【产品】氮化镓射频晶体管最全选型，带宽可达6GHz
全球领先的微波元件供应商UMS推出了氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管，支持脉冲和连续波工作模式，带宽达6GHz，覆盖L至C波段。该系列晶体管采用0.5μm栅极长度的GaN HEMT工艺，输出功率最高可达130W，增益最高可达23dB，可对微弱信号进行放大，实现高频高带宽下大功率射频输出。
该系列晶体管功率附加效率最小为50%，有效降低了功率消耗和冷却成本。该系列晶体管同样具有低寄生和低热阻，可采用陶瓷金属法兰电源封装，如CHK080A-SRA封装，可快速散发产生的热量，保证了产品的寿命和稳定性，平均无故障时间大于106小时。此外，还有低成本塑料封装（如CHK015A-QIA）供用户选择。该系列晶体管工作电压50V，静态漏极电流支持0.05A至0.65A。可广泛应用于雷达和通信系统中实现检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等功能。
氮化镓（GaN）射频晶体管系列主要特性：
• 工作带宽：6GHz
• 增益：最高达23dB
• 输出功率：130W
• 功率附加效率：最小50%
• 工作电压：50V
• 多种封装：QFN塑料封装，陶瓷金属法兰封装，DIE封装
氮化镓（GaN）射频晶体管系列主要应用：
• 通信系统
• 雷达系统
选型表：
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金林 Lv4. 资深工程师 2018-09-20不错 -
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幸福 Lv7. 资深专家 2018-09-07学习学习 -
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用户18396822 Lv8 2018-04-24不错 -
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老杰克 Lv7. 资深专家 2018-02-28赞 -
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木chen Lv8. 研究员 2017-11-11值得尝试
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UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型表
UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型:Glin(dB) @ Freq(GHz):12-23.5，Saturated Power(W)：14-180，Bias(mA)：0.1-1300，Bias(V)：30-50.
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产品型号
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品类
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Glin(dB) @ Freq(GHz)
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Operating Frequency(GHz)
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Saturated Power(W)
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PAE(%) @ Freq(GHz)
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Bias(mA)
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Bias(V)
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Case
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CHKA011aSXA
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氮化镓功率晶体管
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23.5 @ 0.44
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Up to 1.5
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130
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75 @ 0.44
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640
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50
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Ceramic Metal Flange
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选型表 - UMS 立即选型
RC65D270E氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管
RC65D270E系列650V、270mΩ氮化镓(GaN)FET是常关型器件，通过降低栅极电荷、提高开关速度和降低动态导通电阻，提供更高的效率。该系列器件适用于汽车、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机和工业等领域。
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2KK8006NEDFN 650V氮化镓高电子迁移率晶体管
本资料介绍了650V GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）两种类型的SMD器件。重点阐述了2KK8006NEDFN型号的GaN HEMT的特性，包括其电气特性、典型特性、封装尺寸等，并比较了其在提高效率、降低损耗方面的优势。
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CE65H270TOEI氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管数据表
该资料介绍了Corenergy公司生产的CE65H270TOEI系列650V GaN HEMT器件。这些GaN FETs具有低栅极电荷、快速开关速度和低动态导通电阻等特点，相比传统硅器件在效率、功率密度和系统尺寸与重量方面提供显著优势。
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RC65D270B氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管
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2KK8007NEDFN 650V氮化镓高电子迁移率晶体管
本资料介绍了650V氮化镓（GaN）HEMT晶体管2KK8007NEDFN的特性。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度，适用于快充、电信和数据通信、伺服电机、工业和汽车等领域。
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氮化镓技术：0.15μm氮化镓高电子迁移率晶体管工艺
该资料主要介绍了GH15 GaN工艺，这是一种针对高功率、高PAE和高线性度优化的GaN HEMT工艺。GH15工艺适用于40GHz频率范围，支持工业级空间应用。该工艺采用热散发的SiC衬底，功率密度可达4.2W/mm。主要特点包括MIM电容器、电感器、空气桥、金属电阻、通孔和两层金属互连层。GH15工艺适用于设计高功率和高PAE放大器、鲁棒的LNA和高功率开关。应用领域包括Pt到Pt无线电、5G、卫星通信、雷达、宽带放大和Hi-Rel产品。资料还提供了工艺的主要性能参数，如Vt、功率密度、Ids+、Gm、VdsDC、NF/Gass、Fmax、MIM密度、金属电阻和最大使用频率。
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UMS CHK8013-99F 14W功率晶体管数据手册
CHK8013-99F GaN HEMT on SiC 14W Power Transistor datasheet
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2KK8005NEDFN 650V氮化镓高电子迁移率晶体管
本资料介绍了650V GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）的特性及应用。该器件具有650V的耐压能力，低导通电阻和开关损耗，适用于快速充电器、电信和数据通信、伺服电机、工业和汽车等领域。
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CE65H450DNCI氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管数据表
该资料详细介绍了Corenergy公司生产的CE65H450DNCI系列650V、450mΩ氮化镓（GaN）FET器件。这些器件具有低栅极电荷、快速开关速度和低动态导通电阻，与传统硅器件相比，提供更高的效率、更高的功率密度和更小的系统尺寸和重量。资料中还包括了产品的电气参数、热阻、典型特性和封装尺寸等信息。
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CE65H270DNDI氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管规格书
CE65H270DNDI系列650V GaN HEMT是Corenergy公司生产的氮化镓场效应晶体管，具有低导通和开关损耗，适用于适配器、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机、工业和汽车等领域。
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满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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可定制显示屏的尺寸范围0.96“~15.6”；工作温度范围：-30℃~80℃，分辨率：128*128~1920*1080；亮度：300~1200。
最小起订量： 1000 提交需求>
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