ,YJD106520BQG2Q,YJD2120240BGH,YJD206550B7GHQ,YJD112010PQG2,YJD212060NCTGHQ,MB480U12F2,YJD2120160NCTG1Q,YJD106510DQG2Q,YJD212080B7GH,YJD212080B7GHQ,YJD212030NCTGHQ,YJD206525NCTGH,YJD112030NG1,YJD106510FQG2Q,YJD212040NCFGH,YJD212080B7G1,YJD2065100NCFGH,YJD112030NQG2,MB200DU12ST,YJD2065200NCTGH,YJD2120160NCTG1,MB180DU065FJ,YJD106508FQG2,YJD212080T2GH,YJD21701K0BGH,YJD106510BQG2Q,YJD212040NCTG2Q,YJD212060NCFGHQ,MB180DU12FJ,YJD212080NCTG1,YJD112005FG1,YJD206525NCFGHQ,YJD112010BXQG2,YJD106520NQG2,YJD212080NCTGH,YJD206550NCTGH,YJD206560NCTG1,YJD106550NQG3,YJD206520NCFGH,YJD206530NCFG1,YJD106506DQG2,YJD112020NGG2,YJD106510DQG2,车载充电系统,清洁能源,汽车,可再生能源应用,AUTOMOTIVE,充电桩,新能源汽车,AUTOMOTIVE SIC DEVICE,OBC,SIC MOSFET OBC,电源,SIC MOSFET OBC,电动汽车车载充电系统,车载DC/DC,清洁能源应用,汽车用SIC器件,电源转换系统,工业电机驱动,光伏储能逆变,光储充

2023年09月  - 选型指南  - 第一版 代理服务 技术支持 采购服务

虹美功率半导体特色产品介绍

深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品,包括储能SGT MOS、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、TO-263贴片封装大电流高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、双P沟道中压大电流MOS、N+P沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS、车规SiC二极管、SiC二极管、GaN FET和IGBT单管等。产品广泛应用于储能、新能源汽车、充电器、适配器、智能插座、小家电、工业变频器、电机驱动、感应加热、电磁炉、电饭煲、逆变器、电焊机、UPS、PFC等领域。

