维安推出无桥240W电源模块参考设计，兼顾大功率和高能效满载效率≥96.5%

时间： 2023-11-17 来源：维安WAYON公众号

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2021年，USB-IF协会推出了USB Type-C线缆和接口标准v2.1版本，更新了有关供电能力的章节。USB PD3.1规范将原来的USB PD3.0内容归到标准功率范围（Standard Power Range，简称SPR）里面，最大功率保持100W不变，同时增加了扩展功率范围（Extended Power Range，简称EPR），最大功率由100W扩展到240W。

为帮忙客户缩短研发周期，维安（WAYON）推出一款240W电源参考设计，此设计支持100-240Vac~50/60Hz宽范围电压输入，20V输出，最大电流12A，满载效率≥96.5%，输出电压纹波＜300mV，外形尺寸仅105mm*58mm*22mm。适用于适配器、POE供电、高功率密度工业电源、电动工具充电器和服务器电源模块等应用。

图1 维安240W无桥方案PCB 正面

图2 维安240W无桥方案PCB 背面

图3 维安240W无桥方案拓扑框架

维安240W 电源方案关键参数

该方案相比图4标准的无桥FPC结构，具有如下特点：

1、D1 D2 作为旁路桥臂，在正常工况同样需要整流桥，将D1 D2 D3 D4使用LOW VF整流桥，省去低频桥臂的MOSFET。

2、高频桥臂开关过程中，同步侧GaN在正弦交流电压低时，驱动并非全周期工作，这会导致GaN多余发热外并SiC SBD后，正温度SiC SBD对GaN做主动热均衡，并充当GaN的全旁路器件。

3、可省去两颗低阻值的SJ MOSFET和一路驱动，同时将GaN器件使用性价比更高的100mΩ，650V ，并外并两颗3A SiC，等效常规PFC。相比传统无桥PFC结构，成本整体降低明显（约10-15RMB)。

图4 传统结构的无桥PFC 拓扑

图5 维安无桥省去低频桥臂的MOS

能效测试

维安240W电源方案整机能效对比市面上普通硅 MOS产品，半载效率下提高明显，在满载条件下达到超过96.5%效率，和使用SJ MOSFET传统结构的无桥PFC效率相当。但相比SJ MOSFET +70mΩ GaN器件无桥拓扑，维安优化的无桥PFC成本优势突出。

温升测试

上图为维安240W电源方案在无散热片情况下，25℃环境温度下 115V/60Hz裸机连续运行2小时的热成像图。可以看出，由于高效率拓扑设计和搭配维安优异性能器件，240W电源方案背面的实测最大温度仅为77.4℃。

维安在丰富的功率器件产品线基础上，深度结合专业的功率半导体方案研发团队，可以快速推出自主设计、性价比优异的整机方案。

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2023/7/3 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

WAYON power MOSFET选型表

WAYON（维安半导体）提供 Trench P Channel Power MOSFET（沟槽P沟道功率MOSFET）/SGT P Channel Power MOSFET（SGT P沟道功率MOSFET）/Trench N Channel Power MOSFET(沟槽N沟道功率MOSFET)/SGT N Channel Power MOSFET（SGT N沟道功率MOSFET）/Multi-Channel MOSFET Power MOSFET(多沟道功率MOSFET)选型，Type：N/P，ESD：NO/YES，VDS(V)：-150~300V，Vgs Max(v)：±10~±20V，VGS(th)(V)-Typ.:-3~3.8.

Rds(on)Vgs=10V,(mΩ)Max.

Rds(on) Vgs=4.5V,(mΩ)Typ.

Rds(on)Vgs=4.5V,(mΩ)Max.

Trench P Channel Power MOSFET

选型表 - WAYON 立即选型

ROHM推出多款GaN器件，致力降低GaN系统应用开发的难度，加速GaN的规模化商用

GaN HEMT功率级IC的特点及发展介绍。

2024-12-06 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

【产品】东科半导体推出的高性能同步整流器DK5V100R20S，集成100V/20mΩ NMOS，具有超低VF特性

东科半导体推出的一款高性能同步整流器DK5V100R20S(20mΩ/100V)，器件只有A-K两个功能引脚，分别对应肖特基二极管PN管脚。芯片内部集成了100V功率NMOS管，可以大幅降低传统肖特基二极管导通损耗。

2023-05-08 - 产品代理服务技术支持采购服务

KP22064/KP22066 集成 GaN FET 的高频高性能准谐振模式 ACDC 功率开关 Preliminary Datasheet

本资料介绍了KP2206X，一款集成650V GaN FET的高频高性能准谐振模式ACDC功率开关。该产品具有低功耗、高效率的特点，适用于多种电源转换应用。

必易微 - 高频高性能准谐振模式 ACDC 功率开关,KP2206X,KP22066,KP22064,适配器,快速充电器

2022/4/4 - 数据手册 - REV1.02S 代理服务技术支持采购服务

RC65D270E氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管

RC65D270E系列650V、270mΩ氮化镓(GaN)FET是常关型器件，通过降低栅极电荷、提高开关速度和降低动态导通电阻，提供更高的效率。该系列器件适用于汽车、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机和工业等领域。

正芯 - GALLIUM NITRIDE FETS,GAN 650V GAN HEMT,GAN FETS,氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管,氮化镓场效应晶体管,RC65D270E SERIES,RC65D270E,电信,汽车,INDUSTRIAL,数据通信,ADAPTER,SERVO MOTORS,AUTOMOTIVE,DATA-COM,TELECOM,适配器,RENEWABLE ENERGY,可再生能源,伺服电动机,工业

