维安开发出导通电阻低至16.5mΩ的600V高压SJ-MOS WMJ120N60CM，有效提升电源功率密度
受益于国家对新基建项目的重视，新能源电动汽车充电桩和5G基站建设速度迅猛。应新能源汽车续航里程提升和快速充电的要求，充电桩的功率已高达120kW到180kW。同样，5G领域也很讲求功率的高效性，5G基站单站满载功率近3700W，约为4G基站的2.5~3.5倍，电费亦会随之攀升至3G、4G的4~5倍之大。面对这些用电大户，耗电问题将是5G时代运营商无法回避的问题。降低能耗，提升电源效率，是选择功率半导体器件时的主要考虑因素。目前，功率MOSFET中TO-247封装是充电机、充电桩和基站高功率电源模块应用中最通用的封装形式。针对超低内阻的高压MOS产品需求，在常规TO-247封装不能满足的情况下，电源工程师往往会使用诸如TO-247MAX,、TO-3P(L) 、TO-264、PLUS TO-247等超大体积封装来代替。这种超大封装不仅不通用，且成本较高。 顺应趋势，维安经过多年的SJ-MOS技术研发创新，开发出行业内超低导通电阻产品——WMJ120N60CM，采用常规TO-247封装的600V高压SJ-MOS，导通电阻Rdson低至16.5mΩ，能够有效提升电源功率密度，解决应用痛点。
图1 常规TO-247封装示意图
图2 常规TO-247导通电阻Rdson对比
图3常规TO-247品质因数FOM对比
在品质因数FOM（Rdson*Qg）方面，WMJ120N60CM达到业界领先水平。
在3.3KW PFC模块电路测试中，WMJ120N60CM和行业某知名厂商的65R019C7效率几乎无差异，甚至比60R019C7高出0.15~0.34%；对应的输入功耗小了1~4W。
图4 3.3KW PFC模块电路测试中WMJ120N60CM和65R019C7效率对比
230Vac输出400V/8.31A条件下开关波形：
图5 WMJ120N60CM开通波形
图6 65R019C7开通波形
VGS 通延迟时间两者无差异：WMJ120N60CM 155ns, 65R019C7 148ns.
图7 WMJ120N60CM关断波形
图8 65R019C7关断波形
从VGS关断波形来看， WMJ120N60CM比65R019C7略快。WMJ120N60CM具有业内领先的导通电阻Rdson，且是TO-247通用封装，在有效提升电源功率密度的同时又节省了空间。目前此款产品主要面向高功率电源模块，比如新能源汽车地面充电桩模块电源、通信电源和高功率充电机等行业，在减少成本费用的情况下实现高效，加速新基建全面落地。
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型号- AKP10M60R,DMD4523E,FTP0P1N15G,DMD12C60EA,AKZ35V15R,DMZ32C15EA,DMD02R50A,DMD8515E,DMZ11C60EA,DMX1072,DMZ61C60EA,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMZ25R13EA,DMZ12C15A,DJDO1R120A,DMX25R10EA,DMS04R60A,DMZ25R10EA,DMX11C60EA,FTS10N15G,DMZ1511E,DMS6014E,DMS8550E,DMX5530E,FTZ30P35G,DMX42C10A,AKZ25V15R,DMB16C20A,FTS01N15G,FTF15C35G,AKZ16V15R,DMZ85200E,DMS42C10A,DMX22C40A,FTZ15N35G,DMS22C40A,FTE02P15G,DMZ1520E
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