虹美功率半导体  -  超高压平面MOS,半桥驱动 MOS,双P沟道中压大电流MOS,GAN FET,低压MOS,车规SIC二极管,氮化镓场效应管,中压大电流MOS,储能 SGT MOS,碳化硅二极管,超轻薄低压MOS,一站式、高性价比功率半导体器件,莫斯中士,全桥驱动 MOS,SGT MOS,高压超结MOS,大电流高压平面MOS,氮化镓FET,MOS管,高压平面MOS,SIC二极管,IGBT单管,N+P沟道中压大电流MOS,功率半导体器件,SIC 二极管,HMS330N10,HM01N100PR,HMS320N04D,HM35SDN03D,HM4616D,HM3400KR,HM603K,HMS310N85,HMS11N70Q,HMS135N10,HM3N40R,HMS320N04G,HM2818D,HMG20N65F,HM1N50MR,BSS84DW,HMG20N65D,HMC8N120,HM4615Q,HMS100N20,HM12N65D,HM2302BSR,HM30SDN02D,HM2819D,HM06DP10Q,HM4889,HMS100N15,HM35DN03D,HMG40N65FT,HM4616Q,HMC5N120,HM3N40PR,HMC10N65,BSS138KR,HM605K,HMS10N80F,HMC20N120D,HM10DP06Q,HM4618D,HM3N30R,HM2301BWKR,HMS15N70Q,HMS10N80K,HM05P35MR,HM10DP06D,HMC4N65,HMC2N120K,HM2N50R,HMS30DN08D,HM4N10D,HMS135N85K,HM11P20,HMS135N85G,HMS5N90R2,HM2809D,HMC6N65K,HM1P20,HM4618Q,HMC6N65Q,HMS100N20D,HM1P15MR,HMC15N65,HM2N25MR,HM607K,HMS5N80F,HM3N150F,HM3N150A,HMS80N25,HMS5N80K,HM2301BSR,HMS5N80,HMS5N80I,HMS120N10G,HMS260N10D,HMS320N04,HMS120N10D,HMS120N10K,HMS20N80,HMS5N80R,HM3N20M,HM40N120AT,HMC5N120K,HMC4N65K,HM2P15R,HM3N30PR,HM10SDN06D,HMG40N65AT,HMC20N65D,HMS80N10,HM25P15K,HM3N100,HMC20N65,HMS80N85K,HM20SDN04Q,HM10SDN06Q,HMS80N85G,HM2N65R,HM4640D,HMG75N65AT,HMS15N65Q,HMC10N65Q,HM10N65D,HM609K,HMC8N65,HMS85N10,HMS80N85D,HMS5N90R,HM40DN04K,HM3800D,BSS84SR,HM2302BWKR,HMS120N10,HMS11N65Q,HM2301KR,HM2N65PR,HM6P15K,HM4P20K,HM7002KDW,HM5N50R,HM02P30R,HM0565MR,HM4884Q,HMS310N85LL,HM25N50D,HMS15N80,HM3N120,HMC2N120,HMS330N06,HMC10N65K,HM4630D,HMS330N06D,HM3N20PR,HM02P30PR,HM09P12D,HM4620D,HM10DN06D,HMS10DN08Q,HM10DN06Q,HM1N70PR,HMC2N65,HMS5N70R2,HM5P15D,HM2302BKR,HM08DN10D,HMS320N04LL,HMS10N80,HM2810D,HM25SDN03Q,HMN9N65Q,HMS135N85,HM4P10D,HM2302KR,HM3400DF,HM2310DF,BSS84KR,HMN9N65D,HM4489,HMN11N65D,HM2N50PR,HM2302BJR,HM3N25R,HM4922,HM4923,HM40N120FT,HM4920,HM4926,HM4924,HMC15N65D,HM4N60R,HMS310N85D,HMS260N10LL,HM2300DF,HMS20N80T,HMS135N10K,HM13N50D,HM4622D,HM3N100F,HM18DP03Q,BSS138SR,HM3N100D,HM8N100A,HM07DP10D,HMS80N25D,HM3DN10D,HMS20N80D,HM18DP03D,HMS100N15D,HM3N150,HMS20N80F,HM8N100F,HM18SDN04D,HMS5N70R,HM2800D,HMC8N65K,HM20DN04Q,HMC8N120K,HMC8N65Q,HMS100N85,HM5N30R,HM4611D,HM18DP02Q,HM1N60R,HMS260N10,HM20DN04D,HM25N120FT,HM30DN02D,HM6604BWKR,HM40SDN02Q,HMS135N10G,HMG20N65,HMS135N10D,HMC15N65T2,HMC20N120T2,HMS120N85K,HM4P15Q,HM4611Q,HM2309DR,HM4N65R,HM16P12D,HMS80N10K,HMS80N10G,HM2301BJR,BSS138DW,HMS135N85D,HM2301DR,HMS15N80F,HMC6N65,HMS15N80D,HMS100N85D,HMS100N85G,HMS100N85K,HM610K,HM2319D,HM1N60PR,HMS5N65R,HM10SDN10D,HMS80N10D,HMS7N80F,HM1N70R,HMS7N80K,HM2P15PR,HM7002KR,HMS7N80I,HMS120N85D,HMS5N65R2,HM08SDN10Q,HM2803D,HMS120N85G,HMS120N85,HMC2N65K,HM3801DR,HMS10DN10Q,HMS80N85,HM2P20D,HM2318D,HMS5N80R2,HM3N120F,HMS7N80,HM12DP04D,HM3N120A,HM2N70R,HM11P20D,HMS85N10K,HMS330N10LL,HMS85N10G,HM2302DR,HMS13N65Q,HM12DP04Q,HM2P20Q,HMS85N10D,HM4615D,HM20DN06KA,HM2305D,HMC20N120,HMS330N06LL,HMS330N10D,HM5N30PR,HM2301BKR,HM3401DR,HMC20N65T2,变频器,充电器适配器,智能手表,TWS蓝牙耳机,电机驱动电路,PFC,新能源汽车行业的超充充电桩,智能门锁,适配器,不间断电源,UPS,USB PD快充全桥,太阳能逆变器,电磁炉,智能插座,LLC电源,服务器电源,电焊机,高速吹风机,航模,无人机,工业变频器,QR快充,平衡车,便携式储能,逆变器,伺服驱动,USB PD快充全桥驱动电路,超级充电桩,开关电源,智能手环,车载充电机,筋膜枪,智能穿戴产品,电子烟,小家电电源板,无线充,新能源汽车行业,OBC,电饭煲,氮化镓快充,半桥驱动电路,DC-DC电源模块,变频家电,电机驱动,充电桩,充电器,氮化镓快充产品,BMS,光伏,LED照明,UPS电源,感应加热,电动车,谐振电源,电源,滑板车,全氟化碳,户外电源,通信电源,LED电源,光伏逆变器

