A GaN 15W L-Band (1.2-1.4GHz) Input Matched Packaged Transistor CHZ015A-QEG in SMD Package Based on Quasi-MMIC Technology
The CHZ015A-QEG is a GaN 15W L-Band (1.2-1.4GHz) input matched packaged transistor. It is based on Quasi-MMIC technology.
The circuit operates in pulsed mode and features an output power of 18W with more than 13dB associated gain and a high PAE, of up to 55%.
It allows broadband solutions for a variety of RF power applications in L-band. This circuit is particularly well suited for pulsed radar applications.
The CHZ015A-QEG is manufactured on a 0.5µm gate length GaN HEMT process. It is supplied in a low-cost SMD package 24L-QFN 4×5.
Main features:
Frequency range: 1.2-1.4GHz
Small signal gain: 19.5dB
Power: >15W
Associated gain: >13dB
PAE: Up to 55%
Saturated drain current: 650mA
DC bias: VDS 45V @ ID_Q 100mA
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产品型号
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品类
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Glin(dB) @ Freq(GHz)
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Operating Frequency(GHz)
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Saturated Power(W)
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PAE(%) @ Freq(GHz)
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Bias(mA)
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Bias(V)
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Case
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CHKA011aSXA
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氮化镓功率晶体管
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23.5 @ 0.44
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Up to 1.5
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产品型号
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品类
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RF Bandwidth (GHz)min
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RF Bandwidth (GHz)max
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Loss(dB)
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Isolation(dB)
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Type
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CHS2412-QDG/20
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射频开关
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23
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26
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2.9
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35
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Reflective
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