2024/7/17 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

用于适配器GAN MOS开关噪声（100MHz~200MHz）抑制的顺络磁珠与平面变压器

该资料主要介绍了某深交所上市公司在电子元器件领域的战略目标、公司概况、GaN适配器行业情况、适配器行业趋势分析、GaN和Si平台差异、推荐产品（磁珠、叠层电感、平面变压器、热敏电阻、功率电感等）以及产品特性和应用。资料还对比了绕线变压器和平面变压器的优势，并推荐了热敏电阻和功率电感的产品型号及特性。

顺络 - 磁珠,大电流磁珠,PFC电感,叠层电感,热敏电阻,共模电感,功率电感,小电流磁珠,平面变压器,磁环电感,PZ3225U601-3R0TF,SDNT0603C103F3380FTF,MPH201210S4R7MT,MPL2012S3R3MHT,MWSA1206S-330MT,MWLA1206S-470MT,MPH252010S2R2MT,MPH201210S3R3MT,MWSA1206S-270MT,MZAS3225D681-4R0TF,MPL2520S2R2MWT,SDNT1005X104F4250FTF,MZAS4532D102-5R0TF,MWLA1206S-330MT,MPH252010C3R3MT,MZAS2520D601-4R0TF,MPL2016S3R3MHT,SDNT1005X103F3380FTF,MPL2520S4R7MWT,ED18,MZAS2016G301-3R0TF,MPL2016S4R7MHT,MPL2012S4R7MHT,MPL2520S3R3MHT,MPL2016S2R2MHT,MWSA1206S-180MT,MPL2012C2R2MHT,MPL2012S2R2MYT,MPH252010S4R7MT,MWLA,MPH201210S2R2MT,MPL2012S4R7MYT,MPL2012S2R2MHT,MWLA1206S-220MT,PZ3225D601-3R0TF,SDNT0603C473F4050FTF,MPH252010S3R3MT,MPH252010C2R2MT,MWSA1206S-150MT,RM8,MWSA,MWSA-S,MPL2520S4R7MHT,MWSA1206S-220MT,SDNT,MWSA-S SERIES,QC15W,MWLA-S,MWSA1206S-470MT,MWLA-S SERIES,MPH201210S2R7MT,MPL2520S2R2MHT,MPL2520S3R3MWT,SDNT0603C104F4250FTF,MPH252010C4R7MT,MWLA1206S-150MT,通讯设备,开关电源,电源线,TV,办公自动化,快充充电器,充电器,电子烟,GAN电源电路,平板电脑,小家电,适配器,高频开关电源应用,高功率密度电源,GAN适配器,笔记本电脑,工业设备,电视

2022/2/7 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

WAYON 车规级MOSFET选型表

WAYON 提供车规级MOSFET选型：VDS(V)：20-100，ID(A)@TA=25℃(Max.)：0.13-200，Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.)：1-500.

产品型号	品类	Package	type	VDS(V)	ID(A)@TA=25℃(Max.)	Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.)	Tch（°C）
WMB26N06TS-AT	车规级MOSFET	DFN5*6	N-ch	60 V	26 A	32 mΩ max	150°C

选型表 - WAYON 立即选型

合科泰NMOS管HKTQ60N02凭借强大特性和低功耗，广泛用于电机驱动和BMS、便携式设备负载开关等

合科泰电子生产的NMOS管HKTQ60N02具有很好的电气性能，其能承受的最大漏源电压达20V，栅源电压2.5V，连续漏极电流50A，漏源导通电阻0.0075欧，最小栅极阈值电压0.5V，最大栅极阈值电压1V，耗散功率83mW。重量约0.012克，非常轻薄便捷。它作为一款低压MOS产品，具有强大特性和低功耗，适用于物联网设备、小信号驱动和通讯领域等。

2024-09-16 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

WAYON Super Junction Power MOSFET选型表

WAYON （维安半导体）提供Super Junction Power MOSFET（超级结功率场效应管/超级结功率MOSFET）选型：VDS (V)：500-1050，RDS(on) (Ω) @VGS=10V(max.) ：0.0205-7，ID (A) @TA=25℃：1.5-99，VGS (V)：30.

产品型号	品类	Description	Package	VDS(V)	RDS(on)(Ω)@VGS=10V(max.)	ID(A)@TA=25℃	PD(W)@TA=25℃	VGS(V)	VGS(th)(V)-Typ.
WMK07N60C4	Super Junction Power MOSFET	N-Channel SJ-MOS C4	TO-220	600	1.14	5	42	30	3

选型表 - WAYON 立即选型

合科泰HKTG90N03 NMOS，能承受最大漏源电压30V，易于集成到各种电路中，能简化电路板的布线设计

HKTG90N03产品采用PDFN5X6封装形势，产品具有小型化、稳定可靠、紧凑型、贴装方便、散热性强、高负载电流能力等特点，适用于小空间且对电路性能要求高的电路上。

2024-08-15 - 产品代理服务技术支持采购服务

微盟电子24V全电压D型GaN，μA级启动电流和50MW极低待机功耗，适合PD快充应用场景

MicrOne ME8138是一款高性能电流模式PWM控制器，内置650V GaN。内阻800mΩ，芯片采用恒压恒功率控制。芯片具有低至μA级别的启动电流和极低的待机功耗。单体封装采用SOP8，功率覆盖18W、20W、22W、24W等规格的PD小型化快充，搭配ME84XX同步IC，整机高功率密度，性价比高且安全可靠。是继ME8115之后的另一设计精品。

2024-08-31 - 产品代理服务技术支持采购服务