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派恩杰(PN Junction)碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南

碳化硅肖特基二极管    碳化硅MOSFET   

派恩杰  -  SIC SBD,碳化硅肖特基二极管,SIC场效应晶体管,SIC SBD,碳化硅MOSFET,SIC MOSFET,SIC备用电池,P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4

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安邦半道體 COMPANY PROFILE

安邦半导体是一家专注于汽车和工业市场的功率半导体设计商和制造商,提供Si和SiC材料的分立器件产品。公司成立于1996年,总部位于中国深圳,拥有深圳、台湾和硅谷的研发中心,2023年营业额达1.6亿美元。产品包括IGBT、MOSFET、二极管等,应用于电动汽车、光伏、工业电机驱动等领域。公司采用全产业链(IDM)模式,提供从设计、制造到封装的完整解决方案,并拥有严格的车规级产品管控体系。

安邦  -  MOSFET,SCR,ESD DIODE,HIGH V MOS,ESD PROTECTIONS ARRAY,TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS,SIC DIODES,SIC模块,功率金氧半电晶体,TVS,ZENER DIODE,ZENER DIODES,RECTIFIERS,SCHOTTKY RECTIFIERS,碳化硅二极管,开关晶体管,SEMICONDUCTOR DISCRETE DEVICE,LV MOS,稳压二极管,SIC-MOS,碳化硅高压模块,低VF SBD,ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIERS,SGT MOS,晶体管,整流器,整流桥,TRENCH MOS,小信号晶体管,三极管,稳压管,低压功率MOSFET,SIC MOSFET器件,ESD保护阵列,SMALL SIGNAL TRANSISTORS,齐纳二极管,LOW VF SBD,半导体分立器件,功率二极体,SIC POWER MOSFET,肖特基整流器,SIC MOS,功率MOS管,SIC SBD,ZENER,功率模块,低压MOS,SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES,SWITCHING DIODES,高压MOS,SBD SWITCH DIODE,小信号齐纳二极管,SIC碳化硅,LV SIGNAL MOSFET,高压开关功率MOS,TRANSISTOR,齐纳,HV SWITCH POWER MOS,POWER MOSFETS,TVS二极管,充/放电高压开关SIC-MOS,碳化硅高压MOSFET,整流管,SMALL SIGNAL ZENER DIODES,一般SBD,DIODE,SR MOS,低压开关功率MOS,开关二极管,阵列,瞬态电压抑制器,快速恢复整流器,LV POWER MOSFET,SIC备用电池,POWER DIODES,SBD开关二极管,GPT SWITCH TRANSISTOR,RECTIFIER,SIC二极管,静电放电二极管,莫斯中士,接口保护ESD阵列,POWER MODULE,ESD PROTECTION DIODE,小信号开关二极管,超快速恢复整流器,LV SWITCH POWER MOS,SMALL SIGNAL SWITCHING DIODES,HIGH EFFICIENT RECTIFIER,ESD保护二极管,SIC MODULE,沟槽式MOS,BRIDGE,肖特基势垒,AUTOMOTIVE POWER MOS管,一般型整流器,GENERAL SBD,IGBT,高级金属氧化物,TVS DIODE,BRT SWITCH TRANSISTOR,GENERAL PURPOSE RECTIFIERS,高效整流器,电桥,SCHOTTKY BARRIER,小信号肖特基二极管,开关二级管,TRIACS,可控硅,MOS,ARRAY,IC供电TVS,分立器件,MOS管,金属氧化物半导体,三合会,碳化硅-钼,低压信号MOSFET,FAST RECOVERY RECTIFIERS,碳化硅金属氧化物半导体,功能IC过电压保护 TVS,碳化硅高压肖特基二极管,二极管,SIC功率场效应晶体管,ASZM01K170P,AS3100L,ASZM016120S7,ASZM01K170T,ASZM080120P,SMBJ,ASZM100HB13N120E2,ASZM080120T,ASZM040120PA,ASZM600FB2N120HD,ASZM030120P,ASZM040120D88,SM24C,ASZM0S0120N,ASZM030120T,ASZM016120T,ASZM360FB3N120HD,ASZM025065T,ASZM060065T,AS2M480FB2N120HD,2N7002EY,BZT52C SERIES,ASZM040065T,ASZM040120T,AS2324,ASZM028120T,ASZM040120P,ASZM104065P,ASZM028120P,ASZM040065L,S2M016120P,AS2102W,ASZM040120N,BZT52C,SMBJ SERIES,ASZM160120T,ASZM160120P,SM24,ASZM032120T,ASZM032120P,PACK环境控制,电机控制器,汽车,PV,贝弗,PHEV,车载舒适系统,插电式混合动力汽车,电控系统,动力传动装置,电控,电池系统,大灯,商用电动汽车,混合电动汽车,电机,DCDC变换,HVDC,EV,纯电动汽车,CAV,直流/ DC,直流充电桩,全混电动汽车,电池,新能源电压变换系统,航空航天,新能源汽车三电系统,变速器,PHEV公司,OBC,DC/DC,FHEV,车身电子,高压BMS,汽车LED前灯,电动汽车,电动汽车电控,工业,动力电池包,PDU,牵引力,工商储能系统,BMS,骑士,BEV,电机系统,车载充电,汽车系统,HEV,工业电机驱动,汽车电子

2024/8/29  - 商品及供应商介绍  - Ver 6.2 代理服务 技术支持 采购服务

芯诺科技授权世强硬创,代理整流桥、二极管、MOSFET、TVS、SiC等产品

本次授权的芯诺科技产品主要应用于汽车电子、新能源、工控、电源产品、消费电子等领域。

2023-11-23 -  签约新闻 代理服务 技术支持 采购服务

世强硬创获蓉矽授权,代理车规级碳化硅MOSFET/EJBS/二极管等产品

蓉矽SiC MOSFET系列是采用第三代宽禁带半导体碳化硅制造的一种高耐压、低电阻、高频应用的MOSFET,分有高性价比的NovuSiC®和高可靠性的DuraSiC®系列。

2023-09-06 -  签约新闻 代理服务 技术支持 采购服务
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品类:SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE

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品类:Power MOSFET

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品类:晶闸管浪涌保护器

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品类:Schottky Barrier Diode

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品类:模拟IC

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品类:瞬态电压抑制器

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品类:瞬态电压抑制器

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品类:功率瞬态电压抑制器

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贴片LED二极管/灯珠定制

可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。

最小起订量: 30000 提交需求>

贴片灯珠定制

可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品,尺寸:0.6*0.3mm-3.2*2.7mm,波长:405-940nm,亮度:24-750mcd,电压:1.5-3.5V。

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