【产品】氮化镓射频晶体管最全选型，带宽可达6GHz
全球领先的微波元件供应商UMS推出了氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管，支持脉冲和连续波工作模式，带宽达6GHz，覆盖L至C波段。该系列晶体管采用0.5μm栅极长度的GaN HEMT工艺，输出功率最高可达130W，增益最高可达23dB，可对微弱信号进行放大，实现高频高带宽下大功率射频输出。
该系列晶体管功率附加效率最小为50%，有效降低了功率消耗和冷却成本。该系列晶体管同样具有低寄生和低热阻，可采用陶瓷金属法兰电源封装，如CHK080A-SRA封装，可快速散发产生的热量，保证了产品的寿命和稳定性，平均无故障时间大于106小时。此外，还有低成本塑料封装（如CHK015A-QIA）供用户选择。该系列晶体管工作电压50V，静态漏极电流支持0.05A至0.65A。可广泛应用于雷达和通信系统中实现检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等功能。
氮化镓（GaN）射频晶体管系列主要特性：
• 工作带宽：6GHz
• 增益：最高达23dB
• 输出功率：130W
• 功率附加效率：最小50%
• 工作电压：50V
• 多种封装：QFN塑料封装，陶瓷金属法兰封装，DIE封装
氮化镓（GaN）射频晶体管系列主要应用：
• 通信系统
• 雷达系统
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金林 Lv4. 资深工程师 2018-09-20不错 -
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幸福 Lv7. 资深专家 2018-09-07学习学习 -
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用户18396822 Lv8 2018-04-24不错 -
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老杰克 Lv7. 资深专家 2018-02-28赞 -
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木chen Lv8. 研究员 2017-11-11值得尝试
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描述- CHK8013-99F GaN HEMT on SiC 14W Power Transistor datasheet
型号- CHK8013-99F,CHK8013-99F/00
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