【产品】氮化镓射频晶体管最全选型，带宽可达6GHz
全球领先的微波元件供应商UMS推出了氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管，支持脉冲和连续波工作模式，带宽达6GHz，覆盖L至C波段。该系列晶体管采用0.5μm栅极长度的GaN HEMT工艺，输出功率最高可达130W，增益最高可达23dB，可对微弱信号进行放大，实现高频高带宽下大功率射频输出。
该系列晶体管功率附加效率最小为50%，有效降低了功率消耗和冷却成本。该系列晶体管同样具有低寄生和低热阻，可采用陶瓷金属法兰电源封装，如CHK080A-SRA封装，可快速散发产生的热量，保证了产品的寿命和稳定性，平均无故障时间大于106小时。此外，还有低成本塑料封装（如CHK015A-QIA）供用户选择。该系列晶体管工作电压50V，静态漏极电流支持0.05A至0.65A。可广泛应用于雷达和通信系统中实现检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等功能。
氮化镓（GaN）射频晶体管系列主要特性：
• 工作带宽：6GHz
• 增益：最高达23dB
• 输出功率：130W
• 功率附加效率：最小50%
• 工作电压：50V
• 多种封装：QFN塑料封装，陶瓷金属法兰封装，DIE封装
氮化镓（GaN）射频晶体管系列主要应用：
• 通信系统
• 雷达系统
选型表：
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金林 Lv4. 资深工程师 2018-09-20不错 -
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幸福 Lv7. 资深专家 2018-09-07学习学习 -
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用户18396822 Lv8 2018-04-24不错 -
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老杰克 Lv7. 资深专家 2018-02-28赞 -
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木chen Lv8. 研究员 2017-11-11值得尝试
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UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型表
UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型:Glin(dB) @ Freq(GHz):12-23.5，Saturated Power(W)：14-180，Bias(mA)：0.1-1300，Bias(V)：30-50.
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产品型号
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品类
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Glin(dB) @ Freq(GHz)
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Operating Frequency(GHz)
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Saturated Power(W)
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PAE(%) @ Freq(GHz)
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Bias(mA)
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Bias(V)
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Case
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CHKA011aSXA
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氮化镓功率晶体管
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23.5 @ 0.44
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Up to 1.5
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130
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75 @ 0.44
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640
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50
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Ceramic Metal Flange
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选型表 - UMS 立即选型
RC65D270E氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- RC65D270E系列650V、270mΩ氮化镓(GaN)FET是常关型器件，通过降低栅极电荷、提高开关速度和降低动态导通电阻，提供更高的效率。该系列器件适用于汽车、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机和工业等领域。
型号- RC65D270E SERIES,RC65D270E
RC65D600E氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- 本资料介绍了RealChip公司生产的650V GaN HEMT器件RC65D600E。该系列产品采用氮化镓（GaN）技术，具有低导通电阻、快速开关速度和较低的门极电荷等特点，适用于汽车、适配器、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机以及工业等领域。
型号- RC65D600E,RC65D600E SERIES
2KK8006NEDFN 650V氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- 本资料介绍了650V GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）两种类型的SMD器件。重点阐述了2KK8006NEDFN型号的GaN HEMT的特性，包括其电气特性、典型特性、封装尺寸等，并比较了其在提高效率、降低损耗方面的优势。
型号- 2KK8006NEDFN
RC65D270B氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- RC65D270B系列650V GaN HEMT是RealChip公司生产的650V、270mΩ氮化镓场效应晶体管，具有低栅极电荷、快速开关速度和低动态导通电阻等特点，适用于汽车、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机、工业等领域。
型号- RC65D270B,RC65D270B SERIES
2KK8007NEDFN 650V氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- 本资料介绍了650V氮化镓（GaN）HEMT晶体管2KK8007NEDFN的特性。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度，适用于快充、电信和数据通信、伺服电机、工业和汽车等领域。
型号- 2KK8007NEDFN
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CE65H270DNCI氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管数据表
描述- 该资料介绍了Corenergy公司的650V GaN HEMT（氮化镓场效应晶体管）产品CE65H270DNCI。这款器件具有低栅极电荷、快速开关速度和低动态导通电阻等特点，相比传统硅器件在效率上有显著提升。它适用于适配器、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机以及工业等领域。
型号- CE65H270DNCI,CE65H270DNCI SERIES
2KK8005NEDFN 650V氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- 本资料介绍了650V GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）的特性及应用。该器件具有650V的耐压能力，低导通电阻和开关损耗，适用于快速充电器、电信和数据通信、伺服电机、工业和汽车等领域。
型号- 2KK8005NEDFN
CE65H160DNCI氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管数据表
描述- 该资料介绍了Corenergy公司的650V GaN HEMT（氮化镓场效应晶体管）产品CE65H160DNCI。这款器件具有低导通电阻、快速开关速度和较低的动态导通电阻，提供比传统硅器件更高的效率。它适用于适配器、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机以及工业等领域。
型号- CE65H160DNCI SERIES,CE65H160DNCI
【元件】UMS推出新系列封装晶体管CHKA012bSYA、CHK-8101-SYC和CHK8201-SYA
UMS推出了不少于三个型号新的封装晶体管——CHKA012bSYA、CHK-8101-SYC和CHA8201-SYA。这些产品采用密封陶瓷金属法兰封装，专用于空间应用。
CE65H270DNDI氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管规格书
描述- CE65H270DNDI系列650V GaN HEMT是Corenergy公司生产的氮化镓场效应晶体管，具有低导通和开关损耗，适用于适配器、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机、工业和汽车等领域。
型号- CE65H270DNDI,CE65H270DNDI SERIES
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