蓉矽半导体即将携碳化硅光伏、储能等应用解决方案亮相EESA第二届中国国际储能展！
2023年8月30日-9月1日，蓉矽半导体将参加在苏州国际博览中心举办的EESA第二届中国国际储能展览会暨第十届中国国际光储充大会。这是国内最大规模的储能垂直展览会，并特别设置了储能项目主题展示区。蓉矽半导体将携碳化硅光伏、储能等应用解决方案亮相，为绿色未来注入强劲动力。
展会信息
展会时间：2023年8月30日-9月1日
展会地点：苏州国际博览中心
展位号：E3-42
参展产品及方案
一、1200V 75/40/12mΩ NovuSiC® MOSFET
短路耐受时间＞3μs
栅氧化层长期可靠
低导通电阻，低开关损耗
高雪崩耐量
直流充电桩应用场景
20kW直流充电模块中，与硅基器件相比，蓉矽NovuSiC®方案可减少器件数量50%；降低总损耗50%以上；提升效率约2%，峰值可达97%以上。
二、1200V 10/20/30A NovuSiC® EJBS™
高抗浪涌电流能力：11倍(1200V/20A)
低正向导通压降
低反向漏电流
高结温性能稳定:175℃
1100V光伏系统Boost PFC应用场景
在11kW光伏逆变器应用中，相较FRD， NovuSiC® EJBS™可降低约30%的系统总损耗，分别降低6℃和13℃的
硅基IGBT和SiC二极管温升。
三、MCR®
与肖特基相当的低导通压降
极低的反向漏电
低反向恢复损耗
最高30倍抗浪涌电流能力
储能高频整流应用场景
在500W便携式储能电源应用中，相较FRD，蓉矽MCR®器件可降低18.7%的损耗和13℃的器件结温；在损耗不变的前提下，可提升50%的开关频率，缩小磁性器件体积约30%。
关于蓉矽半导体
成都蓉矽半导体有限公司成立于2019年，是四川省首家专注碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业，拥有台湾汉磊科技第一优先级产能保障，致力于自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。
蓉矽半导体拥有高性价比“NovuSiC®”和高可靠性“DuraSiC®”产品系列，涵盖碳化硅二极管EJBS™与碳化硅MOSFET；硅基FR MOS与理想硅基二极管MCR®，应用于光伏逆变器、储能、充电桩、OBC及新能源汽车等领域。
蓉矽半导体拥有德国莱茵ISO 9001质量管理体系认证，涵盖设计、晶圆制造和封测等环节，建立了材料、外延、制造与封装测试均符合IATF 16949的完整供应链，严格按照AEC-Q101标准考核验证。在国内率先投资引入WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 测试系统，保障碳化硅晶圆出厂质量与可靠性超越行业最高标准。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由咪猫转载自蓉矽半导体，原文标题为:展会预告 | 蓉矽半导体即将亮相EESA第二届中国国际储能展！，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
国基南方加速碳化硅MOSFET技术攻关，建立国内第一条6英寸碳化硅功率产品生产线
国基南方持续推进碳化硅MOSFET关键核心技术攻关和产业化应用，经过集智攻坚，团队建立国内第一条6英寸碳化硅功率产品生产线，在国内率先突破6英寸碳化硅MOSFET批产技术，形成了成套具有自主知识产权的碳化硅功率产品技术体系。
芯众享面向光伏及储能领域推出碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET产品，电流范围10~40A可选
芯众享面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET产品。其中碳化硅肖特基二极管已经在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用。
蓉矽半导体亮相上海慕尼黑电子展，重点展示碳化硅MOSFET、二极管及光伏逆变器、新能源汽车等应用解决方案
2024年7月8日，上海慕尼黑电子展在新国际博览中心开幕。蓉矽半导体在E3馆3646号展位，重点展示了碳化硅MOSFET/二极管EJBSTM，以及光伏逆变器、新型储能方案、直流充电桩和新能源汽车等领域应用解决方案。
蓉矽1200V 40/75mΩ碳化硅MOSFET用于直流充电桩，减少50%器件用量，助力800V高压快充充电桩行业发展
基于蓉矽半导体第二代1200V 40/75mΩ SiC MOSFET的两电平方案结构简单、控制方便，可简化系统拓扑，减少50%的器件用量，助力800V高压快充充电桩行业的发展。蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V，最大可持续电流达75A。
中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势
为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5。
世强硬创获蓉矽授权，代理车规级碳化硅MOSFET/EJBS/二极管等产品
蓉矽SiC MOSFET系列是采用第三代宽禁带半导体碳化硅制造的一种高耐压、低电阻、高频应用的MOSFET，分有高性价比的NovuSiC®和高可靠性的DuraSiC®系列。
【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统
为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。
【应用】国产瑶芯微的碳化硅MOS AKCK2M040WMH用于光伏逆变BOOST升压电路，导通内阻低至40mΩ
本文推荐国产瑶芯微的碳化硅MOS AKCK2M040WMH用于光伏逆变BOOST升压电路，导通内阻低至40mΩ，可以有效降低热损耗，提高工作效率，同时也可以减小变压器等器件的体积。
蓉矽半导体碳化硅产品在车载充电机中的应用：已通过AEC-Q101测试和HV-H3TRB考核
为了提升充电效率，延长续航里程，800V高压平台成为主流选择。使用1200V碳化硅MOSFET对提升OBC功率密度、降低重量具有积极意义和显著效果。NOVUSEM自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。
碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等碳化硅功率器件用于变频空调等白色家电，具备更高的效率、开关频率
碳化硅技术带来了更高的效率，可以减少空调散热器的尺寸和热管理的成本。同时，更高的开关频率可以降低磁性元件的成本和尺寸，实现更高的功率密度。此外，低电磁干扰特性则可以降低电磁干扰滤波器的成本并解决电磁干扰的研发成本。
NOVUSEM（蓉矽）碳化硅和硅基产品选型指南
描述- 蓉矽碳化硅产品分为高性价比的“NovuSiC®”和高可靠性的“DuraSiC®”系列。产品涵盖碳化硅EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky)二极管与碳化硅MOSFET；硅基产品有 150℃高结温的理想二极管 MCR® (MOS-Controlled Rectifier)及 FRMOS (Fast Recovery MOS-FET)。广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。
型号- NC1M120C75GT,NC2M120C75GT,NC1D120C20AT,NC1M120C40GTD,NCD30S20TTD,NDM60S7TT
电子商城
品牌：NOVUSEM
品类：Enhanced Junction Barrier Schottky Diode
价格：￥5.4320
现货： 100
品牌：NOVUSEM
品类：Enhanced Junction Barrier Schottky Diode
价格：￥6.5000
现货： 100
品牌：NOVUSEM
品类：Enhanced Junction Barrier Schottky Diode
价格：￥10.6250
现货： 100
品牌：NOVUSEM
品类：Enhanced Junction Barrier Schottky Diode
价格：￥12.6000
现货： 100
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
最小起订量： 30000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论